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GSG軌道型射頻電極、硅基行波電極光調(diào)制器及制備方法與流程

文檔序號:11152679閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種GSG軌道型射頻電極,包括GSG型平面電極,其特征在于:所述GSG型平面電極的單側(cè)或雙側(cè)周期性地添加用于延遲電場的軌道電極,軌道電極連接到GSG型平面電極的地電極上。

2.如權(quán)利要求1所述的GSG軌道型射頻電極,其特征在于:所述軌道電極與GSG型平面電極由相同的工藝和材料加工而成。

3.如權(quán)利要求1所述的GSG軌道型射頻電極,其特征在于:添加軌道電極的周期小于最小工作波長的十分之一。

4.如權(quán)利要求3所述的GSG軌道型射頻電極,其特征在于:所述添加軌道電極的周期為50微米。

5.如權(quán)利要求1所述的GSG軌道型射頻電極,其特征在于:所述軌道電極的橫截面呈T型結(jié)構(gòu)。

6.如權(quán)利要求1所述的GSG軌道型射頻電極,其特征在于:所述軌道電極與GSG型平面電極處在同一個平面層,或者處在多層平面電極體系的不同平面層。

7.如權(quán)利要求1所述的GSG軌道型射頻電極,其特征在于:所述軌道電極與GSG型平面電極處在多層平面電極體系的不同平面層時,軌道電極通過電極層間的通孔與GSG型平面電極連接導(dǎo)通。

8.一種基于如權(quán)利要求1所述GSG軌道型射頻電極的硅基行波電極光調(diào)制器,其特征在于:包括GSG軌道型射頻電極和傳統(tǒng)的硅基行波電極光調(diào)制器,GSG軌道型射頻電極通過電極層間的通孔與硅基行波電極光調(diào)制器的有源區(qū)連接導(dǎo)通。

9.如權(quán)利要求1所述的GSG軌道型射頻電極的制備方法,其特征在于,該方法包括以下步驟:

S1、通過電磁場仿真分析軟件,計算出阻抗為45~55歐姆匹配情況下的GSG型平面電極的幾何尺寸;

S2、在GSG型平面電極上添加負載,重新通過電磁場仿真分析軟件計算出添加了負載的阻抗;

S3、如果負載的阻抗在20~50歐姆之間,則確定單側(cè)添加軌道電極;如果負載的阻抗在50~100歐姆之間,則確定雙側(cè)添加軌道電極;

S4、在確定的電極結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上,通過電磁場仿真分析軟件,優(yōu)化和設(shè)計軌道電極的結(jié)構(gòu)參數(shù),獲得一個周期的單元結(jié)構(gòu)設(shè)計;

S5、將優(yōu)化的單元結(jié)構(gòu)在長度方向上周期排列,得到完整的GSG軌道型射頻電極。

10.如權(quán)利要求9所述的GSG軌道型射頻電極的制備方法,其特征在于:步驟S4中,確定雙側(cè)添加軌道電極時,雙側(cè)所添加的軌道電極的大小和形狀相同或者不同,根據(jù)負載電容的大小進行分別優(yōu)化和設(shè)計。

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