1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，選擇性地在所述閃耀面和反閃耀面的單面或雙面形成膜層的方法，包括：提供鍍膜設備，所述鍍膜設備包括：真空腔，所述真空腔包括相對的第一側壁和第二側壁；固定于第一側壁下部的第一離子源；固定于第二側壁下部的旋轉靶材架，所述旋轉靶材架包括至少兩個靶材位，通過旋轉靶材架使裝載在靶材位上的各個靶材朝向所述第一離子源；設置于第一側壁上部的承載裝置，所述承載裝置包括與第一側壁上部固定的旋轉軸以及與旋轉軸連接的承載臺，所述旋轉軸可帶動所述承載臺在所述真空腔內沿順時針或逆時針進行公轉，所述承載臺能夠以承載臺中心為圓心進行自轉；固定于第二側壁上部的第二離子源。
3.如權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，選擇性地在所述閃耀面和反閃耀面的單面或雙面形成膜層的方法，還包括：將包括有襯底和光柵齒的半導體結構設置于承載臺上；調節所述旋轉軸，使所述旋轉軸帶動所述承載臺在真空腔內進行公轉，使得半導體結構的法線與水平線之間的夾角在預設范圍內，所述半導體結構的法線為垂直于襯底表面的垂直線；使用第一離子源生成第一離子束轟擊朝向所述第一離子源的靶材，在所述閃耀面和反閃耀面的單面或雙面形成膜層。
4.如權利要求3所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述半導體結構的法線與水平線之間的夾角的預設范圍為小于60°。
5.如權利要求4所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述閃耀面和反閃耀面的單面形成膜層，包括：調節所述旋轉軸，使半導體結構的法線與水平線之間的夾角在預設范圍內，所述閃耀面朝向第一靶材或反閃耀面朝向第一靶材；使用第一離子源生成第一離子束轟擊朝向所述第一離子源的第一靶材，在朝向所述第一靶材的閃耀面沉積形成第一膜層，或者在朝向所述第一靶材的反閃耀面沉積形成第二膜層。
6.如權利要求5所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述閃耀面和反閃耀面的雙面形成膜層，所述第一膜層和第二膜層的材料相同，包括：
7.如權利要求6所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，以預設角度自轉所述承載臺之前，還包括：在形成膜層的閃耀面或反閃耀面上方設置遮擋板。
8.如權利要求6所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，自轉所述承載臺的預設角度范圍為：150度至210度。
9.如權利要求5所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述閃耀面和反閃耀面的雙面形成膜層，所述第一膜層和第二膜層的材料不相同，包括：包括：在朝向所述第一靶材的閃耀面沉積形成第一膜層，或者在朝向所述第一靶材的反閃耀面沉積形成第二膜層之后，在形成膜層的閃耀面或反閃耀面上方設置遮擋板；旋轉所述靶材架，使第二靶材朝向所述第一離子源，所述第二靶材的材料與所述第一靶材的材料不同；以180度自轉所述承載臺，使未形成膜層的閃耀面或反閃耀面朝向第二靶材；在未形成膜層的反閃耀面沉積形成第二膜層，或者在未形成膜層的閃耀面沉積形成第一膜層。
10.如權利要求3所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述半導體結構的法線與水平線之間的夾角的預設范圍為0度至180度。
11.如權利要求10所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述閃耀面和反閃耀面的雙面形成膜層，所述第一膜層和第二膜層的材料相同，包括：
12.如權利要求11所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，使用第一離子源轟擊朝向所述第一離子源的第一靶材的同時，還包括：使用第二離子源生成第二離子束輔助所述第一膜層在所述閃耀面形成，使用第二離子源輔助所述第二膜層在所述反閃耀面形成。
13.如權利要求11所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一膜層和第二膜層的厚度不相同，包括：調節所述半導體結構的法線與水平線之間的夾角，使所述膜層在所述閃耀面和反閃耀面的沉積速率不同，形成厚度不同的第一膜層和第二膜層。
14.如權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一離子源生成的第一離子束包括：轟擊型離子束或反應型離子束；所述轟擊型離子束包括he、ne、ar、kr和xe中的任一種或多種惰性氣體形成的離子束；所述反應型離子束包括反應氣體與he、ne、ar、kr和xe中的一種或多種惰性氣體形成的離子束，所述反應氣體包括氧氣、笑氣和氮氣中的一種或多種的組合。
15.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述閃耀面與襯底表面之間構成所述三角形的第一夾角，所述反閃耀面與襯底表面之間構成所述三角形的第二夾角，所述第一夾角小于所述第二夾角。
16.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一膜層包括增透膜或增反膜，所述第二膜層包括增透膜或增反膜；所述增透膜的材料包括氧化鈦、氮化鈦、氧化鉭或氧化鋁；所述增反膜的材料包括鋁、銀金或銅。
17.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述光柵結構的材料包括有機材料和無機物顆粒的混合材料，所述無機物顆粒包括氧化鈦。
18.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述閃耀面和反閃耀面的單面或雙面形成膜層的工藝溫度范圍為：小于80攝氏度。
19.一種半導體結構，其特征在于，包括：
20.如權利要求19所述的半導體結構，其特征在于，所述第一膜層位于閃耀面表面，且所述第二膜層位于反閃耀面表面，所述第一膜層和第二膜層的材料相同。
21.如權利要求20所述的半導體結構，其特征在于，所述第一膜層和第二膜層的厚度不相同。
22.如權利要求19所述的半導體結構，其特征在于，所述第一膜層位于閃耀面表面，且所述第二膜層位于反閃耀面表面，所述第一膜層和第二膜層的材料不相同。
23.如權利要求19所述的半導體結構，其特征在于，所述閃耀面與襯底表面之間構成所述三角形的第一夾角，所述反閃耀面與襯底表面之間構成所述三角形的第二夾角，所述第一夾角小于所述第二夾角。
24.如權利要求19所述的半導體結構，其特征在于，所述第一膜層包括增透膜或增反膜，所述第二膜層包括增透膜或增反膜；所述增透膜的材料包括氧化鈦、氮化鈦、氧化鉭或氧化鋁；所述增反膜的材料包括鋁、銀金或銅。
25.如權利要求19所述的半導體結構，其特征在于，所述光柵結構的材料包括有機材料和無機物顆粒的混合材料，所述無機物顆粒包括氧化鈦。