本技術涉及集成電路制造工藝領域，特別是涉及一種晶圓對準處理方法、裝置、電子設備和系統。

背景技術：

1、光刻機對準是獲得良好曝光圖形的關鍵步驟，對準條件需要滿足設定的考核條件才能進行曝光。在工藝工過程中，對準條件并不能適用于所有的晶圓，使得晶圓對準失敗，進而導致晶圓無法曝光。目前對于異常的晶圓(即對準失敗的晶圓)，直接采取返工處理，去除異常晶圓上的光刻膠，分析對準失敗的原因，然后重新涂膠并嘗試新的對準條件。在去除光刻膠的過程中會對晶圓基體造成不同程度的損傷，對晶圓良率是潛在的風險，同時也增加了光刻膠的損耗。

2、因此，如何解決上述技術問題應是本領域技術人員重點關注的。

技術實現思路

1、本技術的目的是提供一種晶圓對準處理方法、裝置、電子設備和系統，以減少對晶圓的損傷和光刻膠損耗，提升對準失敗晶圓的處理效率。

2、為解決上述技術問題，本技術提供一種晶圓對準處理方法，包括：

3、獲得對準條件數據庫；所述對準條件數據庫包括滿足預設考核條件的目標對準條件；

4、判斷利用所述目標對準條件對待對準晶圓進行對準是否滿足預設對準條件；

5、若滿足所述預設對準條件，則調用所述目標對準條件對待對準晶圓進行對準；

6、若不滿足所述預設對準條件，則調用其它對準條件對所述待對準晶圓進行對準，以滿足所述預設對準條件。

7、可選的，所述對準條件數據庫包括至少兩個所述目標對準條件，以及與所述目標對準條件對應的考核分數；

8、判斷利用所述目標對準條件對待對準晶圓進行對準是否滿足預設對準條件；若滿足所述預設對準條件，則調用所述目標對準條件對待對準晶圓進行對準；若不滿足所述預設對準條件，則調用其它對準條件對所述待對準晶圓進行對準，以滿足所述預設對準條件包括：

9、判斷利用第一目標對準條件對待對準晶圓進行對準是否滿足所述預設對準條件；所述第一目標對準條件為所述考核分數最高的目標對準條件；

10、若利用第一目標對準條件對待對準晶圓進行對準滿足所述預設對準條件，則調用第一目標對準條件對待對準晶圓進行對準；

11、若利用第一目標對準條件對待對準晶圓進行對準不滿足所述預設對準條件，則判斷利用第二目標對準條件對待對準晶圓進行對準是否滿足所述預設對準條件；所述第二目標對準條件為所述考核分數第二高的目標對準條件；

12、若利用第二目標對準條件對待對準晶圓進行對準滿足所述預設對準條件，則調用第二目標對準條件對待對準晶圓進行對準；

13、若利用第二目標對準條件對待對準晶圓進行對準不滿足所述預設對準條件，則執行調用其它對準條件對所述待對準晶圓進行對準，以滿足所述預設對準條件的步驟。

14、可選的，對待對準晶圓進行對準之后，還包括：

15、當對所述待對準晶圓進行曝光后，獲取所述待對準晶圓的套刻誤差；

16、判斷所述套刻誤差是否處于預設誤差范圍；

17、若所述套刻誤差不在所述預設誤差范圍，則確定所述套刻誤差不在所述預設誤差范圍內的影響因素。

18、可選的，獲得對準條件數據庫包括：

19、對對準失敗的晶圓進行評估，確定多個對準條件；每個所述對準條件包括光源和對準標識的組合；

20、獲取每個對準條件對應的對準考核數據；

21、判斷所述對準考核數據是否滿足預設考核條件；

22、若所述對準考核數據滿足所述預設考核條件，則確定所述對準條件對應的考核分數；

23、將所有滿足所述預設考核條件的所述對準條件以及所述考核分數建立形成對準數據庫；

24、若所述對準考核數據不滿足所述預設考核條件，則刪除對應的所述對準條件。

25、可選的，所述對準考核數據包括多重相關性系數、晶圓對準標識信號強度、對準標識信號偏差中的任一種或者任意組合；

26、判斷所述對準考核數據是否滿足預設考核條件包括：

27、判斷所述對準考核數據中的每一項參數是否分別滿足對應的預設考核條件；

28、若所述對準考核數據滿足所述預設考核條件，則確定所述對準條件對應的考核分數包括：

29、若每一項參數均滿足對應的預設考核條件，則確定所述對準條件對應的考核分數。

30、可選的，所述調用其它對準條件對所述待對準晶圓進行對準，以滿足所述預設對準條件包括：

31、對所述待對準晶圓進行評估，為所述待對準晶圓確定定制對準條件；

32、調用所述定制對準條件對所述待對準晶圓進行對準，以滿足所述預設對準條件。

33、可選的，判斷利用所述目標對準條件對待對準晶圓進行對準是否滿足預設對準條件包括：

34、利用所述目標對準條件分別與所述待對準晶圓上的標識進行對準；

35、確定通過所述目標對準條件可以對準的標識的數量；

36、判斷所述數量是否達到預設數量閾值；

37、若滿足所述預設對準條件，則調用所述目標對準條件對待對準晶圓進行對準包括：

38、若所述數量達到所述預設數量閾值，則調用所述目標對準條件對待對準晶圓進行對準；

39、若不滿足所述預設對準條件，則調用其它對準條件對所述待對準晶圓進行對準，以滿足所述預設對準條件包括：

40、若所述數量未達到所述預設數量閾值，則調用其它對準條件對所述待對準晶圓進行對準，以滿足所述預設對準條件。

41、本技術還提供一種晶圓對準處理裝置，包括：

42、獲得模塊，用于獲得對準條件數據庫；所述對準條件數據庫包括滿足預設考核條件的目標對準條件；

43、第一判斷模塊，用于判斷利用所述目標對準條件對待對準晶圓進行對準是否滿足預設對準條件；

44、第一對準模塊，用于若滿足所述預設對準條件，則調用所述目標對準條件對待對準晶圓進行對準；

45、第二對準模塊，用于若不滿足所述預設對準條件，則調用其它對準條件對所述待對準晶圓進行對準，以滿足所述預設對準條件。

46、本技術還提供一種電子設備，包括：

47、存儲器，用于存儲計算機程序；

48、處理器，用于執行所述計算機程序時實現上述任一種所述晶圓對準處理方法的步驟。

49、本技術還提供一種晶圓對準處理系統，包括：

50、上述所述的電子設備；

51、與所述電子設備連接的光刻機。

52、本技術所提供的一種晶圓對準處理方法，包括：獲得對準條件數據庫；所述對準條件數據庫包括滿足預設考核條件的目標對準條件；判斷利用所述目標對準條件對待對準晶圓進行對準是否滿足預設對準條件；若滿足所述預設對準條件，則調用所述目標對準條件對待對準晶圓進行對準；若不滿足所述預設對準條件，則調用其它對準條件對所述待對準晶圓進行對準，以滿足所述預設對準條件。

53、可見，本技術中預先獲得滿足預設考核條件的目標對準條件，對于待對準晶圓，使用目標對準條件進行對準并判斷是否滿足預設對準條件，若滿足，則調用該目標對準條件進行對準處理，若不滿足，則調用其他對準條件進行對準處理。該方法可以實現自動調用對準條件對待對準晶圓進行對準，提高晶圓對準效率；并且，避免對工藝時效內的對準異常晶圓返工，減少對晶圓基體造成損傷，提升晶圓良率，同時減少光刻膠損耗。

54、此外，本技術還提供一種具有上述優點的裝置、電子設備和系統。