專利名稱：等離子顯示屏的介質保護膜及其制作方法和含有其的等離子顯示屏的制作方法
技術領域：
本發明涉及氣體放電技術領域，具體而言涉及一種等離子顯示屏的介質保護膜及其制作方法和含有其的等離子顯示屏。
背景技術：
等離子體顯示器是一種利用氣體放電產生紫外線，進而激發熒光粉發出可見光而顯像的一種顯示器。等離子顯示屏是實現放電發光的主要結構，其由前后兩個基板組成。 在前基板上，設置有橫向維持電極和掃描電極、以及之上的介質層和介質保護膜；在后基板上，設置有縱向的尋址電極和障壁結構，放電發生在前后基板及障壁所組成的空間內。等離子顯示屏的放電性能決定著等離子顯示屏的亮度、光效、功耗等指標，而提高放電性能的主要手段是提高等離子顯示屏介質保護膜的性能。
當前，等離子體顯示屏介質保護膜最為成熟的材料為MgO，其具有耐濺射性能優良、電阻率高、二次電子發射系數高、高可見光透過率等特點。該介質保護膜能夠有效保護前基板的電極和介質層、延長等離子顯示屏的使用壽命、存儲壁電荷、發揮內存效果、降低電壓、限制放電電流，從而改善等離子顯示屏的放電性能。
通常評價作為保護膜的氧化鎂層，其結晶性與晶粒大小是關鍵的指標，結晶性越好，晶粒越大，其發射二次電子的能力及抗離子濺射的能力就越強，使用其的等離子顯示屏的放電電壓越低。但是現有技術得到的氧化鎂層的結晶度以及晶粒都存在一定缺陷，不能滿足等離子顯示屏對放電電壓越來越高的要求，因此，亟需一種高結晶度大晶粒的氧化鎂層作為介質保護膜。發明內容
本發明旨在提供等離子顯示屏的介質保護膜，以解決現有技術中介質保護膜的結晶度低、晶粒小導致等離子顯示屏的放電電壓高的問題。
根據本發明的一個方面，提供了一種等離子顯示屏介質保護膜的制作方法，包括以下步驟1)在介質層上形成晶種層；幻在晶種層上形成介質保護膜。
進一步地，上述形成晶種層的方法包括將晶種通過漿料涂布、噴涂、靜電吸附、物理摩擦或化學反應生成形成在介質層上。
進一步地，上述形成介質保護膜的方法是將介質保護膜材料通過真空沉積法形成在晶種層上。
進一步地，上述晶種包括MgO單晶顆粒；摻雜型MgO晶體，其中，摻雜元素包括 Ca、Zn、Si、SC、Ti和Ni中的一種或多種，摻雜型MgO晶體為物理混合物、固溶體或合金；或者選自由碳納米管、ZnO、BeO, CaO、SrO, BaO, La205、LaB6、Mo和W組成的組中的任意一種或多種。
進一步地，上述真空沉積法包括電子束蒸鍍法、離子鍍法、濺射法和化學氣相沉積法。
進一步地，上述晶種的粒徑為5 lOOOnm，晶種層的厚度為10 lOOOnm，覆蓋度為 0. 1 100%。
進一步地，上述介質保護膜的厚度為50 lOOOnm。
根據本發明的另一方面，還提供了一種等離子顯示屏的介質保護膜，介質保護膜通過上述制作方法得到。
根據本發明的又一方面，還提供了一種等離子顯示屏，包括前基板、PDP放電電極和后基板，前基板包含上述介質保護膜。
本發明達到的技術效果根據本發明的制作方法工藝過程簡單，按照現有設備即可實施，而且，得到的介質保護膜的晶粒較大、結晶度更高，含有其的等離子顯示屏具有更低的放電電壓。
除了上面所描述的目的、特征和優點之外，本發明還有其它的目的、特征和優點。 下面將參照圖和具體實施方式
對本發明作進一步詳細的說明。


說明書附圖用來提供對本發明的進一步理解，構成本發明的一部分，本發明的示意性實施例及其說明用于解釋本發明，并不構成對本發明的不當限定。在附圖中
圖1示出了根據本發明實施例1-5和對比例1的等離子顯示屏的最小著火電壓與老練時間的關系曲線圖2示出了根據本發明實施例1-5和對比例1的等離子顯示屏的最大滅火電壓與老練時間的關系曲線圖。
具體實施方式
下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明的實施例中的技術方案進行詳細的說明，但如下實施例以及附圖僅是用以理解本發明，而不能限制本發明，本發明可以由權利要求限定和覆蓋的多種不同方式實施。
在本發明的一種典型的實施方式中，提供了一種等離子顯示屏介質保護膜的制作方法，包括以下步驟1)在介質層上形成晶種層；幻在晶種層上形成介質保護膜。這種保護膜的制作方法在介質層上布置晶種，形成晶種層，介質保護膜的材料在晶種的引發下可以形成結晶度較高的介質保護膜。
優選地，形成晶種層的方法包括將晶種通過漿料涂布、噴涂、靜電吸附、物理摩擦或化學反應生成等方式布置在介質層上。利用現有設備就可以將晶種布置在介質層，這就使得整個工藝過程操作簡單，可實現性高，而且晶種均勻分布在介質層上，充分發揮晶種的引發作用使介質保護膜均勻生長。
優選地，布置介質保護膜的方法是將介質保護膜材料通過真空沉積法形成在晶種層上。真空沉積法形成的晶種層缺陷密度低，化學穩定性好。優選地，可用于本發明的真空沉積法包括并不限于電子束蒸鍍法、離子束蒸鍍法、濺射法和化學氣相沉積法。
本發明晶種層的晶種主要作用是引發介質保護膜的形成，因此一般選用能夠引發介質保護膜材料結晶的物質，而且，如果晶種結構與介質保護膜材料結構相同或相似，得到的介質保護膜的表面平整度以及結晶度都較好，因此可用于本發明的晶種包括但不限于 MgO單晶顆粒；摻雜其他元素的摻雜型MgO晶體，其中，可摻雜的元素包括Ca、Zn、Si、Sc、T i 和Ni，摻雜型MgO晶體可以是物理混合物、固溶體或者合金；本發明提供的晶體還可以選自碳納米管、ZnO, BeO, CaO, SrO, BaO, La2O5, LaB6, Mo和W組成的組中的任意一種或多種。
可用于本發明的真空沉積法包括但不限于電子束蒸鍍法、離子束蒸鍍法、濺射法和化學氣相沉積法。以上幾種方法為鍍膜領域中常規的實現方法，使得本發明易于在原有設備上實現。
本發明晶種的粒徑為5 lOOOnm，晶種層的厚度為10 lOOOnm，覆蓋度為0. 1 100%。因為粒徑和結晶度是評價介質保護膜的關鍵指標，晶粒越大，結晶性越好，介質保護膜發射二次電子的能力及抗離子濺射的能力就越強，因此在形成晶種層時，選擇粒徑為 5 lOOOnm，粒徑足夠大；而且，晶種層的厚度若小于lOnm，晶種層太薄不足以引發介質保護膜材料形成均勻的介質保護膜，然而當晶種層厚度大于IOOOnm時，晶種層太厚，影響所形成的等離子顯示屏的光效；晶種層的覆蓋度在0. 1 100%之間都可以實現晶種的引發作用，只是隨著晶種層覆蓋度的增大由此引發得到的介質保護膜的結晶度越高。本發明介質保護膜的厚度為50 lOOOnm。在晶種的引發下形成的介質保護膜不僅結晶度高，而且其厚度可以控制在50 IOOOnm之間，既可以起到保護介質的作用，又不影響可見光透過率。
在本發明的另一種典型的實施方式中，還提供了一種等離子顯示屏的介質保護膜，介質保護膜通過上述制作方法得到。通過本發明的方法得到的介質保護膜，保護膜的結晶度價高，晶粒較大，發射二次電子的能力及抗離子濺射的能力較強。
在本發明的又一種典型的實施方式中，，還提供了一種等離子顯示屏，包括前基板、PDP放電電極和后基板，前基板包含上述介質保護膜。通過本發明得到的等離子顯示屏由于含有本發明的介質保護膜具有較低的放電電壓。
以下將結合實施例1-5和對比例1，進一步說明采用本發明的有益效果。
實施例1
晶種層的晶種采用MgO單晶顆粒，粒徑為900士 lOOnm，介質保護膜的的材料也采用單晶MgO顆粒。
制作前基板將MgO單晶顆粒噴涂在等離子顯示屏前基板的介質層上，晶種層的厚度為900士 lOOnm，在介質層上的覆蓋度為50 %，然后在晶種層上采用電子束蒸鍍法制備介質保護膜，介質保護膜的厚度為900 士 lOOnm。
制作后基板，將前基板和后基板對合封接在一起，得到等離子顯示屏1。
實施例2
晶種層的晶種采用&ι0，粒徑為400士 lOOnm，介質保護膜的的材料采用CaMgO。
制作前基板將ZnO漿料涂布在等離子顯示屏前基板的介質層上，晶種層的厚度為500士 lOOnm，在介質層上的覆蓋度為1 %，然后在晶種層上采用離子束蒸鍍法制備介質保護膜，介質保護膜的厚度為600 士 lOOnm。
制作后基板，將前基板和后基板對合封接在一起，得到等離子顯示屏2。
實施例3
晶種層的晶種采用BaMgO合金顆粒，粒徑為150士 lOOnm，介質保護膜的的材料采用TiMgO合金顆粒。
制作前基板將BaMgO合金顆粒物理摩擦在等離子顯示屏前基板的介質層上，晶種層的厚度為150士 lOOnm，在介質層上的覆蓋度為100%，然后在晶種層上采用化學氣相沉積法制備介質保護膜，介質保護膜的厚度為200士 lOOnm。
制作后基板，將前基板和后基板對合封接在一起，得到等離子顯示屏3。
實施例4
晶種層的晶種采用Lii2O5，粒徑為500士 lOOnm，介質保護膜的的材料采用SiMgO合金顆粒。
制作前基板將La2O5靜電吸附在等離子顯示屏前基板的介質層上，晶種層的厚度為600 士 lOOnm，在介質層上的覆蓋度為30%，然后在晶種層上采用電子束蒸鍍法制備介質保護膜，介質保護膜的厚度為800士 lOOnm。
制作后基板，將前基板和后基板對合封接在一起，得到等離子顯示屏4。
實施例5
晶種層的晶種采用碳納米管，粒徑為5 50nm，介質保護膜的的材料采用MMgO合金顆粒。
制作前基板將碳納米管化學反應在等離子顯示屏前基板的介質層上，晶種層的厚度為10 lOOnm，在介質層上的覆蓋度為70%，然后在晶種層上采用電子束蒸鍍法制備介質保護膜，介質保護膜的厚度為800 士 lOOnm。
制作后基板，將前基板和后基板對合封接在一起，得到等離子顯示屏5。
對比例1
制作前基板在依次制作有維持電極和掃描-維持電極、透明介質層的基板上沉積MgO膜，作為介質保護膜。
制作后基板，將前基板和后基板對合封接在一起，得到對比例1等離子顯示屏。
對上述實施例1-5的等離子顯示屏和對比例1的等離子顯示屏進行老練，測試他們的著火電壓和滅火電壓，測試結果見附圖1和附圖2。
由附圖1和附圖2可以看出，采用實施例1-5的等離子顯示屏比對比例1的等離子顯示屏具有較低的放電電壓。
以上所述僅為本發明的優選實施例而已，并不用于限制本發明，對于本領域的技術人員來說，本發明可以有各種更改和變化。凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。
權利要求
1.一種等離子顯示屏介質保護膜的制作方法，其特征在于，包括以下步驟1)在介質層上形成晶種層；2)在所述晶種層上形成所述介質保護膜。
2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述形成晶種層的方法包括將晶種通過漿料涂布、噴涂、靜電吸附、物理摩擦或化學反應生成的方式布置在所述介質層上。
3.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述形成介質保護膜的方法是將介質保護膜材料通過真空沉積法形成在所述晶種層上。
4.根據權利要求1-3任一項所述的制作方法，其特征在于，所述晶種包括MgO單晶顆粒；或者摻雜型MgO晶體，其中，摻雜元素包括Ca、Zn、Si、SC、Ti和Ni中的一種或多種，所述摻雜型MgO晶體為物理混合物、固溶體或合金；或者選自由碳納米管、ZnO, BeO, CaO, SrO, BaO, La2O5, LaB6, Mo和W組成的組中的任意一種或多種。
5.根據權利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述真空沉積法包括電子束蒸鍍法、離子鍍法、濺射法和化學氣相沉積法。
6.根據權利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述晶種的粒徑為5 lOOOnm，所述晶種層的厚度為10 lOOOnm，覆蓋度為0. 1 100%。
7.根據權利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述介質保護膜的厚度為50 lOOOnm。
8.一種等離子顯示屏的介質保護膜，其特征在于，所述介質保護膜通過權利要求1-7 任一項所述的制作方法制作而成。
9.一種等離子顯示屏，包括前基板、PDP放電電極和后基板，其特征在于，所述前基板包含權利要求8所述的介質保護膜。
全文摘要
本發明提供了一種等離子顯示屏的介質保護膜及其制作方法和含有其的等離子顯示屏。該制作方法包括以下步驟1)在介質層上布置晶種層；2)在晶種層上形成介質保護膜。根據本發明的制作方法工藝過程簡單，采用現有設備即可實施，而且，得到的介質保護膜的晶粒較大、結晶度更高，含有其的等離子顯示屏具有更低的放電電壓。
文檔編號H01J11/40GK102522296SQ201110455920
公開日2012年6月27日 申請日期2011年12月30日 優先權日2011年12月30日
發明者羅向輝, 邢芳麗 申請人:四川虹歐顯示器件有限公司