專利名稱：照明裝置的制作方法
技術領域：
本發明的實施方式大致涉及一種照明裝置。
背景技術：
已有如下的照明裝置，該照明裝置包括發光二極管等發光元件、與含有熒光體的波長轉換部。根據該照明裝置，期待與以往的使用了燈絲(filament)的燈泡或熒光燈等相比較，可使消耗電力減少，還可使壽命延長。

發明內容
本發明的實施方式的照明裝置包括:光源，具有發光元件；以及構件，被從所述光源放出的光照射，且包含如下的樹脂，所述樹脂在比從所述光源放出的藍色光的光譜的強度峰值更靠短波長側，在強度為峰值強度的10%的波長下的吸收率是15%以下。發明的效果根據本發明的實施方式，可提供可靠性已提高的照明裝置。


圖1是對本實施方式的照明裝置進行例示的模式立體圖。
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圖2是圖1所示的照明裝置10的部分模式剖面圖。圖3是本發明的實施方式的反射部114中所使用的樹脂的吸收光譜圖。圖4是比較例的反射部114中所使用的樹脂的吸收光譜圖。圖5是表示比較例的照明裝置的點燈測試后的反射部114的外觀的照片。圖6是表示比較例的照明裝置的點燈測試后的光源200的外觀的照片。圖7是圖6所示的剝離片400的局部放大照片。圖8 (a) 圖8 (d)是圖6及圖7所示的剝離片400的局部放大SEM (ScanningElectron Microscope)照片。圖9(a) 圖9(d)是表示電極墊與波長轉換層的界面的組成分析的結果的曲線圖。圖10是對反射部或電極墊等的劣化的機理進行例示的概念圖。圖11是其他實施方式的照明裝置的剖面圖。圖12是其他實施方式的照明裝置的立體分解圖。圖13(a)及圖13(b)是其他實施方式的照明裝置的局部放大立體圖。圖14是本發明的另一實施方式的照明裝置的模式剖面圖。
圖15是本發明的另一實施方式的照明裝置的模式剖面圖。圖16是本發明的另一實施方式的照明裝置的模式剖面圖。圖17(a)是另一實施方式的照明裝置的俯視圖，圖17 (b)是圖17(a)中的A-A'線方向的部分剖面圖。附圖標記:8、38、60、238:框體9:散熱體10、50:照明裝置11:基板支撐面12、52:本體部14、114:反射部14a:凹部14b、114b:反射面16:透明外罩17:安裝 彈簧安裝部18:側壁部20、62、200:光源21:散熱鰭片22:支撐基板24、224:絕緣層26、226:安裝墊28、228:電極墊30、230:發光元件32:金屬導線/導線34,234:導線35、46:電纜36、236:波長轉換層40:光源41:基板42:發光二極管(LED)元件51:反射板53:導光孔54:燈頭部56:外罩58:電源基板61:筒部63:下端部64:連接構件66:配線
70:擴散抑制層80、82:濾光器83:安裝彈簧91:安裝板92:接線板300、302:箭頭400:剝離片A-A':線方向AS、CS:吸收光譜ES:發光光譜/光譜L:光P。:峰值強度P1:強度R-Br:有機物λ 1:波長
具體實施例方式根據本發明的實施方式，照明裝置包括:光源，具有發光元件；以及構件，被從所述光源放出的光照射，且包含如下的樹脂，該樹脂在比從所述光源放出的藍色光的光譜的強度峰值更靠短波長側，在強度為峰值強度的10%的波長下的吸收率是15%以下。以下，一面參照附圖，一面對實施方式進行說明。再者，在各附圖中，對相同的構成要素附上相同的符號，且適當地將詳細的說明予以省略。圖1是對本實施方式的照明裝置進行例示的模式立體圖。S卩，圖1是從光出射面來對照明裝置10進行觀察所見的立體圖。照明裝置10包括:本體部12、反射部14、以及光源20。反射部14收容在框狀的本體部12中。在反射部14中設置有多個凹部14a。在這些凹部14a中分別設置有光源20。再者，圖1所示的照明裝置僅為一例，也可僅設置一個凹部14a及一個光源20。圖2是圖1所示的照明裝置10的部分模式剖面圖。g卩，圖2是照明裝置10的反射部14的一個凹部14a附近的縱剖面圖。在反射部14上設置有透明外罩16。再者，圖1表示已將透明外罩16拆除的狀態。反射部14或透明外罩16可由樹脂形成。而且，在本實施方式中，當使用樹脂作為所述反射部14或透明外罩16等來自光源20的光所照射的部分的材料時，使用如下的樹月旨，該樹脂在規定的波長范圍中的光的吸收率為規定值以下。關于該點，將在后文中詳述。在反射部14的凹部14a的下方設置有光源20。該光源20包括:金屬性的支撐基板22、與將該支撐基板22的表面予以包覆的絕緣層24。在絕緣層24上分別形成有安裝墊26與電極墊28。在安裝墊26上安裝有多個發光元件30。這些發光元件30藉此金屬導線32例如串聯地連接，且藉此導線34而連接于兩側的電極墊28。使電流流入至所述一對電極墊28之間，藉此，可使發光元件30發光。

例如可使用發光二極管(Light Emitting Diode,LED)作為發光元件30。若使用例如氮化鎵(GaN)系化合物半導體作為活性層的材料,則會獲得波長為500納米(nanometer)以下的短波長光。然而，活性層的材料并不限于氮化鎵系化合物半導體。另外，除了發光二極管之外，例如可使用有機發光二極管(Organic LightEmitting Diode, OLED)、或無機電致發光(Inorganic ElectroLuminescence)發光兀件、有機電致發光(Organic ElectroLuminescence)發光元件、或者其他電場發光型的發光元件等作為發光元件30。在安裝墊26或電極墊28的表面，設置有銀(Ag)或包含銀的合金。銀相對于藍色光等短波長具有高反射率。因此，藉此在安裝墊26或電極墊28的表面設置銀或銀合金，可以高反射率來對從發光元件30放出的光進行反射，使該光射出至外部。發光元件30或導線32、34由波長轉換層36覆蓋。波長轉換層36例如具有如下的構造，即，在樹脂中分散有熒光體。波長轉換層36由框體38包圍，該框體38形成在該波長轉換層36的周圍。例如可使用硅酮系的樹脂作為構成波長轉換層36的樹脂。另外，例如也可使用硅酮系的樹脂作為框體38的材料。若使用硅酮系的樹脂，則即使當從發光元件30放出藍色光或紫外光等短波長的光時，也可抑制劣化。波長轉換層36中所含的熒光體將從發光元件30放出的光予以吸收，接著放出不同波長的光。例如當從發光元件30放出例如波長為450納米 500納米的藍色光時，可藉此熒光體來將藍色光轉換成黃色光。因此，若將從發光元件30放出的藍色光的一部分轉換成黃色光，使該黃色光與未經轉換且放出至外部的藍色光混合，則會獲得白色光。然而，從本實施方式的照明裝置射出的光并不限定于白色光。·如此，從光源20放出的白色光等光可從反射部14的凹部14a經由透明外罩16，射出至外部。另外，從光源20向傾斜方向放出的光可由反射面14b反射，接著經由透明外罩16而射出至外部，所述反射面14b是反射部14的凹部14a的內壁面。圖3是對本實施方式的照明裝置的反射部14中所使用的樹脂的吸收光譜進行例示的曲線圖。在圖3中，橫軸表示波長(納米)，縱軸表示吸收率(% )。此處，還與樹脂的吸收光譜AS —起表示了從光源20放出的光的發光光譜ES。再者，發光光譜ES的縱軸為任意單位。此處，實際測定的是反射率，在反射率+吸收率+透射率=I的關系式中，將透射率設為0，根據測定出的反射率來對吸收率進行計算。另外，使用液晶聚合物(Liquid Crystal Polymer,LCP)作為樹脂。若對該樹脂的吸收光譜AS進行觀察，則在長波長側，吸收率低，但在比波長400納米左右更靠短波長的區域中，吸收率急劇地上升。另一方面，若對光源20的發光光譜ES進行觀察，則在波長為450納米左右時，存在藍色光的峰值，在波長為560納米左右時，存在黃色光的寬闊的峰值。在比發光光譜ES的藍色光的強度峰值更靠短波長側的波長λ i處，強度P1下降至峰值強度Ptl的10%為止。若對樹脂的吸收光譜AS進行觀察，則波長X1的吸收率為15%。即，測定出波長X1的樹脂的反射率為85%，根據所述關系式，計算出吸收率為15%。在本實施方式中，以所述方式使用如下的樹脂，該樹脂在波長λ i處的吸收率為15%或15%以下(反射率為85%或85%以上)，在波長λ i處，從光源20放出的藍色光的強度下降至峰值的10%。S卩，在本實施方式中，當使用樹脂作為被來自光源20的光直接或間接地照射的部分的材料時，使用滿足以下條件的樹脂。即，使用如下的樹脂，該樹脂在比從光源20放出的藍色光的光譜的強度峰值更靠短波長側，在強度為峰值強度的10%的波長下的吸收率是15%以下(反射率為85%以上)。圖4是表示比較例的照明裝置的反射部中所使用的樹脂的吸收光譜AS的曲線圖。另外，圖4中還一并表示了從光源放出的光的光譜ES。另外，圖4中還表示了蒸鍍有鋁的樹脂的吸收光譜CS。此處，使用不被光照射且受到加熱保持的含有溴的PBT作為樹脂。在本比較例中 ，在比從光源放出的藍色光的光譜的強度峰值更靠短波長側，在強度為峰值強度的10%的短波長側的吸收率是20%左右。而且，若對作為參考例的蒸鍍有鋁的樹脂的吸收光譜CS進行觀察，則在比波長440納米更靠長波長側，吸收率高于初始狀態的含溴PBT的吸收率，但440納米以下的波長中，吸收率并未劇增，且在短波長側也具有低吸收率。根據圖3及圖4，已知本實施方式中的樹脂在短波長側的吸收率為15%，該短波長側的從光源放出的藍色光的強度為峰值強度的10%，但在比較例中，所述吸收率高于15%。若照明裝置中所使用的樹脂將從光源放出的短波長的光予以吸收，則有可能會分解或變質。而且，若樹脂分解或變質，則該樹脂的反射率有可能會下降，或雜質有可能脫離該樹脂而對照明裝置的零件產生影響。因此，為了防止樹脂由初始狀態發生劣化，必須使對于從光源放出的光的吸收率盡可能地下降。本發明人發現藉此將短波長側的樹脂的吸收率設為15%以下，可抑制樹脂的劣化，所述短波長側的從光源放出的藍色光的強度為峰值強度的10%。藉此，可使照明裝置的可靠性提高。作為可使用于本實施方式的樹脂的具體例，例如可列舉:液晶聚合物(Liquid Crystal Polymer, LCP)、聚醚酸亞胺(polyetherimide, PEI)、聚醚醚酮(polyetheretherketone, PEEK)、聚苯醚(Polyphenyleneether, PPE)、聚苯醚(Polyphenyleneoxide, ΡΡ0)、聚對苯二甲酸丁二醇酯(Poly Buthylene Terephthalate,PBT)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(Poly Ethylene Terephthalate, PET)、聚酸胺(Polyamide,PA)、聚鄰苯二甲酰胺(Polyphthal amide,PPA)、聚芳酯(Polyarylate,PAR)、以及聚碳酸酯(Polycarbonate, PC)等。另外，也可使用含有50重量％以上的所述樹脂的復合樹脂。若使用復合樹脂，則易于對耐熱性或耐燃性進行設計。對組成或添加物的種類或量進行調節，藉此，可對所述樹脂在短波長區域中的吸收率進行控制。即，藉此對所述樹脂的組成或添加物進行調節，可將短波長側的樹脂的吸收率設為15%以下，該短波長側的從光源放出的藍色光的強度為峰值強度的10%。本發明人使用反射部14來制作照明裝置，該反射部14由具有圖3所示的吸收光譜AS的樹脂形成。另外，作為比較例，藉此圖4所示的添加有溴(Br)的PBT來形成如下的照明裝置的反射部，該照明裝置具有與圖1及圖2所示的照明裝置相同的構造。接著，以57瓦的輸出，分別對所述本實施方式與比較例的照明裝置實施點燈測試。比較例的照明裝置在點燈測試開始后，照度逐漸下降，大概在4000小時達到非點燈狀態。另一方面，本實施方式的照明裝置即使在經過4000小時后，照度仍無有意義的變化。圖5是表示比較例的照明裝置的點燈測試后的反射部114的外觀的照片。即，圖5表示反射部114的反射面114b的表面。再者,反射面114b對應于圖2的反射面14b。在點燈測試之前，反射面114b為白色，但點燈測試之后的反射面114b發黑，且局部地產生了裂紋。即，已知添加有溴(Br)的PBT的表面已變質。認為由于此種發黑或裂紋，反射面114b的反射率會下降，且照明裝置的照度會下降。接著，圖6是表示比較例的照明裝置的點燈測試后的光源200的外觀的照片。該光源200對應于圖1及圖2所示的光源20。光源200形成在白色的絕緣層224 (對應于絕緣層24)上，在框體238 (對應于框體38)中，設置有被波長轉換層236 (對應于波長轉換層36)密封的發光元件230 (對應于發光元件30)。所述發光元件230安裝在安裝墊226 (對應于安裝墊26)上。另外，在安裝墊226的兩側設置有電極墊228 (對應于電極墊28)，該電極墊228藉此導線而與發光元件230連接。安裝墊226與電極墊228的表面被銀包覆。圖6所示的安裝墊226的左側的端部與右側的部分分別發黑。另外，設置在安裝墊226的上下的電極墊228也發黑。在比較例中，認為由于此種發黑，光的反射率會下降，且照度會下降。仔細地對電極墊228的部分進行檢查之后，已知電極墊228的發黑的表面層已剝離，導線的接合部也已剝離。即，已弄清導線處于斷開狀態，且未點燈。圖6中表示將光源200的左下方的一部分剝離的剝離片400翻過來放置。剝離片400包括:安裝墊226的表面層、電極墊228的表面層、對該電極墊228的表面層的周圍進行密封的波長轉換層236、以及框體238的一部分。如此，安裝墊226或電極墊228的看上去發黑的部分的表面變質，導致容易剝落。圖7是圖6所示的剝離片400的局部放大照片。剝離的電極墊228的表面層黑化，且呈凝聚為粒子狀的外觀。另外，導線234也已從電極墊228的殘留部分(殘留在絕緣層224上的部分)剝離。S卩，已知電極墊228的銀已變質。圖8(a) 圖8(d)是圖6及圖7所示的剝離片400的局部放大電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope, SEM)照片。S卩，圖8(a)表示與電極墊228 —起剝離的導線234的接合部前端。另外，圖8(b)是圖8 (a)的A 部分的放大照片，圖8(c)是圖8 (a)的B部分的放大照片，圖8 (d)是圖8 (a)的C部分的放大照片。導線234的材料為金(Au)，但藉此將該導線234接合于電極墊228的銀層，該導線234的表面變成合金。而且，在剝離的導線234的表面上，仍會看到凝聚的粒子狀的構造。電子探針微量分析(Electron Probe MicroAnalysis, ΕΡΜΑ)分析的結果是，已知所述粒子狀的構造包含銀。g卩，已知在導線234與電極墊228的接合界面上，銀也已變質。圖9(a) 圖9(d)是表示電極墊與波長轉換層的界面的組成分析的結果的曲線圖。此處，如圖6至圖8(a) 圖8(d)所例示的剝離片400那樣，將電極墊的上的波長轉換層剝離，在電極墊的位置，藉此SIMS (Secondary 1n Mass Spectroscopy:二次離子質量分析)來分別對剝離片的表面、與殘留于基板側的電極墊的表面進行組成分析。圖9(a)表示從本發明的實施方式的照明裝置的光源20剝離的波長轉換層36的電極墊28側的表面的組成分析的結果。圖9(b)表示從本發明的實施方式的照明裝置的光源20將波長轉換層36剝離后，殘留于絕緣層24(參照圖2)側的電極墊28的表面的組成分析的結果。圖9(c)表示從比較例的照明裝置的光源20剝離的剝離片400的電極墊28側的表面的組成分析的結果。圖9(d)表示從比較例的照明裝置的光源20將剝離片400剝離后，殘留于絕緣層224 (參照圖6)側的電極墊228的表面的組成分析的結果。對于比較例而言，無論在剝離片400側(圖9(c))還是在絕緣層224側(圖9(d))，在橫軸n/z為450 460的范圍內，觀察到了 Ag2Br3的峰值(peak),另外,在橫軸n/z為640 650的范圍內，觀察到了 Ag3Br4的峰值。另外，分析的結果是還確認了 AgBr的峰值與AgBr2的峰值。相對于此，對于實施方式的照明裝置而言，無論在剝離片側(圖9(a))還是在絕緣層24側(圖9(b))，均為觀察到有意義的峰值。根據所述分析結果，認為對于比較例而言，當進行點燈測試時，溴或包含溴的化合物脫離反射部114，該溴或包含溴的化合物到達電極墊228的表面，與銀發生反應，并形成溴化銀。而且，認為在以所述方式形成溴化銀的過程中，如圖6或圖7等所示，電極墊228或安裝墊226的表面發黑，凝聚為粒子狀而剝離，導線234斷開。另外，認為由于溴或包含溴的化合物脫離反射部114，因此，如圖5所示，反射部114的反射面114b發黑而產生裂紋。圖10是對反射部或電極墊等的劣化的機理進行例示的概念圖。從光源200放出包含短波長成分的光L，該光L的一部分由反射部114的反射面114b反射，接著射出至外部。然而，若反射部114的吸收率不低，則短波長的光會被反射部114吸收。由于短波長的光的能量高，因此會使反射部114的樹脂成分分解、變質。若添加有溴的PBT將短波長的光予以吸收，則該PBT會分解或變質，溴或溴的化合物會脫離反射部114。作為如上所述的分解或變質的結果，在圖10中，表示了如下的情況作為一例，該情況是指包含溴的有機物R-Br脫離反射部114。如箭頭300所示，脫離的有機物R-Br經由波長轉換層236而到達安裝墊226或電極墊228，并與該安裝墊226或電極墊228表面的銀發生反應，從而產生發黑或凝聚、剝離等。另外，作為脫離的R-Br的侵入路徑，例如，如箭頭302所示，還可考慮經由框體238中或下側的界面的路徑。

另外，還考慮到在有機物R-Br到達安裝墊226或電極墊228之前，或到達安裝墊226或電極墊228之后，該有機物R-Br因從發光元件230放出的短波長的光而分解，形成更具有活性的溴離子。再者，在所述具體例中，作為一例，對含有溴的情況進行了說明，但本實施方式并不限定于此。原因在于:溴以外的鹵素、磷及其他各種成分也會與溴同樣地與銀發生反應，從而產生發黑或凝聚、斷線等。根據以上所說明的機理，已知光的照射或溫度的上升會使樹脂分解或變質，結果，鹵素或磷及其他各種成分脫離，并與電極墊或安裝墊的銀發生反應，藉此，使照度下降或產生斷線等。相對于此，在本實施方式中，當在來自光源20的光所照射的部分使用樹脂時，將所述吸收率控制在規定的范圍。再者，有時添加鹵素或磷，以使樹脂的耐燃性提高。而且，對于照明裝置而言，由于光源的溫度上升，因此，樹脂必須具有規定的耐燃性。因此，在本實施方式中，在添加鹵素或磷的同時，對樹脂的組成或其他添加物進行調節，將吸收率控制在規定的范圍，藉此，耐燃性也可達到規定的水平。關于耐燃性，例如較為理想的是使用UL94中的等級為V-1等級以上即V_l、N-Q、5VB、以及5VA中的任一種樹脂。圖11 圖13(a)、圖13(b)是表示本發明的其他實施方式的照明裝置的模式圖。S卩，圖11是本實施方式的照明裝置的剖面圖，圖12是所述照明裝置的立體分解部分，圖13(a)及圖13(b)是 所述照明裝置的局部放大立體圖。本實施方式的照明裝置50是被稱為所謂的“燈泡形”的照明裝置，且可直接使用于以往的使用燈絲式的燈泡的器具。在本體部52的底端設置有燈頭部54，可代替以往的燈泡而旋入設置于照明器具。在本體部52上設置有透明或半透明的外罩56。在本體部52中收容有電源基板58。另外，在本體部52的上端附近固定有安裝基板60，在該安裝基板60上設置有光源62。該光源62對應于圖1及圖2所示的具體例中的光源20，且設置有未圖示的安裝墊或電極墊、發光元件或波長轉換層、及導線等。在安裝基板60上設置有連接構件64。連接構件64例如為連接器(connector)，且將連接于電源基板58的配線66與光源20予以連接。配線66具有利用絕緣體來將導體的芯線予以包覆的構造。在本實施方式中，例如藉此如下的樹脂來形成連接構件64或配線66的包覆層等，所述樹脂在短波長側的吸收率為15%以下，該短波長側的從光源62放出的藍色光的強度為峰值強度的10%。藉此，可防止如下的情況，該情況是指構成連接構件64或配線66的包覆層等的樹脂將短波長的光予以吸收而分解、變質，反射率下降，或樹脂的成分脫離并與設置于光源62的安裝墊或電極墊的銀發生反應，從而產生發黑或凝聚、斷線等。結果，可提供具有高可靠性的照明裝置。再者，連接構件64或配線66的形狀或配置并不限定于圖示的具體例。例如，連接構件64也可為所謂的“接點連接器”，該所謂的“接點連接器”呈框架狀地設置在光源的周圍且經由接點而進行連接。此外，在實施方式中，應由如下的樹脂形成的構件并不限定于反射部、連接構件、以及配線，所述樹脂的吸收率被控制在規定的范圍。即，只要是被從光源放出的光直接或間接地照射的構件即可，例如除了本體部或安裝基板、透明外罩之外，設置于照明裝置的各種構件均符合。圖14 圖16是表示本發明的另一實施方式的照明裝置的模式剖面圖。在圖14所示的照明裝置中，在光源20的周圍形成有擴散抑制層70。擴散抑制層70抑制包含樹脂的反射部14等構件中的由分解、變質產生的鹵素或磷或者它們的化合物(例如圖10所例示的R-Br)或其他樹脂成分擴散至光源20，且侵入至該光源20的內部。藉此，假設即使在照明裝置的內部產生鹵素或磷或者包含鹵素或磷的化合物，也可防止光源20的安裝墊或電極墊等的發黑或凝聚、斷線等。另外，在可使用如下的樹脂的方面有利，該樹脂含有鹵素或磷等，藉此，耐燃性等的特性提高。擴散抑制層70較為理想的是具有如下的材料及構造，S卩，對于從光源20放出的光的透射率高，且可維持某種程度的氣密性。可使用有機材料或無機材料等作為擴散抑制層70的材料。可以將光源20予以覆蓋的方式來涂布液體狀的有機材料或無機材料，接著使該有機材料或無機材料硬化、干燥，從而形成所述擴散抑制層70。還可使用液體玻璃(liquidglass)等作為擴散抑制層70的原料。再者，不一定必須與光源20發生接觸地形成擴散抑制層70。S卩，擴散抑制層70只要將光源20的周圍予以覆蓋，抑制脫離樹脂材料的成分侵入至光源20即可。因此，例如，也可如以下的圖15所說明的濾光器80那樣，一面使該濾光器80與光源20隔開，一面將該濾光器80設置在光源20的周圍。接著，在圖15所示的照明裝置中，在光源20與反射部14之間設置有濾光器80。該濾光器80具有如下的光學特性，該光學特性是指選擇性地將從光源20放出光中的短波長側的光予以吸收。即，濾光器80具有如下的光學特性，該光學特性是指選擇性地將被照明裝置中所使用的樹脂吸收的吸收率變高的波長區域的光予以吸收。例如，當使用具有·圖9 (a) 圖9 (d)所例示的PBT的初始狀態的吸收光譜的樹脂作為照明裝置的構件時，較為理想的是，藉此濾光器80來將比吸收率上升的波長420納米左右更靠短波長側的光予以吸收。如此，可抑制被樹脂吸收的光強度，從而可抑制如圖5所例示的樹脂的發黑或分解、變質、及鹵素或磷或者包含鹵素或磷的化合物的產生等。另外，在可使用如下的樹脂的方面有利，該樹脂添加了鹵素或磷等，從而耐燃性等特性提高。再者，在本實施方式中，也可如圖14所示的擴散抑制層70那樣，以與光源20發生接觸的方式來形成濾光器80。接著，在圖16所示的照明裝置中，在反射部14的表面設置有濾光器82。該濾光器82與圖15所示的濾光器80同樣地，選擇性地將從光源20放出的光中的短波長側的光予以吸收。即，濾光器82具有如下的光學特性，該光學特性是指選擇性地將被照明裝置中所使用的樹脂吸收的吸收率變高的波長區域的光予以吸收。藉此，可獲得與圖15所示的實施方式相同的效果。再者，圖16表示與反射部14的表面發生接觸地設置濾光器82的具體例，但本發明并不限定于此。即，濾光器82只要設置在如反射部14那樣包含樹脂的構件與光源20之間即可。接著，圖17(a)是另一實施方式的照明裝置的俯視圖，圖17(b)對應于圖17(a)中的A-A'線方向的部分剖面圖。本實施方式的照明裝置主要包括:散熱體9、光源40、以及框體8。在散熱體9上設置有多個散熱鰭片21。另外，散熱體9包括筒狀的側壁部18。在側壁部18的外壁上也設置有多個散熱鰭片21。光源40包括:基板41與LED元件42，該LED元件42安裝在基板41上，且被波長轉換層覆蓋。基板41的安裝有LED元件42的安裝面的相反側的背面與散熱體9的基板支撐面11發生接觸。使光的放出面朝向基板41的安裝面的相反側地安裝LED元件42。另外，在基板41的安裝面上還安裝有未圖示的連接器。電纜46連接于該連接器。電纜46連接于圖17(b)所示的接線板92。接線板92安裝于安裝板91，該安裝板91螺固于散熱鰭片21的上端。接線板92通過導出至照明裝置的外方的電纜35，連接于未圖示的外部電源。框體60作為將散熱體9的側壁部18的內表面及下端部予以覆蓋的裝飾框而發揮功能。另外，框體60還具有對從光源40放出的光的配光或遮光進行控制的功能。框體60包括筒部61，該筒部61重疊于散熱體9的側壁部18的內側。筒部61將光源40下方的空間予以包圍。在筒部61的下端，設置有向筒部61的外側彎折的下端部63。下端部63形成為環狀，且遮蓋散熱體9的側壁部18的下端。如圖17(b)所示，在筒部61內側的空間中設置有反射板51。在反射板51中，形成有多個導光孔53作為貫通孔。從導光孔53 面向LED兀件42,將反射板51疊合于光源40的基板41。導光孔53的內壁面作為反射面而發揮功能。另外，在筒部61內側的空間中，將反射板51予以覆蓋地設置有透光外罩54。如圖17(a)所示，在散熱體9的側壁部18的外壁上，設置有多個(例如三個)安裝彈簧安裝部17。作為板彈簧的安裝彈簧83的一端部插入且固定于各個安裝彈簧安裝部17。接著，本實施方式的照明裝置利用三個安裝彈簧83的彈性，安裝于天花板中所設置的嵌入孔。即，本實施方式的照明裝置是筒燈(down light)型的照明裝置。雖已對若干實施方式進行了說明，但這些實施方式是作為例子而被提出的實施方式，并無對本發明的范圍進行限定的意圖。實際上能夠以各種其他形式來實施本文所述的實施方式；而且，在不脫離本發明的宗旨的條件下，可對本文所述實施方式在形式上進行各種省略、替換以及變更。隨附權利要求書及其等效內容旨在涵蓋仍屬于本發明的范圍及宗旨內的這些形式或潤飾。
權利要求
1.一種照明裝置，其特征在于包括 光源，具有發光元件；以及 構件，被從所述光源放出的光照射，且包含如下的樹脂，所述樹脂在比從所述光源放出的藍色光的光譜的強度峰值更靠短波長側，在強度為峰值強度的10%的波長下的吸收率是15%以下。
2.根據權利要求I所述的照明裝置，其特征在于 從所述光源放出的光在波長500納米以下具有強度的峰值。
3.根據權利要求I所述的照明裝置，其特征在于 所述樹脂具有UL94中的V-I以上的耐燃性。
4.根據權利要求I所述的照明裝置，其特征在于 所述構件是對從所述光源放出的光進行反射的反射部。
5.根據權利要求I所述的照明裝置，其特征在于 所述構件是連接所述光源與電源予的連接構件。
6.根據權利要求I所述的照明裝置，其特征在于 所述樹脂含有50重量％以上的聚對苯二甲酸丁二醇酯。
7.根據權利要求I所述的照明裝置，其特征在于 所述構件包含如下的樹脂，所述樹脂在比所述藍色光的光譜的強度峰值更靠短波長偵牝在強度為峰值強度的10%的波長下的反射率是85%以上。
8.根據權利要求I所述的照明裝置，其特征在于還包括 濾光器，所述濾光器設置在所述光源與所述構件之間，具有如下的光學特性且將比波長420納米更靠短波長側的光予以吸收，所述光學特性是指選擇性地將從所述光源放出的光中的短波長側的光予以吸收。
9.根據權利要求I所述的照明裝置，其特征在于 還包括濾光器，所述濾光器設置于所述構件的表面，具有如下的光學特性且將比波長420納米更靠短波長側的光予以吸收，所述光學特性是指選擇性地將從所述光源放出的光中的短波長側的光予以吸收。
10.根據權利要求I所述的照明裝置，其特征在于 所述發光元件為發光二極管。
全文摘要
根據本發明的實施方式，照明裝置包括光源，具有發光元件；以及構件，被從所述光源放出的光照射，且包含如下的樹脂，所述樹脂在比從所述光源放出的藍色光的光譜的強度峰值更靠短波長側，強度為峰值強度的10％的波長的吸收率是15％以下。
文檔編號F21S2/00GK103256494SQ20121034224
公開日2013年8月21日 申請日期2012年9月14日 優先權日2012年2月16日
發明者松永啟之, 玉井浩貴, 樋口一斎 申請人:東芝照明技術株式會社