專利名稱：一種氧化銅納米線場發(fā)射陰極的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種場發(fā)射陰極，尤其涉及一種氧化銅納米線場發(fā)射陰極。
背景技術：
場發(fā)射顯示器是一種新型的平板顯示器，具有亮度高、分辨率高、視角寬、可全色顯示以及功耗低的優(yōu)點，成為了近期研究的熱點，但是其技術還存在著一些問題，尤其是場發(fā)射陰極的結(jié)構(gòu)和性能成為問題的關鍵。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種場發(fā)射陰極，該場發(fā)射陰極包括基板、設置在基板上的氧化銅納米線陣列。有益效果本發(fā)明制備的氧化銅納米線陣列經(jīng)過光譜分析，顯示納米結(jié)構(gòu)有序，而且該方法工藝要求簡單，制造成本低。
具體實施方式
下面結(jié)合具體實施例，進一步闡述本發(fā)明。應理解，這些實施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。此外應理解，在閱讀了本發(fā)明講授的內(nèi)容之后，本領域技術人員可以對本發(fā)明作各種改動或修改，這些等價形式同樣落于本申請所附權利要求書所限定的范圍。實施例1該基板為普通玻璃，在玻璃基板上形成銅材料薄膜，對銅材料薄膜進行熱處理后冷卻從而形成場發(fā)射陰極。實施例2該基板為硅基板，在硅基板上形成銅材料薄膜，對銅材料薄膜進行熱處理后冷卻從而形成場發(fā)射陰極。實施例3該基板為二氧化硅基板，在二氧化硅基板上形成銅材料薄膜，對銅材料薄膜進行熱處理后冷卻從而形成場發(fā)射陰極。
權利要求
1.一種氧化銅納米線場發(fā)射陰極，其包括基板，在基板上形成銅材料薄膜，對銅材料薄膜進行熱處理后冷卻從而形成氧化銅納米線場發(fā)射陰極。
2.如權利要求1所述的場發(fā)射陰極，其中，基板為普通玻璃、二氧化硅基板、硅基板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種氧化銅納米線場發(fā)射陰極，其包括基板，在基板上形成銅材料薄膜，對銅材料薄膜進行熱處理后冷卻從而形成氧化銅納米線場發(fā)射陰極。其中，基板為普通玻璃、硅基板、二氧化硅基板。
文檔編號H01J29/04GK103065916SQ20121058306
公開日2013年4月24日 申請日期2012年12月27日 優(yōu)先權日2012年12月27日
發(fā)明者李崗, 國欣鑫, 張曉輝 申請人:青島艾德森能源科技有限公司