專利名稱：一種干法清洗等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的清洗，特別涉及一種干法清洗等離子 刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法。
背景技術(shù)：
等離子刻蝕設(shè)備在進(jìn)行刻蝕的過程中，除刻蝕需刻蝕的絕緣膜或金屬外， 也會刻蝕涂覆在晶圓上的光阻，刻蝕光阻的生成物易沉積在反應(yīng)腔內(nèi)壁上，當(dāng)
等離子刻蝕設(shè)備工作一段時(shí)間(例如射頻時(shí)間超過150小時(shí))后，所述沉積在 反應(yīng)腔內(nèi)壁上，且含有碳氧成分的薄膜就會脫落，其可能會落到正在進(jìn)行刻蝕 的晶圓上，如此將會影響刻蝕或污染晶圓，故需定期的對等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng) 腔進(jìn)行清洗，例如型號為Lam2300的等離子刻蝕設(shè)備，其射頻時(shí)間達(dá)到150小 時(shí)時(shí)，就需對反應(yīng)腔進(jìn)行清洗。現(xiàn)清洗等離子刻蝕設(shè)備時(shí)需將反應(yīng)腔打開，并 采用人工方式清洗例如使用浸潤有水的無塵布對所述反應(yīng)腔進(jìn)行擦拭。
上述將反應(yīng)腔打開且采用人工清洗的方式過程復(fù)雜且用時(shí)較久，浪費(fèi)了時(shí) 間及人力，再者通過人工方式也很難將反應(yīng)腔內(nèi)壁上的薄膜清洗干凈。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種干法清洗等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法，通過 所述方法可簡化等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的清洗過程，且大大節(jié)約人力成本。
本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的 一種干法清洗等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法， 該等離子刻蝕設(shè)備具有一用于產(chǎn)生射頻輸出的射頻發(fā)生器，該方法包括以下步 驟(1)驅(qū)動等離子刻蝕設(shè)備至一穩(wěn)定狀態(tài)；(2 )啟動射頻發(fā)生器輸出一預(yù) 設(shè)功率的射頻，并在反應(yīng)腔中通入預(yù)設(shè)流量的氧氣，進(jìn)行一預(yù)設(shè)時(shí)間的干法清 洗。
在上述的干法清洗等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法中，該第 一預(yù)設(shè)時(shí)間范圍為40分鐘至50分鐘。
在上述的干法清洗等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法中，該干法清洗等離子刻 蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法還包括步驟(3)，停止射頻發(fā)生器，并在反應(yīng)腔中繼續(xù)通 入該預(yù)設(shè)流量的氧氣，進(jìn)行第二預(yù)設(shè)時(shí)間的冷卻。
在上述的干法清洗等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法中，該第二預(yù)設(shè)時(shí)間范圍 為20分鐘至30分鐘。
在上述的干法清洗等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法中，該預(yù)設(shè)流量范圍為300 至400標(biāo)準(zhǔn)毫升每分。
在上述的干法清洗等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法中，該穩(wěn)定狀態(tài)為反應(yīng)腔 壓力范圍為8至10帕斯卡，氦氣壓力為1000帕斯卡。
在上述的干法清洗等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法中，該預(yù)設(shè)功率為1000瓦。
與現(xiàn)有技術(shù)中將反應(yīng)腔拆開且進(jìn)行人工清洗相比，本發(fā)明的干法清洗等離 子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法在反應(yīng)腔中通入氧氣，使氧氣與反應(yīng)腔內(nèi)壁上的含碳 氬元素的薄膜發(fā)生反應(yīng)，從而無需打開干法等離子刻蝕設(shè)備，無需人工清洗就 可將反應(yīng)腔的內(nèi)壁徹底清洗干凈，如此筒化了清洗過程，提高了清洗質(zhì)量，并 大大節(jié)約人力成本。


本發(fā)明的干法清洗等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法由以下的實(shí)施例及附圖給出。
圖1為本發(fā)明的干法清洗等離子刻蝕i殳備反應(yīng)腔的方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式
以下將對本發(fā)明的干法清洗等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法作進(jìn)一步的詳細(xì) 描述。
本發(fā)明中的干法清洗等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法，用于清洗等離子刻蝕 設(shè)備的反應(yīng)腔，其中，所述等離子刻蝕設(shè)備具有一用于產(chǎn)生射頻輸出的射頻發(fā) 生器，所述等離子刻蝕設(shè)備在進(jìn)行刻蝕后其反應(yīng)腔內(nèi)壁上會沉積有含碳氧元素 的薄膜，本發(fā)明的方法首先進(jìn)行步驟SIO,驅(qū)動等離子刻蝕設(shè)備至一穩(wěn)定狀態(tài)。在本實(shí)施例中，所述穩(wěn)定狀態(tài)為反應(yīng)腔壓力范圍為8至10帕斯卡，氦氣壓力為
1000帕斯卡。
接著繼續(xù)步驟Sll,啟動射頻發(fā)生器輸出預(yù)設(shè)功率的射頻，并在反應(yīng)腔中通 入預(yù)設(shè)流量的氧氣，進(jìn)行第一預(yù)設(shè)時(shí)間的干法清洗，其中，所述干法清洗是指 氧氣與反應(yīng)腔內(nèi)壁上的含碳?xì)湓氐谋∧ぐl(fā)生反應(yīng)，生成可方便排出反應(yīng)腔的 二氧化碳和水蒸汽。在本實(shí)施例中，反應(yīng)腔壓力為9帕斯卡，所述預(yù)設(shè)功率為 1000瓦，所述預(yù)設(shè)流量范圍為300至400標(biāo)準(zhǔn)毫升每分，所述第一預(yù)設(shè)時(shí)間范 圍為40分鐘至50分鐘。
接著繼續(xù)步驟S12，停止射頻發(fā)生器，并在反應(yīng)腔中繼續(xù)通入所述預(yù)設(shè)流量 的氧氣，進(jìn)行第二預(yù)設(shè)時(shí)間的冷卻。在本實(shí)施例中，所述第二預(yù)設(shè)時(shí)間范圍為 20分鐘至30分鐘。
在本發(fā)明其他實(shí)施例中，步驟S10中的所述穩(wěn)定狀態(tài)除包括反應(yīng)腔壓力范 圍為8至10帕斯卡，氦氣壓力為1000帕斯卡外，還可包括通入所述預(yù)設(shè)流量 的氧氣。
另外，在本發(fā)明其他實(shí)施例中，為避免反應(yīng)腔溫度過高，通常會將第一預(yù) 設(shè)時(shí)間與第二預(yù)設(shè)時(shí)間縮短，然后多次順序執(zhí)行步驟SIO、 S11和S12,但總而 言之，干法清洗的總時(shí)間控制在40分鐘至50分鐘，冷卻的總時(shí)間控制在20分 鐘至30分鐘。
實(shí)驗(yàn)證明，通過本發(fā)明的干法清洗等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法清洗后的 型號為Lam2300的等離子刻蝕設(shè)備，其可在射頻時(shí)間達(dá)到180小時(shí)時(shí)再對等離 子刻蝕設(shè)備進(jìn)行清洗，而之前不會出現(xiàn)薄膜脫落污染晶圓的現(xiàn)象，故與現(xiàn)有技 術(shù)中射頻時(shí)間達(dá)到150小時(shí)時(shí)就需清洗所述等離子刻蝕i殳備相比，本發(fā)明的清 洗效果更好。
綜上所述，本發(fā)明的干法清洗等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法在反應(yīng)腔中通 入氧氣，使氧氣與反應(yīng)腔內(nèi)壁上的含碳?xì)湓氐谋∧ぐl(fā)生反應(yīng)，從而無需打開 干法等離子刻蝕設(shè)備，無需人工清洗就可將反應(yīng)腔的內(nèi)壁徹底清洗干凈，如此 簡化了清洗過程，提高了清洗質(zhì)量，并大大節(jié)約人力成本。
權(quán)利要求
1、一種干法清洗等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法，該等離子刻蝕設(shè)備具有一用于產(chǎn)生射頻輸出的射頻發(fā)生器，其特征在于，該方法包括以下步驟(1)驅(qū)動等離子刻蝕設(shè)備至一穩(wěn)定狀態(tài)；(2)啟動射頻發(fā)生器輸出一預(yù)設(shè)功率的射頻，并在反應(yīng)腔中通入預(yù)設(shè)流量的氧氣，進(jìn)行一第一預(yù)設(shè)時(shí)間的干法清洗。
2、 如權(quán)利要求1所述的干法清洗等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法，其特征在 于，該第一預(yù)設(shè)時(shí)間范圍為40分鐘至50分鐘。
3、 如權(quán)利要求1所述的干法清洗等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法，其特征在 于，該干法清洗等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法還包括步驟(3),停止射頻發(fā)生 器，并在反應(yīng)腔中繼續(xù)通入該預(yù)設(shè)流量的氧氣，進(jìn)行第二預(yù)設(shè)時(shí)間的冷卻。
4、 如權(quán)利要求3所述的干法清洗等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法，其特征在 于，該第二預(yù)設(shè)時(shí)間范圍為20分鐘至30分鐘。
5、 如權(quán)利要求1或3所述的干法清洗等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法，其特 征在于，該預(yù)設(shè)流量范圍為300至400標(biāo)準(zhǔn)毫升每分。
6、 如權(quán)利要求1所述的干法清洗等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法，其特征在 于，該穩(wěn)定狀態(tài)為反應(yīng)腔壓力范圍為8至10帕斯卡，氦氣壓力為1000帕斯卡。
7、 如權(quán)利要求1所述的干法清洗等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法，其特征在 于，該預(yù)設(shè)功率為1000瓦。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種干法清洗等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法，該等離子刻蝕設(shè)備具有一用于產(chǎn)生射頻輸出的射頻發(fā)生器。現(xiàn)有技術(shù)需拆開等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔并通過人工方式清洗該反應(yīng)腔，存在著清洗不徹底、浪費(fèi)時(shí)間及人力成本的問題。本發(fā)明的干法清洗等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法先驅(qū)動等離子刻蝕設(shè)備至一穩(wěn)定狀態(tài)；然后啟動射頻發(fā)生器輸出一預(yù)設(shè)功率的射頻，并在反應(yīng)腔中通入預(yù)設(shè)流量的氧氣，進(jìn)行一預(yù)設(shè)時(shí)間的干法清洗。采用本發(fā)明的方法無需打開反應(yīng)腔即可徹底清洗反應(yīng)腔，簡化了清洗過程，提高了清洗質(zhì)量，另可大大節(jié)約人力成本。
文檔編號C23F4/00GK101307447SQ20071004065
公開日2008年11月19日 申請日期2007年5月15日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月15日
發(fā)明者建 張, 旻 徐, 樓豐瑞, 石鍺元 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司