專利名稱：鍍膜件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種鍍膜件及其制造方法，尤其涉及一種具有骨瓷質(zhì)感的鍍膜件及其制造方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)，通常采用 噴涂、陽(yáng)極處理及PVD鍍膜等技術(shù)于電子產(chǎn)品(如手機(jī)、PDA等)的殼體表面形成裝飾性膜層，以使殼體呈現(xiàn)出彩色的外觀。然而，上述殼體雖然呈現(xiàn)出彩色的外觀，卻不能呈現(xiàn)出如骨瓷般的潔白、細(xì)膩、通透、清潔等視覺(jué)或外觀效果。傳統(tǒng)的骨瓷產(chǎn)品的制作方法是以動(dòng)物骨灰(主要成分為Ca3(PO4)2X優(yōu)質(zhì)高嶺土及石英為基本原料，經(jīng)過(guò)高溫素?zé)偷蜏赜詿齼纱螣贫桑渲谱鞴に噺?fù)雜、成品率低、價(jià)格十分高昂，因而難以實(shí)現(xiàn)大批量地工業(yè)生產(chǎn)。此外，傳統(tǒng)的骨瓷產(chǎn)品還具有輕脆易碎的特點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于此，本發(fā)明提供一種具有骨瓷質(zhì)感的鍍膜件。另外，本發(fā)明還提供一種上述鍍膜件的制造方法。一種鍍膜件，包括基體、依次形成于基體上的呈白色的第一膜層及第二膜層；該第一膜層主要由Zn和O兩種元素組成；該第二膜層主要由Al和Si中的任一種、O及N三種元素組成。一種鍍膜件的制造方法，其包括如下步驟
提供基體；
采用真空鍍膜法，以鋅靶為靶材，在該基體的表面形成一鋅層；
關(guān)閉所述鋅靶，使用氧氣對(duì)該鋅層進(jìn)行熱處理制得第一膜層，該第一膜層主要由Zn和O兩種元素組成；
采用真空鍍膜法，以鋁、鋁合金、硅或硅合金為靶材，以氧氣及氮?dú)鉃榉磻?yīng)氣體，在該第一膜層上形成第二膜層，該第二膜層主要由Al和Si中的任一種、O及N三種元素組成；
對(duì)所述第二膜層的表面進(jìn)行精拋處理。所述第一膜層呈白色，覆蓋于該第一膜層上濺射無(wú)色透明的第二膜層，該二膜層結(jié)合使該鍍膜件呈現(xiàn)出純正的骨瓷質(zhì)感的外觀。相較于傳統(tǒng)的骨瓷產(chǎn)品，該鍍膜件的制作方法簡(jiǎn)單、良率較高、生產(chǎn)成本較低且?guī)缀鯖](méi)有環(huán)境污染，可實(shí)現(xiàn)大批量地工業(yè)生產(chǎn)，因而可運(yùn)用于3C電子產(chǎn)品殼體、建筑裝飾件、汽車裝飾件及家居生活用品等諸多產(chǎn)品中。


圖I是本發(fā)明一較佳實(shí)施例鍍膜件的剖視 圖2是本發(fā)明一較佳實(shí)施例真空鍍膜機(jī)的示意圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明
權(quán)利要求
1.一種鍍膜件，包括基體，其特征在于該鍍膜件還包括依次形成于基體上的呈白色的第一膜層及第二膜層；該第一膜層主要由Zn和O兩種元素組成；該第二膜層主要由Al和Si中的任一種、O及N三種元素組成。
2.如權(quán)利要求I所述的鍍膜件，其特征在于所述第一膜層中Zn的質(zhì)量百分含量為70 78%，O的質(zhì)量百分含量為22 30%。
3.如權(quán)利要求I所述的鍍膜件，其特征在于所述第一膜層的色度區(qū)域于CIELAB表色系統(tǒng)的L*坐標(biāo)為89至93, a*坐標(biāo)為-O. 5至O. 5, b*坐標(biāo)為-O. 5至O. 5。
4.如權(quán)利要求I所述的鍍膜件，其特征在于當(dāng)?shù)诙又饕葾1、0及N三種元素組成時(shí)，其中Al的質(zhì)量百分含量為6(Γ70%，0的質(zhì)量百分含量為25 28%，Ν的質(zhì)量百分含量為2 15%。
5.如權(quán)利要求I所述的鍍膜件，其特征在于當(dāng)?shù)诙又饕蒘i、0及N三種元素組成時(shí)，其中Si的質(zhì)量百分含量為65 75%，0的質(zhì)量百分含量為17 22%，N的質(zhì)量百分含量為3 18%。
6.如權(quán)利要求I所述的鍍膜件，其特征在于所述第二膜層由平均粒徑為10 15nm的納米顆粒組成，第二膜層的粗糙度Ra為l(T30nm。
7.如權(quán)利要求I所述的鍍膜件，其特征在于所述第一膜層的厚度為5 10μπι，所述第二膜層的厚度為2 4μπι。
8.如權(quán)利要求I所述的鍍膜件，其特征在于所述鍍膜件于該第二膜層表面的60°角光澤度為85 100，色度區(qū)域于CIE LAB表色系統(tǒng)的L*坐標(biāo)為89至93，a*坐標(biāo)為-O. 5至O. 5，b* 坐標(biāo)為-O. 5 至 O. 5。
9.一種鍍膜件的制造方法，其包括如下步驟 提供基體； 采用真空鍍膜法，以鋅靶為靶材，在該基體的表面形成一鋅層； 關(guān)閉所述鋅靶，使用氧氣對(duì)該鋅層進(jìn)行熱處理制得第一膜層，該第一膜層主要由Zn和O兩種元素組成； 采用真空鍍膜法，以鋁、鋁合金、硅或硅合金為靶材，以氧氣及氮?dú)鉃榉磻?yīng)氣體，在該第一膜層上形成第二膜層，該第二膜層主要由Al和Si中的任一種、O及N三種元素組成； 對(duì)所述第二膜層的表面進(jìn)行精拋處理。
10.如權(quán)利要求9所述的鍍膜件的制造方法，其特征在于形成所述鋅層的工藝參數(shù)為采用磁控濺射鍍膜法，設(shè)置鋅靶的功率為2 3kw，以氬氣為工作氣體，氬氣的流量為10(T300sccm，施加于基體的偏壓為_(kāi)10(T-300V，鍍膜溫度為2(T200°C，鍍膜時(shí)間為I 2h。
11.如權(quán)利要求9所述的鍍膜件的制造方法，其特征在于對(duì)所述鋅層進(jìn)行熱處理待工藝參數(shù)為氧氣的流量為8(Tl50sccm，熱處理溫度為2(T200°C，時(shí)間為2(T60min。
12.如權(quán)利要求9所述的鍍膜件的制造方法，其特征在于形成所述第二膜層的工藝參數(shù)為采用磁控濺射鍍膜法，設(shè)置鋁靶、鋁合金靶、硅靶或硅合金靶的功率為5 10kw，氧氣的流量為5(T200sCCm、氮?dú)獾牧髁繛?(T300sCCm，以氬氣為工作氣體，氬氣的流量為10(T300SCCm，施加于基體的偏壓為-10(T-300V，鍍膜溫度為2(T200°C，鍍膜時(shí)間為5(T80min ;所述鋁合金靶材中鋁的質(zhì)量百分含量為85、0%，硅合金靶材中硅的質(zhì)量百分含量為85 90%。
13.如權(quán)利要求9所述的鍍膜件的制造方法，其特征在于所述精拋處理的工藝參數(shù)為提供一精拋機(jī)，所述精拋機(jī)包括一布輪，將含有氧化鋁粉末的懸浮狀水溶 液涂覆在該布輪上，對(duì)所述第二膜層的表面進(jìn)行精拋，精拋的時(shí)間為l(Tl5min。
全文摘要
本發(fā)明提供一種鍍膜件，包括基體、依次形成于基體上的呈白色的第一膜層及第二膜層；該第一膜層主要由Zn和O兩種元素組成；該第二膜層主要由Al和Si中的任一種、O及N三種元素組成。該鍍膜件呈現(xiàn)出純正的骨瓷質(zhì)感的外觀。本發(fā)明還提供了所述鍍膜件的制造方法。
文檔編號(hào)C23C8/10GK102896826SQ20111021544
公開(kāi)日2013年1月30日 申請(qǐng)日期2011年7月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月29日
發(fā)明者陳文榮, 蔣煥梧, 陳正士, 李聰 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司