專利名稱：鍍膜件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種鍍膜件及其制造方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)，采用陽(yáng)極氧化處理的方式在鋁或鋁合金表面形成一陽(yáng)極氧化膜，在一 定程度上可改善鋁或鋁合金基體的硬度、耐磨性、耐腐蝕性及裝飾性，但陽(yáng)極氧化膜存在表 面粗糙、暗啞的缺點(diǎn)。
采用噴涂的方式于陽(yáng)極氧化膜上噴涂一透明油漆層，可改善陽(yáng)極氧化處理產(chǎn)品表 面的觸感；但噴涂過(guò)程中容易產(chǎn)生積漆、油漆層厚度不均等不良現(xiàn)象，且噴涂形成的涂層厚 度較厚，如此將導(dǎo)致陽(yáng)極氧化膜的顏色發(fā)生偏差、光澤度下降。此外，噴涂工藝易于造成環(huán) 境污染。用真空鍍膜方式代替噴涂形成一透明狀的真空鍍膜層可解決上述技術(shù)問(wèn)題，但由 于陽(yáng)極氧化膜與真空鍍膜層之間存在較大的內(nèi)應(yīng)力，易于導(dǎo)致膜層發(fā)生開裂、剝落等現(xiàn)象。發(fā)明內(nèi)容
鑒于此，本發(fā)明提供一種可解決上述問(wèn)題的鍍膜件。
另外，本發(fā)明還提供一種上述鍍膜件的制造方法。
一種鍍膜件，包括基體、依次形成于基體上陽(yáng)極氧化膜、結(jié)合層及真空鍍膜層，所 述結(jié)合層為鈦層或鉻層，所述真空鍍膜層為二氧化硅層或氧化鋁層。
一種鍍膜件的制造方法，其包括如下步驟提供基體；通過(guò)陽(yáng)極氧化處理的方式，在該基體的表面形成陽(yáng)極氧化膜；對(duì)所述陽(yáng)極氧化膜表面進(jìn)行拋光處理；采用真空鍍膜法，以鈦靶或鉻靶為靶材，在拋光后的陽(yáng)極氧化膜上形成結(jié)合層，該所述 結(jié)合層為鈦層或鉻層；采用真空鍍膜法，以硅靶或鋁靶為靶材，以氧氣為反應(yīng)氣體，在結(jié)合層上形成真空鍍膜 層，該真空鍍膜層為二氧化硅層或氧化鋁層。
本發(fā)明對(duì)所述陽(yáng)極氧化膜進(jìn)行拋光處理，且所述結(jié)合層及真空鍍膜層均為無(wú)色透 明狀，使所述鍍膜件在呈現(xiàn)陽(yáng)極氧化處理的外觀的同時(shí)呈現(xiàn)出高的光澤度。所述結(jié)合層的 形成可提高所述真空鍍膜層與陽(yáng)極氧化膜之間的結(jié)合力，進(jìn)而避免所述陽(yáng)極氧化膜與真空 鍍膜層直接結(jié)合而導(dǎo)致真空鍍膜層發(fā)生開裂、剝落等現(xiàn)象。所述真空鍍膜層本身具有良好 的硬度及耐磨性，可增強(qiáng)所述鍍膜件的硬度及耐磨性。此外，該鍍膜件的制造方法較為環(huán)保 且良率較好。


圖1是本發(fā)明一較佳實(shí)施例鍍膜件的剖視圖；圖2是本發(fā)明一較佳實(shí)施例真空鍍膜機(jī)的示意圖。
主要元件符號(hào)說(shuō)明
權(quán)利要求
1.一種鍍膜件，包括基體及形成于基體表面的陽(yáng)極氧化膜，其特征在于所述鍍膜件還包括依次形成于該陽(yáng)極氧化膜表面的結(jié)合層及真空鍍膜層，所述結(jié)合層為鈦層或鉻層，所述真空鍍膜層為二氧化硅層或氧化鋁層。
2.如權(quán)利要求1所述的鍍膜件，其特征在于所述結(jié)合層通過(guò)真空鍍膜的方式形成。
3.如權(quán)利要求1所述的鍍膜件，其特征在于所述結(jié)合層的厚度為15 40nm。
4.如權(quán)利要求1所述的鍍膜件，其特征在于所述真空鍍膜層的厚度為f1. 8μπι。
5.如權(quán)利要求1所述的鍍膜件，其特征在于所述結(jié)合層為無(wú)色透明狀。
6.如權(quán)利要求1所述的鍍膜件，其特征在于所述真空鍍膜層為無(wú)色透明狀。
7.一種鍍膜件的制造方法，其包括如下步驟 提供基體； 通過(guò)陽(yáng)極氧化處理的方式，在該基體的表面形成陽(yáng)極氧化膜； 對(duì)所述陽(yáng)極氧化膜表面進(jìn)行拋光處理； 采用真空鍍膜法，以鈦靶或鉻靶為靶材，在拋光后的陽(yáng)極氧化膜上形成結(jié)合層，該結(jié)合層為鈦層或鉻層； 采用真空鍍膜法，以硅靶或鋁靶為靶材，以氧氣為反應(yīng)氣體，在結(jié)合層上形成真空鍍膜層，該真空鍍膜層為二氧化硅層或氧化鋁層。
8.如權(quán)利要求7所述的鍍膜件的制造方法，其特征在于形成所述結(jié)合層的方法為采用磁控濺射鍍膜法，設(shè)置鈦靶或鉻靶的功率為6 15kw，以氬氣為工作氣體，氬氣的流量為10(T300SCCm，施加于基體的偏壓為-10(T-300V，鍍膜溫度為1(T200°C，鍍膜時(shí)間為5 IOmin0
9.如權(quán)利要求7所述的鍍膜件的制造方法，其特征在于形成所述結(jié)合層的方法為采用磁控濺射鍍膜法，設(shè)置硅靶或鋁靶的功率為6 15kw，以氧氣為反應(yīng)氣體，調(diào)節(jié)氧氣的流量為5(T200sccm，以氬氣為工作氣體，氬氣的流量為10(T300sccm，施加于基體的偏壓為-10(T-300V，鍍膜溫度為1(T200°C，鍍膜時(shí)間為3(T40min。
10.如權(quán)利要求7所述的鍍膜件的制造方法，其特征在于所述拋光處理的工藝為采 用一拋光機(jī)，所述拋光機(jī)包括一布輪，將含有氧化鋁粉末的懸浮狀水溶液涂覆在該布輪上，對(duì)所述陽(yáng)極氧化膜的表面進(jìn)行拋光，拋光的時(shí)間為3(T50min。
全文摘要
本發(fā)明提供一種鍍膜件，包括基體、依次形成于基體上陽(yáng)極氧化膜、結(jié)合層及真空鍍膜層，所述結(jié)合層為鈦層或鉻層，所述真空鍍膜層為二氧化硅層或氧化鋁層。該鍍膜件呈現(xiàn)出高光澤的陽(yáng)極氧化處理的外觀，且所述結(jié)合層的形成可提高所述真空鍍膜層與陽(yáng)極氧化膜之間的結(jié)合力，進(jìn)而避免所述陽(yáng)極氧化膜與真空鍍膜層直接結(jié)合而導(dǎo)致真空鍍膜層發(fā)生開裂、剝落等現(xiàn)象。本發(fā)明還提供了所述鍍膜件的制造方法。
文檔編號(hào)C23C28/00GK103009705SQ201110287749
公開日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2011年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月26日
發(fā)明者陳正士, 李聰 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司