專利名稱：多弧離子鍍膜裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種多弧離子鍍膜裝置。
背景技術：
利用物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition, PVD)技術于基材上沉積薄膜時，通常需要在基材上施加一負偏壓。負偏壓使得陰極祀源與基材之間產生一電場，基材的負偏壓可使得等離子體中的一部份正離子對基材進行轟擊和沉積。對于大件平面基材，采用PVD技術在基材上施加負偏壓時，可以取得較好的鍍膜效果，主要是因為基材的平面面積較大，介于陰極靶和基材之間的電場分布較為均勻，從而使得靶材離子或原子沉積于基材表面各處的概率大致相等，因此膜層厚度也比較均勻。但對于小基材，尤其是具有尖端部的基材，由于尖端部位電場異常導致的尖端放電效應，沉積膜層的厚度較難控制。有時不但尖端部不能沉積上膜層，反而因為尖端放電效應導致尖端部遭到刻蝕,導致基材報廢。

發明內容
有鑒于此，提供一種能夠有效于基材的尖端部進行鍍膜的多弧離子鍍膜裝置。一種多弧離子鍍膜裝置，其包括一反應室、設置于反應室的腔體頂壁的至少一靶材及設置于反應室的腔體底壁的一裝載臺，該裝載臺用以裝載基材，該反應室內于裝載臺的上方還設置有一罩體，該靶材和罩體之間設置有第一電源控制裝置以設置靶材和罩體之間的第一負偏壓，該罩體和基材之間設置有第二電源控制裝置以設置罩體和基材之間的第二負偏壓。本發明所述多弧離子鍍膜裝置，通過在反應室內設置一罩體，并分別于靶材和罩體之間設置有實現第一負偏壓的電源控制裝置，罩體和基材之間設置有實現第二負偏壓的電源控制裝置，從而在鍍膜過程中，使具有尖端部的基材表面能夠沉積高質量的膜層。


圖1為本發明一較佳實施例的多弧離子鍍膜裝置的剖視示意圖。主要元件符號說明
權利要求
1.一種多弧離子鍍膜裝置，其包括一反應室、設置于反應室的腔體頂壁的至少一靶材及設置于反應室的腔體底壁的一裝載臺，該裝載臺用以裝載基材，其特征在于該反應室內于裝載臺的上方還設置有一罩體，該靶材和罩體之間設置有第一電源控制裝置以設置靶材和罩體之間的第一負偏壓，該罩體和基材之間設置有第二電源控制裝置以設置罩體和基材之間的第二負偏壓。
2.如權利要求1所述的多弧離子鍍膜裝置，其特征在于該裝載臺為可旋轉的。
3.如權利要求1所述的多弧離子鍍膜裝置，其特征在于所述基材包括一尖端部，所述尖端部正對反應室的腔體頂壁。
4.如權利要求1所述的多弧離子鍍膜裝置，其特征在于該罩體包括一主體部和一連接桿，該主體部為由金屬絲制成且形成有若干網孔，該主體部設置于裝載臺的上方，且能完全罩住基材的尖端部；該連接桿的一端連接所述主體部，其另一端可拆卸的連接于反應室的腔壁上。
5.如權利要求4所述的多弧離子鍍膜裝置，其特征在于該金屬絲的直徑為O.1 3mm ο
6.如權利要求4所述的多弧離子鍍膜裝置，其特征在于該金屬絲的直徑為O.5mm。
7.如權利要求4所述的多弧離子鍍膜裝置，其特征在于所述網孔為方形網孔，網孔的寬度為O. 2 1. 5cm。
8.如權利要求4所述的多弧離子鍍膜裝置，其特征在于所述金屬絲的材質為不銹鋼或銅。
9.如權利要求4所述的多弧離子鍍膜裝置，其特征在于所述主體部為半球形。
全文摘要
一種多弧離子鍍膜裝置，其包括一反應室、設置于反應室的腔體頂壁的至少一靶材及設置于反應室的腔體底壁的一裝載臺，該裝載臺用以裝載基材，該反應室內于裝載臺的上方還設置有一罩體，該靶材和罩體之間設置有第一電源控制裝置以設置靶材和罩體之間的第一負偏壓，該罩體和基材之間設置有第二電源控制裝置以設置罩體和基材之間的第二負偏壓。本發明多弧離子鍍膜裝置能夠有效于基材的尖端部進行沉積鍍膜。
文檔編號C23C14/34GK103031525SQ20111029290
公開日2013年4月10日 申請日期2011年10月6日 優先權日2011年10月6日
發明者黃登聰, 彭立全 申請人:鴻富錦精密工業(深圳)有限公司, 鴻海精密工業股份有限公司