專利名稱：殼體的制備方法及該方法所制備的殼體的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種殼體的制備方法，尤其涉及ー種金屬和陶瓷的復合材質殼體制備方法及由該方法所制備的殼體。
背景技術：
激光熔覆技術是利用高能密度的激光束在金屬基材表面形成合金復合層，采用激光熔覆技術所形成的合金復合層與冶金結合所形成合金復合層具有不同成分和性能，該エ藝可以在普通的金屬基材上形成高性能的合金覆層表面，由其是在航天、汽車等相關領域內被廣泛應用。激光熔覆技術也應用于消費電子產品的外殼等領域，但消費電子產品的外殼要求合金覆層與基材的結合強度、殼體韌性及加工精度高，現有的激光熔覆技術對于具有三維結構的消費電子產品的外殼加工，存在殼體的邊緣合金結合力不足的弊端。

發明內容
有鑒于此，有必要提供ー種金屬和陶瓷的復合材質殼體制備方法，該方法制備的殼體，其邊緣金屬和陶瓷的合金結合力強。一種殼體的制備方法，其包括如下步驟
提供金屬基材；
在該金屬基材上形成陶瓷層； 利用激光熔覆該陶瓷層，使得該陶瓷層與位于其下部金屬基材部分熔融一體形成復合
層；
冷卻后，對該形成有復合層的金屬基材進行熱處理；
沖壓成型，得到邊緣具有立體結構的殼體。另外，本發明還提供了采用所述方法所制備的殼體。本發明提供ー種激光熔覆技術，在金屬基材上形成ー陶瓷和金屬層部分相互熔融的復合層，之后，再對該具有復合層的殼體進行熱處理，以消除激光合金化過程中由于溫度梯度造成的內應カ及金屬和陶瓷的邊緣合金化結合不足的弊端，最后把加工好的殼體進行沖壓，得到邊緣具有三維結構的殼體。


圖1為本發明一較佳實施例殼體激光熔覆形成復合層示意圖。圖2為本發明一較佳實施例殼體激光熔覆后形成復合層的截面剖視圖。主要元件符號說明
權利要求
1.一種殼體的制備方法，該殼體為金屬和陶瓷的復合殼體，包括如下步驟 提供金屬基材； 在該金屬基材上形成陶瓷層； 利用激光熔覆該陶瓷層，使得該陶瓷層與位于其下部金屬基材部分熔融一體形成復合層； 冷卻后，對該形成有復合層的金屬基材進行熱處理； 成型加工以形成三維結構的殼體。
2.如權利要求1所述的殼體的制備方法，其特征在于所述金屬基材為不銹鋼或鋁合金。
3.如權利要求1所述的殼體的制備方法，其特征在于所述陶瓷層采用噴涂或涂覆的方法形成，該陶瓷層的陶瓷材料為氧化物陶瓷或碳化物陶瓷或氮化物陶瓷。
4.如權利要求3所述的殼體的制備方法，其特征在于所述陶瓷層中的陶瓷粒為10unT30um，噴涂厚度為 O. 03 O. 08mm。
5.如權利要求3所述的殼體的制備方法，其特征在于所述陶瓷層中的陶瓷粒直徑為10unT30um，噴涂陶瓷層的厚度為O. 03^0. 08mm。
6.如權利要求1所述的殼體的制備方法，其特征在于激光熔覆工藝參數如下激光器為脈沖紅寶石激光，激光介質為釹(Nd)，激光波長1. 06um，激光功率為2 50W，聚焦光斑直徑O. 5-1. 0mm，激光功率密度8MW/cm2，激光熔融深度O. Γθ. 5mm，激光熔融寬度l(T20mm，激光束性質擺動式690-750HZ，進給速度為5 10mm/s。
7.如權利要求1所述的殼體的制備方法，其特征在于激光熔覆陶瓷與金屬基材的深度 O. 2 1. Omm。
8.如權利要求1所述的殼體的制備方法，其特征在于所述熱處理工藝參數金屬基材為不銹鋼，將該不銹鋼基材殼體的溫度0°C升到900°C的時間為3(Γ50分鐘；保持900°C的溫度時間為6(Tl20分鐘；升溫之后降溫，溫度由900°C降到600°C為3(Γ60分鐘；600°C降到200°C用8(Γ150分鐘；200°C自然降溫至室溫，完成熱處理。
9.如權利要求1所述的殼體的制備方法，其特征在于所述熱處理工藝參數金屬基材為鋁合金，將鋁合金基材的殼體的溫度從0°c升到600°C的時間為3(Γ50分鐘；保持600°C的溫度時間為6(Γ 120分鐘；升溫之后降溫，溫度由600°C降到150°C為3(Γ60分鐘；150°C降到室溫用8(Γ150分鐘。
10.一種如權利要求1-9任一項所述制備方法所制備的殼體。
全文摘要
本發明提供一種殼體的制備方法，提供金屬基材；在該金屬基材上形成陶瓷層；利用激光熔覆該陶瓷層，使得該陶瓷層與位于其下部金屬基材部分熔融一體形成復合層；冷卻后，對該形成有復合層的金屬基材進行熱處理；沖壓成型，得到邊緣具有立體結構的殼體。本發明還提供所述方法制備的殼體。
文檔編號C23C24/10GK103031555SQ201110304370
公開日2013年4月10日 申請日期2011年10月10日 優先權日2011年10月10日
發明者王仁博, 關辛午 申請人:深圳富泰宏精密工業有限公司