專利名稱：旋轉基板支撐件及其使用方法
技術領域：
本發明大致是關于半導體基板的處理，且更具體地講，是關于半體基板上的材料沉積。更明確而言，本發明是關于用于單基板沉積處理室的旋轉基板支撐件。
背景技術：
集成電路包括利用不同技術(包括化學氣相沉積)沉積多層材料。這樣的話，半導體基板上經由化學氣相沉積(或CVD)的材料沉積是制造集成電路處理的關鍵步驟。一般化學氣相沉積處理室具有一加熱的基板支撐件，以于處理期間加熱基板；一氣體端口，用于將處理氣體引入處理室；以及一抽吸端口，用于維持處理室內的處理壓力，并移除過量氣體或處理副產物。由于氣體引入處理室的流動模式朝向抽吸端口，故難以在基板上維持均勻的沉積輪廓。此外，內處理室部件的發散性差異也會導致處理室內基板上熱分布輪廓的不一致。基板表面上如此熱分布輪廓的不均勻會進一步導致基板上沉積材料的不均勻。此進而會造成平坦化處理或在進一步處理前修復基板的高成本、或集成電路可能的損壞。因此，業界對于化學氣相沉積處理室中于基板上均勻沉積材料的改良設備仍有需求。

發明內容
本發明提供一種利用旋轉基板支撐件處理一基板的方法及設備。于一實施例中， 用于處理基板的設備包括一處理室，處理室中設有一基板支撐組件。該基板支撐組件包括一基板支撐件，基板支撐件具有一支撐表面及一加熱器，該加熱器設于支撐表面下方。一軸部耦接至該基板支撐件，且馬達經由一轉子(rotor)耦接至該軸部，以使基板支撐件轉動。 密封塊則設于該轉子周圍并與該轉子形成密封。密封塊具有至少一密封件及至少一通道， 沿該密封塊與該軸部之間的接口處設置。各通道耦接有端口以連接至泵。升舉機構耦接至該軸部以提升與下降基板支撐件。于本發明另一實施方面中，是提供各種利用旋轉基板支撐件來處理基板的方法。 于一實施例中，處理室中利用旋轉基板支撐件處理基板的方法包括下列步驟將欲處理的基板置放于基板支撐件上，并于一處理循環中以360度的整數倍數旋轉該基板。于另一實施例中，決定欲形成于基板上的材料層的沉積率，并回應所決定的沉積率來控制基板旋轉速率以控制材料層的最后沉積輪廓。于另一實施例中，是響應特定變量或多個變量來控制基板轉速。該等變量可至少包括溫度、壓力、經計算的沉積率或經測量的沉積率。于另一實施例中，可以第一方向(orientation)處理基板達第一時段，并接著指向第二方向并被處理達第二時段。


前述方式可詳細了解本發明特征，本發明進一步的說明可參照實施方式及附加圖示，其中的一些實施方式在附圖中得到示出。然應注意的是，附加圖示僅用于說明本發明的一般實施例，故不應視為本發明的范圍的限制，且本發明亦涵蓋其它任何等效實施例。圖1為例示性化學氣相沉積處理室的簡要截面圖，該處理室具有本發明的旋轉基板支撐件；圖2為圖1所示旋轉基板支撐件的概要截面圖；圖3為基板軸部及旋轉基板支撐件的轉子間接口的實施例的細部圖示；圖4-5為繪示旋轉及不旋轉基板的薄膜厚度不均勻性；以及圖6A-6B是分別在非旋轉及旋轉基板上形成的薄膜的薄膜厚度變化標繪圖。
具體實施例方式適用于此處所述旋轉基板支撐件的示范性處理室為低壓熱化學氣相沉積反應器， 例如，加州圣塔克拉拉美商應用材料公司所上市的SiNgen處理室。應可理解的是，其它處理室也可受惠于此處所述的旋轉基板支撐件。圖1繪示合適反應器100的實施例。該反應器100包括一基座104、反應器壁102 以及蓋件106(合稱為處理室本體10 以界定出反應處理室、或處理體積108，處理體積 108中處理氣體、先驅物氣體或反應氣體可熱分解形成基板上的材料層(未示出)。蓋件中形成至少一端口 134，該至少一端口 134耦接至氣體面板1 以供應一或多種氣體至該處理體積108。一般而言，氣體分配板或噴灑頭120是設于蓋件106下方，以更均勻分配經由端口 134進入的處理氣體于整個處理體積108中。于一例示性實施例中，當準備好沉積或處理時，氣體面板1 所提供的處理氣體或先驅物氣體會引入處理體積108。 處理氣體會自端口 134經由噴灑頭120中的數個孔洞(未示出)作分配。該噴灑頭120可將處理氣體均勻地分配至處理體積108中。在處理室本體105中形成了抽氣端口 126，且抽氣端口 1 耦接至抽氣設備(未示出)以按所需選擇性維持處理室本體105內的處理壓力，抽氣設備例如閥門、泵及類似者。 也可利用其它部件(例如壓力調節器(未示出)、傳感器(未示出)及類似者)以監控處理體積108內的處理壓力。處理室本體105是以可使處理室承受約10至350托耳間的壓力的材料建構而成。于一例示性實施例中，處理室本體105是以鋁合金材料建構而成。處理室本體105可包括數個通道(未示出)，以經由該等通道抽吸溫度控制流體來冷卻處理室本體105。配備有前述溫度控制流體通道時，反應器100可稱為「冷卻壁 (cold-wall)」或「溫熱壁(warm-wall)」反應器。冷卻處理室本體105可避免形成處理室本體105的材料因反應物質及高溫環境而腐蝕。處理室本體105內部也可襯有溫度控制襯墊或絕緣襯墊(未示出)，以避免處理室本體105的內表面上有不樂見的凝結粒子。反應器100更包括一旋轉升舉組件150，以支撐反應器100的處理體積108內的基板。該升舉組件150包括基板支撐件110、軸部112以及基板支撐移動組件124。基板支撐件110 —般可屏蔽升舉銷114，且更可包括數個加熱組件、電極、熱電耦、背側氣體溝槽以及類似者(為簡明起見未全部示出)。于圖1所示實施例中，基板支撐件110包括一加熱器136，設于基板接收器116下方。該基板接收器116通常約為基板厚度。基板接收器116可具有數個特征，例如「凸塊 (bumps)」或「凸起件(stand-offs)」(未示出)，以將基板稍微支撐在基板接收器116表面上方。于處理期間，加熱器136也可用以控制基板支撐件110上的基板的溫度，以利薄膜形成于該基板上。加熱器136通常包括一或多個電阻線圈(未示出)，內嵌于導電本體中。 電阻線圈可獨立控制以形成加熱區。并可設溫度指示器(未示出)以監控處理室本體105 內的處理溫度。于一實施例中，溫度指示器可為熱電耦(未示出)，該熱電耦可經設置以提供基板支撐件110表面處(或基板支撐件110所支撐的基板表面處)的溫度有關的數據。基板支撐移動組件IM可垂直上下移動基板支撐件110并做旋轉，如箭頭131，132 所示。旋轉升舉組件150的垂直移動有利于傳送基板進出處理室本體150，并將基板定位于處理體積108內。例如，通常藉由例如機械傳送機構(未示出)，經由處理室本體105的壁102中形成的端口 122，將基板置放于基板支撐件110上。基板支撐移動組件IM可降下基板支撐件 110，以使基板支撐件110的支撐表面低于端口 122。傳送機構可經由端口 122送入基板以將該基板定位于基板支撐件110之上。基板支撐件110中的升舉銷114會接著藉升起接觸升舉板118(可移除地耦接至反應器100的基座104)的方式升起。升舉銷114可將基板舉離傳送機構，并接著移開。接觸升舉板118及升舉銷114接著下降，以將基板置放于基板支撐件110上。一旦裝載好基板且傳送機構縮回時，端口 122會封閉，且基板支撐移動組件IM會將基板支撐件110提升至處理位置。于一例示性實施例中，會在晶片基板與噴灑頭120呈短距離(例如400-900密爾)的時候停止提升。基板可藉實質上反轉前述步驟的方式由處理室移出。處理期間旋轉升舉組件150的旋轉移動可使基板上任何不均勻的溫度分配更為緩和且均勻，且具有其它多種處理優點，下文將予詳述。圖2是繪示旋轉升舉組件150的一實施例的簡化截面圖。于一實施例中，旋轉升舉組件150包括一框架204，該框架204可移除地耦接至該反應器100基座104下的支撐件 202。該框架204可藉由適當裝置移動地耦接至支撐件202，例如線性軸承及類似者。該框架可經由軸部112支撐基板支撐件110，而該支撐件是經由反應器100的基座104中的開口延伸。升舉機構206耦接至框架204，并于支撐件202內移動框架204，藉以于反應器100 內將基板支撐件110上下移動一范圍。該升舉機構206可為步進馬達或其它適合機構，以提供基板支撐件110所欲移動范圍。框架204更包括一可支撐馬達208的外罩230，馬達208與軸部112及基板支撐件 110同軸對齊。馬達208可藉一轉子210提供基板支撐件110旋轉移動，該轉子耦接至馬達 208的軸部209。軸部209可為中空，以容納欲同軸通過馬達208的冷卻水、電源、熱電耦信號以及類似者。驅動器232可耦接至馬達208并對馬達208進行控制。馬達208通常是操作在每分鐘約0至約60轉(rpm)，且具有變化約百分之一的穩定轉速。于一實施例中，馬達208是以約1至約15rpm的范圍旋轉。馬達208具有精確的旋轉控制且可標定在約1度內。前述旋轉控制應考慮特征的排列，例如，基板的平坦部或基板上形成的凹口，以于處理期間調整基板方向。此外，前述旋轉控制應考慮基板上任一點相對于反應器100內固定坐標的位置。基板支撐件110是經由軸部112及轉子210由馬達208支撐，以讓馬達208的軸承可支撐并對準基板支撐件110。當基板支撐件110安裝至馬達208并由馬達208所支撐時，可因此減少組件數目，并減少或排除數個軸承組間的對齊與耦接問題。或者，馬達208 可利用傳送帶、滑輪及類似物偏移基板支撐件110，以轉動基板支撐件110。亦可選擇的是，可設傳感器(未示出，如光學傳感器)以在升舉銷114嚙合升舉板 118時(如圖1所示)避免基板支撐件110轉動。例如，光學傳感器可設于旋轉升舉組件 150外側上，并在預定高度(例如，上升的處理位置或下降的傳送位置)時設定進行檢視。轉子210通常包括處理相容的抗蝕材料，以降低摩擦及磨損以利旋轉，抗蝕材料例如堅硬的不銹鋼、經電鍍的鋁、陶瓷及類似者。轉子210可進一步作研磨。于一實施例中， 轉子210至少包含17-4PH鋼，該17-4PH鋼已經加工、磨光、硬化及研磨。軸部112及轉子 210之間的表面處的安置表面通常會作磨光(ground)，以確保基板支撐件110相對于馬達 208及轉子210的中心軸的適當對齊。基板支撐件110的校準可藉由精確加工達成。或者或結合觀之，調整機構(例如頂起螺栓)也可用以協助基板支撐件Iio校準。前述校準可確保馬達208及基板支撐件110 的中心軸呈平行，藉以降低基板支撐件110的旋轉晃動。于一實施例中，基板支撐件110表面偏轉約0. 002至約0. 003英寸。于一實施例中，基板支撐件110在直徑200mm的支撐件表面上的高度變化小于約0. 005英寸。利用設有良好軸承的高質量馬達208可進一步協助降低基板支撐件的晃動。基板支撐件110的軸部112可藉任何適當裝置(例如銷、螺栓、螺旋、焊接、硬焊及類似者)耦接至馬達210。于一實施例中，軸部112可移除地耦接至轉子210，以在需要時快速且輕易地移除或替換基板支撐件110。于一實施例中，于圖3所示，數個銷304(為簡明圖3僅示出一者)是自軸部112的基座302延伸出。孔徑310形成在轉子210的本體308 中，位置對應于各銷304，以使軸部以銷304延伸至孔徑310中的方式下降(如箭頭318所示)至轉子210上。旋轉軸312部分地延伸至孔徑310中。軸部312中所形成的凹口 316位置可讓凹口 316與孔徑310的內壁對齊。在對齊時，銷304可延伸至不受軸部312阻礙的孔徑310。 在完全插入時，銷304中形成的凹口 316會對齊軸部312。軸部312可接著轉動，如箭頭320 所示，以使軸部312本體移至銷304的凹口 306中。一旦軸部312轉動，軸部312本體會將軸部312鎖定位。軸部312相對于銷304的凹口 306呈偏心，以利在軸部312轉動時嚙合所述銷304。或者或結合來看，軸部312可具有形成于軸部312上的一凸輪(未示出)，以在軸部312旋轉時嚙合所述銷304。為利轉動軸部312，軸部312外端可設特征，例如在軸部312上形成六角頭314。六角頭314是經定位以利于使用工具轉動軸部312。再參照圖2，為維持反應器100內處理體積108以及反應器100外大氣之間的壓力差，密封塊212可環繞轉子210并與轉子210 —起形成密封。此外，基座104及密封塊212 之間可耦接伸縮部(bellows) 216。安裝板214可選擇性的設于密封塊212之上，以利將軸部112的基座對齊轉子210。于圖2所示實施例中，伸縮部216是耦接至密封塊212的頂部上所設的安裝板214。
密封塊212可包括至少一密封件228，例如唇密封件，密封件2 設于密封塊212 及轉子210之間的接口處。密封件2 通常可抗磨損，且可由聚乙烯或其它處理兼容材料形成。于一實施例中，該等密封件是由聚四氟乙烯(PTra)所形成。于圖2所示實施例中，此等密封件2 是設于密封塊212及轉子210之間。為利于使密封塊212與轉子210共軸， 密封塊212可于設置期間浮動，且藉密封件2 的壓力使密封塊212位于中心。密封塊212 可接著按設置程序的完成情況作螺合、夾鉗或固定。一或多個溝槽或通道2 可進一步沿密封塊212及轉子210之間的接口設置。通道2 可形成于該密封塊212及轉子210的一者或兩個中，且經由管線225連接至泵224。 泵2M可持續維持通道226內的壓力在適當范圍，以保持反應器100內處理體積108及反應器100外界大氣之間的密封。于圖2所示實施例中，兩通道2 是設于三個密封件2 之間的空間中，且藉由兩管線225耦接至泵224。中空軸部112內會設至少一導管M2，以將必要設備耦接至基板支撐件110。例如，導管242可具有數個電子線路以提供用于加熱器136、熱墊耦及其它至基板支撐件的電子連接器的電源。各導管可由絕緣材料形成以屏蔽并保護線路，絕緣材料例如陶瓷。此外， 單一導管242也可用于各電性連接，藉以隔離各個線路。其它導管(未示出)也可提供冷卻氣體或液體，以用于基板支撐件110。可設滑環(slip ring) 234以將電供應器240的電性連接驅動至基板支撐件110。旋轉接頭(rotary union) 236可耦接至冷卻供應器及回線(return) 238，以提供冷卻劑予旋轉升舉組件，以冷卻轉子210、軸部112的基座以及/或加熱器136。或者或結合觀之，轉子210可進一步包括氣冷式鰭部(air-cooled fins，未示出)以利輻射冷卻轉子210。于使用氣冷式鰭部的實施例中，可額外使用風扇(未示出)以增加冷卻鰭部上的氣體流率。應可理解其它冷卻機制也可結合反應器100或其它具有旋轉升舉組件150的處理室。例如，風扇(未示出)可設于反應器100外側，以循環氣體并冷卻伸縮部216。雖然滑環234及旋轉街頭236或這兩者的均等物為不受限旋轉基板的方法所需， 應可理解的是馬達208提供的旋轉移動也可往復進行，而非單一方向持續轉動。這樣的話， 若僅需往復移動，可選擇性設置滑環234及旋轉接頭236。對此情況下的實施例而言，可藉可彎曲導管(未示出)，以及經由圖2所示的滑環234及旋轉接頭236提供電子及冷卻功能。潔凈氣體供應線225耦接至潔凈氣體供應器220以提供潔凈氣體(例如氮或其它任一處理惰性氣體)至伸縮部216及軸部112之間所設反應器100的內部體積218。內部體積218中的潔凈氣體可避免沉積材料被引入反應器100伸縮部216及/或軸部112的內側上。亦可選擇的是，潔凈氣體可自潔凈氣體供應器220經由供應線223供應至通道2 中。再參照圖1，于一實施例中，控制器130是耦接至處理室本體105，以接收來自傳感器的信號，這些信號可指示處理室壓力。控制器130也可耦接至氣體面板128，以控制一種或多種氣體或氣體至處理體積108的流動。控制器130可結合一種或多種壓力調節器或調節器使用，以調整或維持處理體積108內的所欲壓力。此外，控制器130可控制基板支撐件 110的溫度，并因此控制該基板支撐件110上所置放的基板的溫度。控制器更可耦接至旋轉升舉組件150，以于處理期間控制該旋轉升舉組件150的轉動。控制器130包括一存儲器，該存儲器含有呈計算機可讀取形式的指令，以控制氣體流動以及處理室中的壓力及基板支撐件110的溫度在前述參數范圍內，藉以依本發明于基板上形成材料層。于操作中，可利用旋轉升舉組件以最小化溫度影響及處理室內固有的流動不均勻性。例如，硬件制造及設置容忍度(例如機構及材料容忍度或裝置不同部件的精確性)的影響都會因使用旋轉升舉組件150對流動及溫度不均有緩和作用而得到降低。這種旋轉所形成的基板環境可對此等不均進行時間平均，從而使基板上有較均勻的薄膜厚度。薄膜厚度均勻度改良可應用于具有設于晶片上的氣體流入口的處理室(如圖1-2所示)，以及用于具有經配設能提供混合流(cross-flow)、或平行基板直徑的流的氣體流入口的處理室。例如，圖4繪示薄膜厚度不均勻度(軸40 與處理條件的數量表示(軸404)的圖表400，以百分比表示。此圖表的數據是CVD處理室中利用硅烷(SiH4)及氨(NH3)于300mm 裸硅基板上沉積氮化硅薄膜而得，與先前圖1-2所述類似。數據點406表示基板處理未經旋轉。數據點408表示基板處理同時作旋轉。在測量所有處理條件(例如，沿軸404)時， 數據點408顯示基板處理作旋轉時有較低的不均勻度百分比(與數據點406相比)。如另一實施例所示，圖5是繪示薄膜厚度不均勻度(于軸502上以百分比表示)對若干基板處理作旋轉或不作旋轉(軸504上有連續數字)時的圖表500。此圖表的數據是 CVD 處理室中利用二(叔丁氨基)硅烷(bis(tert-butylamino)silane，BTBAS)及氨(NH3) 于300mm裸硅基板上沉積硅氮化物薄膜而得，與圖1_2所述類似。數據點506代表基板處理同時旋轉基板。該數據點508顯示旋轉基板可改善(亦即，降低)薄膜厚度不均勻百分比，此乃與基板處理不旋轉相比而言(例如，數據點506)。如另一范例所示，圖6A-6B是分別在非旋轉及旋轉基板上形成的薄膜的薄膜厚度變化標繪圖。圖6A所示的標繪圖610是表示基板處理不旋轉時，基板表面上的薄膜厚度與標繪圖620(如圖6B所示，標繪圖620是對應基板處理同時旋轉基板)相比有較大變化。旋轉升舉組件150的另一優點在于，旋轉基板所形成的流動可能會進一步降低基板上的微粒污染。此外，因旋轉升舉組件150而旋轉基板所形成的增加流動成分，降低總流率便可減少惰性氣體及其它加入所得氣體的稀釋劑，以便維持均勻流動或處理室內相當均勻的流動。由于反應器100的處理體積108中反應物質有較大濃度，故稀釋氣體的降低有利于增加沉積率。前述使用旋轉升舉組件150的方法范例將詳述如下。于一實施例中，可于一特定處理循環中以360度的整數倍數(包括360度)旋轉該基板。或者，可在一特定處理循環的處理斜升部、穩定部及/或斜降部以360度的整數倍數旋轉基板。于另一實施例中，基板支撐件110上所支撐的基板可于一特定處理期間旋轉，以沉積均勻材料晶種層。于沉積晶種層后，晶種層上的大塊沉積可接著旋轉或不旋轉基板支撐件110來處理。基板可以適當剖面設備監控，以使支撐于旋轉升舉組件150上的基板旋轉可控制達多個處理循環，以得各處理循環內所欲沉積輪廓。各連續沉積循環也可適當監控及調整沉積輪廓，以使總沉積厚度輪廓等于所欲輪廓(例如，平坦狀)。此外，旋轉升舉組件150的轉速可依據基板處理期間測量或監控的特定變量而變化。例如，已知會影響沉積率的處理變量(例如溫度或壓力)、或經測量或計算的沉積率也可于處理期間控制基板支撐件110所支撐的基板轉速。例如，于慢沉積率期間基板可以較慢速度旋轉，而于較快沉積率期間可以較快速度旋轉。此外，處理期間旋轉升舉組件150所支撐的基板可遞增標定，而非一致旋轉。例如，可于一位置處理基板一段時間，接著標定基板至新位置一段接續時間。例如，基板可固定第一方向持續第一時間段，旋轉180度至第二方向并處理持續第二時間段。基板也可標定以排列移出處理室的基板。也可使用標定功能以記住處理室內的基板方位，使處理非均勻性或基板上檢測得的缺陷可關連至反應器100的特定區域。雖然前述方法及設備是關于低溫化學氣相沉積處理室，但應可理解的是其它處理室及其它薄膜沉積處理也可受惠于此處所述的旋轉基板支撐件150。例如，該旋轉升舉組件也可以原子層沉積(ALD)處理提供改良的薄膜厚度均勻性，該原子層沉積(ALD)處理單獨脈動地引入氣體先驅物，以于每次循環沉積一個原子層的薄膜。或者，旋轉升舉組件也可以紫外光或等離子體增強型熱沉積處理(紫外光或等離子體增強型熱沉積處理分別利用紫外光或等離子體以增加化學反應性)提供改善的薄膜厚度均勻性。雖然前述是關于本發明的該等實施例，然本發明其它及進一步實施例也可于不悖離本發明的基本范圍下做變化，且本發明的范圍是由權利要求決定的。
權利要求
1.一種用于處理基板的設備，包括 處理室；連接至該處理室的伸縮部；具有設置于該處理室中的加熱器的基板支撐件；以及將該基板支撐件連接至該伸縮部的密封塊。
2.如權利要求1所述的設備，其特征在于，該基板支撐件具有與該密封塊接觸的轉子。
3.如權利要求2所述的設備，其特征在于，還包括連接至該轉子的馬達。
4.如權利要求3所述的設備，其特征在于，還包括連接至該密封塊的升舉機構。
5.如權利要求4所述的設備，其特征在于，該伸縮部具有與該密封塊相接觸的安裝板。
6.一種用于處理基板的設備，包括 處理室；基板支撐件，該基板支撐件具有設置于該處理室中的加熱器和設置在該加熱器之下的支撐基座；伸縮部，該伸縮部連接至該處理室并圍繞該支撐基座； 密封塊，該密封塊將該支撐基座連接至該伸縮部； 馬達，該馬達連接至該支撐基座；以及升舉機構，該升舉機構連接至該伸縮部。
7.如權利要求6所述的設備，其特征在于，該伸縮部具有與該密封塊接觸的安裝板。
8.一種用于處理基板的設備，包括 處理室；以及基板支撐組件，設于該處理室內，該基板支撐組件包括 基板支撐件，具有支撐表面； 加熱器，設于該支撐表面下方； 軸部，耦接至該基板支撐件；馬達，經由轉子耦接至該軸部，以旋轉移動該基板支撐件；密封塊，設于該轉子的周圍，并與該轉子形成密封，該密封塊具有至少一密封件及至少一沿該密封塊及該軸部之間的接口設置的通道，以及耦接各通道以連接泵的端口 ；以及升舉機構，耦接至該軸部以上升及下降該基板支撐件。
9.如權利要求8所述的設備，其特征在于，該馬達以每分鐘在0-60轉的范圍內運行。
10.如權利要求8所述的設備，其特征在于，該馬達的穩定狀態的旋轉速度變化率為百分之一。
11.如權利要求8所述的設備，其特征在于，該馬達可標定到1度以下。
12.如權利要求8所述的設備，其特征在于，該密封塊還包括數個密封件，設于該密封塊及該軸部之間的接口處，其中至少一通道是設于數個密封件的兩個之間。
13.如權利要求8所述的設備，其特征在于，該密封塊還包括三個密封件及兩通道，設于該密封塊及該軸部之間的接口處，其中兩通道的各者是設置于三個密封件的兩個之間。
14.如權利要求8所述的設備，其特征在于，還包括數個孔徑，形成于該轉子的上表面中；以及數個銷，位于該軸部的底部，并延伸至該數個孔徑中。
15.如權利要求14所述的設備，其特征在于，還包括 凹口，形成于各銷中；以及可旋轉軸部，部分突入該孔徑且具有形成于該可旋轉軸部中的一凹口，在對齊時，可使銷自由移動進出該孔徑，且在未對齊時，可通過延伸至銷的凹口的方式避免銷移出該孔徑。
16.如權利要求8所述的設備，其特征在于，還包括 三個孔徑，形成于該轉子的上表面中；以及三個銷，位于該軸部的底部，每個銷延伸至該三個孔徑中的一個相應孔徑中。
17.如權利要求8所述的設備，其特征在于，還包括至少一絕緣導管，設于該軸部內，且自該基板支撐件的底表面延伸至該軸部的底部。
18.如權利要求8所述的設備，其特征在于，還包括控制器，耦接至該基板支撐組件，且具有數個指令以于處理期間旋轉該基板支撐組件。
19.如權利要求8所述的設備，其特征在于，該基板支撐件與該馬達同軸耦合，且其中該馬達的軸承支撐并安置該加熱器。
20.如權利要求8所述的設備，其特征在于，該基板支撐件直接由該馬達驅動。
全文摘要
本發明揭示一種利用旋轉基板支撐件處理一基板的方法及設備。于一實施例中，用于處理基板的設備包括一處理室，其中設有一基板支撐組件。該基板支撐組件包括一基板支撐件，該基板支撐件具有一支撐表面及一加熱器，該加熱器設于支撐表面下方。一軸部耦接至該基板支撐件，且馬達經由一轉子(rotor)耦接至該軸部，以使基板支撐件轉動。密封塊則設于該轉子周圍并與的形成密封。密封塊具有至少一密封件及至少一通道，沿該密封塊與該軸部間的接口處設置。各通道耦接有端口以連接至泵。升舉機構耦接至該軸部以提升與下降基板支撐件。
文檔編號C23C16/458GK102337521SQ20111033768
公開日2012年2月1日 申請日期2006年5月31日 優先權日2005年6月8日
發明者A·布萊烙夫, A·特安, B·特蘭, F·羅伯茨, G·拉玎, J·斯密斯, N·梅里, R·S·伊葉爾, R·安德芮斯, S·佐伊特, T·斯密克, 小羅伯特·謝杜 申請人:應用材料公司