專利名稱：磁記錄介質用玻璃基板的制造方法
技術領域：
本發明涉及磁記錄介質用玻璃基板的制造方法。
背景技術：
硬盤驅動器(HDD)所使用的磁記錄介質不斷謀求其記錄密度的顯著提高。特別是導入MR磁頭和PRML技術以來，面記錄密度的上升進一步加劇，近年來也導入GMR磁頭和TMR磁頭等，正在以I年約I. 5倍的速度持續增加，今后要求實現更高記錄密度化。
另外，隨著這樣的磁記錄介質的記錄密度的提高，對于該磁記錄介質用基板的要求也在提高。作為磁記錄介質用基板，一直以來使用鋁合金基板和玻璃基板。其中，玻璃基板在其硬度、表面平滑性、剛性、耐沖擊性方面一般比鋁合金基板優異。因此，能夠謀求高記錄密度化的磁記錄介質用玻璃基板的關注度在提高。制造磁記錄介質用玻璃基板時，從大的板狀的玻璃板切取圓盤狀的玻璃基板，或者使用成型模具從熔融玻璃直接壓制成型圓盤狀的玻璃基板，對由此得到的玻璃基板的主面和端面實施磨光(lap,磨削)加工和拋光(polish,研磨)加工。另外，在以往的磁記錄介質用玻璃基板的制造工序中，對玻璃基板的主面按順序進行一次磨光加工(磨削)、二次磨光加工(磨削)、一次拋光加工(研磨)、二次拋光加工(研磨)。然后，在這些加工工序之間加上對玻璃基板的內外周的端面的磨削加工和拋光加工。再者，作為與本發明相關的現有技術文獻，有例如下述專利文獻1、2。具體地講，在下述專利文獻I中公開了通過實施使用砂輪的內外周端面磨削加工、和內外周邊緣部倒角加工、使用作為研磨磨粒含有氧化鈰磨粒的漿液(游離磨粒)的內外周研磨加工來進行的玻璃基板的制造方法。另一方面，在下述專利文獻2中公開了下述內容作為磁盤用的玻璃基板的制造方法，按順序進行磨削環狀玻璃塊的內周和外周的端面的內外周端面磨削工序；將磨削了的環狀玻璃塊的內周和外周的端面進行蝕刻的蝕刻工序；將蝕刻了的環狀玻璃塊分離成一個個的環狀玻璃基板，并將分離了的環狀玻璃基板洗滌的分離洗滌工序；將洗滌了的環狀玻璃基板的內周和外周的邊緣部進行倒角的內外周倒角工序；將進行了倒角的環狀玻璃基板的內周和外周的端面、以及倒角部進行研磨的內外周研磨工序。現有技術文獻專利文獻I :日本特開2010-30807號公報專利文獻2 :日本特開2010-3365號公報

發明內容
然而，為了謀求上述的HDD的更高記錄密度化，需要使在HDD內的受限的空間所配置的磁記錄介質的枚數增加。作為其一種手段，可考慮磁記錄介質用玻璃基板的薄壁化，但該情況下對磁記錄介質用玻璃基板要求與目前同等或其以上的沖擊強度。
因此，在磁記錄介質用玻璃基板的制造中，出于除去成為沖擊強度降低的重大因素的、在玻璃基板的內外周端面或倒棱(倒角，chamfer)面產生的裂紋的目的，一般進行使用氧化鈰的化學機械研磨(CMP)來作為必需的工序。但是，近年來，在磁記錄介質用玻璃基板的拋光工序中成為不可缺少的氧化鈰的獲取正在變困難。因此，要求確立在磁記錄介質用玻璃基板的拋光工序中不使用氧化鈰，或者降低使用量，并且可得到與以往相同的程度的耐沖擊強度的磁記錄介質用玻璃基板的制造技術。另外，希望以高的生產率 制造這樣的磁記錄介質用玻璃基板。本發明是鑒于這樣的現有情況提出的，其目的在于提供一種能夠在拋光工序中不使用氧化鈰，或者降低其使用量，并且可得到充分的耐沖擊強度，同時以高的生產率制造這樣的磁記錄介質用玻璃基板的磁記錄介質用玻璃基板的制造方法。本發明提供以下的方案。(I) 一種磁記錄介質用玻璃基板的制造方法，其特征在于，包括對于具有中心孔的圓盤狀的玻璃基板的內外周端面至少實施磨削加工的工序，上述實施磨削加工的工序包括使用將金剛石磨粒用由金屬構成的粘結劑固定了的金屬粘結金剛石砂輪，磨削上述玻璃基板的內外周端面的一次磨削加工；和使用將金剛石磨粒用由樹脂構成的粘結劑固定了的樹脂粘結金剛石砂輪，磨削上述玻璃基板的內外周端面的二次磨削加工。(2)根據前項⑴所述的磁記錄介質用玻璃基板的制造方法，其特征在于，還包括對上述玻璃基板的內外周端面實施蝕刻加工的工序。(3)根據前項(I)或(2)所述的磁記錄介質用玻璃基板的制造方法，其特征在于，上述實施蝕刻加工的工序在上述一次或二次磨削加工之后進行。(4)根據前項(I) (3)的任一項所述的磁記錄介質用玻璃基板的制造方法，其特征在于，還包括對上述玻璃基板的內外周端面實施拋光加工的工序。(5)根據前項⑷所述的磁記錄介質用玻璃基板的制造方法，其特征在于，上述實施拋光加工的工序在上述二次磨削加工之后進行。(6)根據前項⑷或(5)所述的磁記錄介質用玻璃基板的制造方法，其特征在于，上述拋光加工不使用氧化鈰作為研磨劑來進行。(7)根據前項(I) (6)的任一項所述的磁記錄介質用玻璃基板的制造方法，其特征在于，上述金屬粘結金剛石磨粒的上述金剛石磨粒的平均粒徑為10 μ m 60 μ m，上述樹脂粘結金剛石磨粒的上述金剛石磨粒的平均粒徑為2 μ m 20 μ m。(8)根據前項(I) (7)的任一項所述的磁記錄介質用玻璃基板的制造方法，其特征在于，上述金屬粘結金剛石磨粒的上述粘結劑是鎳或鎳合金，上述樹脂粘結金剛石磨粒的上述粘結劑是酚樹脂。如以上那樣，在本發明中，能夠不進行使用了氧化鈰的拋光，或者降低其使用量，并且以高的生產率制造可得到充分的耐沖擊強度的磁記錄介質用玻璃基板。


圖I是用于說明應用了本發明的磁記錄介質用玻璃基板的制造工序的圖，是表示主面磨光(lapping)工序的立體圖。圖2是將在主面磨光工序中所使用的金剛石墊的墊面放大地表示的平面圖。圖3是用于說明應用了本發明的磁記錄介質用玻璃基板的制造工序的圖，是表示一、二次內外周端面磨削工序的立體圖。圖4是用于說明應用了本發明的磁記錄介質用玻璃基板的制造工序的圖，是表示內周端面拋光工序的立體圖。圖5是用于說明應用了本發明的磁記錄介質用玻璃基板的制造工序的圖,是表不外周端面拋光工序的立體圖。圖6是用于說明應用了本發明的磁記錄介質用玻璃基板的制造工序的圖，是表示主面拋光工序的立體圖。 圖7是表示在本發明中使用的磨光機或拋光機的其他構成例的立體圖。附圖標記說明10...磨光機；11、12·..平臺；20Α、20Β·..金剛石墊；20a...磨光面；2L ..凸部；
22...基材；30...磨削加工裝置；31a...第I內周砂輪；32a...第I外周砂輪；31b...第2內周砂輪；32b...第2外周砂輪；40...拋光機；41...內周研磨刷；50...拋光機；51...旋轉軸；52...外周研磨刷；60...拋光機；61、62...平臺；71...下平臺；72...上平臺；
73...托板；74...開口部；75...凹部；76...行星齒輪部；77...太陽齒輪部；78...固定齒輪部;W...玻璃基板;Χ·..置層體；S...隔尚件(spacer)。
具體實施例方式以下，參照附圖對于應用了本發明的磁記錄介質用玻璃基板的制造方法詳細地說明。應用本發明制造的磁記錄介質用玻璃基板,是具有中心孔的圓盤狀的玻璃基板，磁記錄介質由在該玻璃基板的面上依次層疊了磁性層、保護層和潤滑膜等而成的結構構成。另外，在磁記錄再生裝置(HDD)中，將該磁記錄介質的中心部安裝在主軸電動機的旋轉軸上，磁頭一邊在由主軸電動機旋轉驅動的磁記錄介質的面上浮起行走，一邊對磁記錄介質進行信息的寫入或讀取。再者，對于磁記錄介質用玻璃基板，可以使用例如SiO2-Al2O3-R2O (R表示選自堿金屬元素之中的至少I種以上)系化學強化玻璃、SiO2-Al2O3-Li2O系玻璃陶瓷、SiO2-Al2O3-MgO-TiO2系玻璃陶瓷等。其中，可以特別優選地使用SiO2-Al2O3-MgO-CaO-Li2O-Na2O-ZrO2-Y2O3-TiO2-As2O3 系化學強化玻璃、SiO2-Al2O3-Li2O-Na2O-ZrO2-As2O3 系化學強化玻璃、SiO2-Al2O3-MgO-ZnO-Li2O-P2O5-ZrO2-K2O-Sb2O3 系玻璃陶瓷、SiO2-Al2O3-MgO-CaO-BaO-TiO2-P2O5-As2O3 系玻璃陶瓷、Sio2-Al2O3-MgO-CaO-SrO-BaO-TiO2-ZrO2-Bi2O3-Sb2O3 系玻璃陶瓷等。此外，含有例如二硅酸鋰、SiO2系晶體(石英、方石英、鱗石英等)、堇青石、頑輝石、鈦酸鋁鎂、尖晶石系晶體([Mg和/或Ζη]Α1204、[Mg和/或Zn]2Ti04、以及這兩種晶體間的固溶體)、鎂橄欖石、鋰輝石以及這些晶體的固溶體等作為結晶相的玻璃陶瓷，適合作為磁記錄介質用玻璃基板。另外，在制造該磁記錄介質用玻璃基板時，首先，從大的板狀的玻璃板切取玻璃基板，或者使用成型模具從熔融玻璃直接壓制成型玻璃基板，由此得到具有中心孔的圓盤狀的玻璃基板。接著，對得到的玻璃基板的除了端面以外的表面(主面)實施磨光(磨削)加工和拋光(研磨)加工。另外，在這些工序之間，至少包括對玻璃基板的內外周的端面實施磨削加工的工序，進而，優選包括實施蝕刻加工的工序和實施拋光加工的工序。另外，本發明中，將對玻璃基板的內外周端面的磨削加工設為兩個階段(一次和二次磨削加工)。再者，在本發明中，也可以與上述磨削加工在同一工序中進行對玻璃基板的內外周端面的倒角加工。在應用了本發明的磁記錄介質用玻璃基板的制造方法中，可以使用含有金剛石磨粒的內外周砂輪，對玻璃基板的內外周端面同時地實施磨削加工(一次磨削加工)。通過接 下來進行的磨削加工(二次磨削加工)和/或蝕刻加工來除去此時有可能產生的微裂紋。由此，即使不進行對玻璃基板的內外周端面最后進行的拋光加工，或者將拋光加工簡化，也可以得到具有與目前同等的耐沖擊強度的磁記錄介質用玻璃基板。S卩，在現有的磁記錄介質用玻璃基板的制造工序中，在對玻璃基板的內外周端面的拋光加工中，進行使用了氧化鈰漿液的化學機械研磨(CMP)。在該拋光加工中將采用氧化鈰漿液的加工置換為例如采用氧化硅漿液的加工的情況、或省略了拋光加工的情況下，采用CMP的化學研磨作用變得不充分。因此，在本發明中，將該化學研磨作用置換為蝕刻加工，除去在玻璃基板的內外周端面產生的微裂紋，或者作為二次磨削加工使用將金剛石磨粒用由樹脂構成的粘結劑固定了的樹脂粘結砂輪，由此能夠除去在一次磨削加工中產生的微裂紋，防止新的微裂紋產生。由此，可以不使用在現有的拋光加工中所使用的(高價格的)氧化鈰漿液，或者降低其使用量，并且進行對玻璃基板的內外周端面的加工。另外，在本發明的對玻璃基板的內外周端面的拋光加工中，不需要現有的使用了氧化鈰漿液的拋光加工，可以僅設為使用氧化硅漿液的拋光加工。或者，可以減少使用氧化鈰漿液的拋光加工的時間，減少氧化鈰漿液的使用量。由此，在本發明中，能夠降低磁記錄介質用玻璃基板的研磨成本，得到高的生產率。以下，對于應用了本發明的磁記錄介質用玻璃基板的制造方法，一邊參照實施方式的例子一邊具體地說明。(實施方式的例子)在實施方式的例子中，按順序進行一次主面磨光工序、一次內外周端面磨削工序、二次內外周端面磨削工序、內外周端面蝕刻工序、內周端面拋光工序、二次主面磨光工序、三次主面磨光工序、外周端面拋光工序、和主面拋光工序。其中，在一次主面磨光工序中，使用如圖I所示的磨光機10，對玻璃基板W的兩主面(最終成為磁記錄介質的記錄面的面)實施一次磨光加工。即，該磨光機10具備上下一對的平臺11、12，一邊在相互反向地旋轉的平臺11、12之間夾住多枚玻璃基板W，一邊利用設置在平臺11、12的磨削墊磨削這些玻璃基板W的兩主面。用于一次磨光加工的磨削墊如圖2(a)、(b)所示，是金剛石磨粒用粘結劑(粘合劑)固定了的金剛石墊20A，而且，在其磨光面20a上排列設置有多個具有平坦的頂部的磚狀的凸部21。另外，該金剛石墊20A是將用粘結劑固定了金剛石磨粒的凸部21在基材22的表面排列多個而形成的。
在此，用于一次磨光加工的金剛石墊20A，優選使用凸部21的外形尺寸S為I. 5 5mm見方、高度T為O. 2 3mm、相鄰的凸部21之間的間隔G處于O. 5 3mm的范圍的墊。在本發明中，通過使用滿足上述范圍的金剛石墊20A，冷卻液和/或磨削液等均等地遍布，并且，能夠從磨光面20a的凸部21之間順利地排出磨削屑等。
另外，用于一次磨光加工的金剛石墊20A，優選使用金剛石磨粒的平均粒徑為4μπι 12μ ，在凸部21中的金剛石磨粒的含量處于5 70體積％的范圍的墊，更優選使用處于20 30體積％的范圍的墊。如果金剛石磨粒的粒徑和含量低于上述范圍，則導致加工時間的增大，因此成本變高，另一方面，如果金剛石磨粒的粒徑和含量大于上述范圍，則難以得到所希望的表面粗糙度。再者，金剛石墊20Α的粘結劑可以使用例如聚氨酯系樹月旨、酚系樹脂、密胺系樹脂、丙烯酸系樹脂等的樹脂。在一次內外周端面磨削工序中，使用如圖3所示的磨削加工裝置30，對玻璃基板W的中心孔的內周端面和玻璃基板W的外周端面實施磨削加工。即，該磨削加工裝置30具備第一內周砂輪31a和第一外周砂輪32a，一邊在使相互的中心孔一致的狀態下夾持隔離件S，使層疊了多枚玻璃基板W的疊層體X繞軸旋轉，一邊利用插入到各玻璃基板W的中心孔的第一內周砂輪31a和配置在各玻璃基板W的外周的第一外周砂輪32a徑向地夾住各玻璃基板W，使這些第一內周砂輪31a和第一外周砂輪32a與疊層體X反向地旋轉。然后，在利用第一內周砂輪31a磨削各玻璃基板W的內周端面的同時,利用第一外周砂輪32a磨削各玻璃基板W的外周端面。另外,第一內周砂輪31a和第一外周砂輪32a的表面具有在軸向上凸部和凹部交替地排列的波形形狀，因此能夠在磨削各玻璃基板W的內周端面和外周端面的同時，對各玻璃基板W的兩主面與內周端面以及外周端面之間的邊緣部分(倒棱面)實施倒角加工。第一內周砂輪31a和第一外周砂輪32a可使用將金剛石磨粒用由金屬構成的粘結劑固定了的金屬粘結金剛石砂輪。另外，作為由金屬構成的粘結劑，可以舉出銅、銅合金、鎳、鎳合金、鈷、碳化鎢等，其中優選使用鎳或鎳合金。第一內周砂輪31a和第一外周砂輪32a所含有的金剛石磨粒,優選平均粒徑為ΙΟμπι 60μηι。另外,第一內周砂輪31a和第一外周砂輪32a優選使用以30 95體積％的范圍含有上述金剛石磨粒的砂輪，更優選為50 85體積％的范圍。如果金剛石磨粒的粒徑和含量低于上述范圍，則導致加工時間的增大，因此成本變高。另一方面，如果金剛石磨粒的粒徑和含量大于上述范圍，則難以得到所希望的表面粗糙度。在二次內外周端面磨削工序中，使用如上述圖3所示的磨削加工裝置30，對玻璃基板W的中心孔的內周端面和玻璃基板W的外周端面實施二次磨削加工。即，該磨削加工裝置30具備與上述第I內周砂輪31a以及第I外周砂輪32a沿軸線方向連續地配置的第2內周砂輪31b以及第2外周砂輪32b，一邊在使相互的中心孔一致的狀態下夾持隔離件S，使層疊了多枚玻璃基板W的疊層體X繞軸旋轉，一邊利用插入到各玻璃基板W的中心孔的第2內周砂輪31b和配置在各玻璃基板W的外周的第2外周砂輪32b徑向地夾住各玻璃基板W，使這些第2內周砂輪31b和第2外周砂輪32b與疊層體X反向地旋轉。然后，在利用第2內周砂輪31b磨削各玻璃基板W的內周端面的同時，利用第2外周砂輪32b磨削各玻璃基板W的外周端面。而且,對各玻璃基板W的兩主面與內周端面以及外周端面之間的邊緣部分(倒棱面)實施倒角加工。
S卩，上述一次內外周端面磨削工序和二次內外周端面磨削工序，可以通過改變上述的第I內周砂輪31a以及第I外周砂輪32a、與第2內周砂輪31b以及第2外周砂輪32b的相對于玻璃基板W的內周端面以及外周端面的位置，來連續地進行一、二次磨削加工。第2內周砂輪31b和第2外周砂輪32b可使用將金剛石磨粒用由樹脂構成的粘結劑固定了的樹脂粘結金剛石。另外，作為由樹脂構成的粘結劑，可以舉出酚樹脂、苯酚芳烷基樹脂、聚酰亞胺樹脂、縮醛樹脂(acetal resin)、彈性橡膠等，其中優選使用酚樹脂。第2內周砂輪31b和第2外周砂輪32b所含有的金剛石磨粒,優選使用平均粒徑為2 μ m 20 μ m的范圍，并與上述第I內周砂輪31a和第I外周砂輪32a相比平均粒徑小的磨粒。另外，第2內周砂輪31b和第2外周砂輪32b優選使用以30 95體積％的范圍含有上述金剛石磨粒的砂輪，更優選為50 85體積％的范圍。如果金剛石磨粒的粒徑和含量低于上述范圍，則導致加工時間的增大，因此成本變高。另一方面，如果金剛石磨粒的粒徑和含量大于上述范圍，則難以得到所希望的表面粗糙度。在內外周端面蝕刻工序中，將玻璃基板W浸潰在蝕刻溶液中，對玻璃基板W的內外周端面進行蝕刻處理。該蝕刻處理，補充上述現有的使用了氧化鈰漿液的CMP化學研磨作用，除去在玻璃基板W的內外周端面產生的微裂紋。再者，如實施方式的例子那樣，在蝕刻加工前已經進行了倒角加工的情況下，不僅內外周端面，也能夠除去該倒角加工過的面(倒棱面)產生的微裂紋。具體地講，在該內外周端面蝕刻工序中，雖然省略圖示，但使在上述內外周端面磨削工序中實施了倒角加工的玻璃基板W的疊層體X在貯存于蝕刻槽的蝕刻溶液中浸潰，由此將各玻璃基板W的內外周端面進行蝕刻處理。通過該蝕刻處理，蝕刻溶液侵入到在上述內外周端面磨削工序中在玻璃基板W上產生的微裂紋中，微裂紋的尖端被蝕刻而成為圓底形狀。由此，成為即使對該部分施加應力，裂紋也不進一步發展的狀態。另外，對于深度淺的微裂紋，通過蝕刻被除去。其結果，被除去了微裂紋的玻璃基板W，機械強度(耐沖擊性)提高，使用了該玻璃基板W的磁記錄介質的耐沖擊性也提高。另外，在內外周端面蝕刻工序中，也可以使在上述內外周端面磨削工序中實施了倒角加工的各玻璃基板W在貯存于蝕刻槽的蝕刻溶液中浸潰，由此將各玻璃基板W的內外周端面進行蝕刻處理。這樣，蝕刻加工可以將玻璃基板W浸潰于蝕刻溶液來進行，但并不限定于采用這樣的浸潰的蝕刻加工，也可以通過在玻璃基板W的內外周端面涂布蝕刻溶液的方法等來進行蝕刻加工。作為蝕刻溶液，只要是具有對玻璃基板W的蝕刻作用的溶液即可，例如可以使用以氫氟酸(HF)和/或硅氟酸(H2SiF6)等為主成分的氟酸系蝕刻溶液，其中優選氫氟酸溶液。另外，也可以通過對這樣的氟酸系蝕刻溶液添加硫酸、硝酸、鹽酸等的無機酸來調整蝕刻力和/或蝕刻特性。另外，氟酸系蝕刻溶液，選擇不使磨削加工了玻璃基板W的內外周端面后的表面粗糙，并能夠除去在玻璃基板W的表面產生的微裂紋的濃度來使用即可，雖然沒有特別限定，但是可以在例如0.01 10質量％的范圍使用。
玻璃基板W的浸潰條件依賴于例如蝕刻溶液的種類和/或濃度、玻璃基板W的材質等，但是優選作為蝕刻溶液的溫度，設定在例如15 65°C的范圍，作為蝕刻(浸潰)時間，設定在例如O. 5 30分的范圍。具體地，可以例示在液溫30°C、濃度O. 5質量％的氫氟酸水溶液中浸潰15分左右的浸潰條件，或者，在液溫30°C、濃度I. 5質量％的氫氟酸和濃度
O.5質量％的硫酸的混合水溶液中浸潰10分左右的浸潰條件。再者，在該內外周端面蝕刻工序中，既可以蝕刻玻璃基板W全表面，也可以僅局部地蝕刻內外周端面。另外,蝕刻處理后，為了除去附著于玻璃基板W的蝕刻溶液，優選洗滌玻璃基板W。在內周端面拋光工序中，使用如圖4所示的拋光機40，對玻璃基板W的中心孔的內周端面實施拋光加工。即，該拋光機40具備內周研磨刷41，使上述疊層體X繞軸旋轉，同時一邊使插入到各玻璃基板W的中心孔的內周研磨刷41與玻璃基板W反向地旋轉，一邊上下方向地移動操作。此時,對內周研磨刷41滴加研磨液。然后,利用該內周研磨刷41研磨各玻璃基板W的內周端面。同時，也研磨在上述內外周端面磨削工序中實施了倒角加工的內周端面的邊緣部分(倒棱面)。再者，對于研磨液，可以使用例如將氧化硅(膠體二氧化硅)磨粒和/或氧化鈰磨粒分散于水而漿液化了的研磨液等。另外，拋光加工在其性質上不容易提高速度，與磨削加工相比需要長的加工時間。 另外，對玻璃基板W的內周端面(包含倒棱面)所要求的平滑性比對玻璃基板W的主面所要求的平滑性(Ra為O. 3 O. 5nm)低，Ry為ΙΟμπι以下(數μ m)的水平。因此，雖然也取決于研磨條件，但通常所使用的氧化硅(膠體二氧化硅)磨粒(粒徑為0.3μπι以下)過細，存在研磨花費的時間容易變長的傾向。從這樣的理由來看，氧化硅(膠體二氧化硅)磨粒優選平均粒徑為O. 4 μ m I μ m,更優選為O. 45 μ m O. 6 μ m。另外，在本發明中，通過實施對上述的玻璃基板W的內周端面的蝕刻加工，可以除去在該內周端面產生的微裂紋，因此在實施使用了氧化鈰漿液的拋光加工的情況下，可以比以往縮短加工時間。在二次主面磨光工序中，與一次主面磨光工序同樣地使用如上述圖I所示的磨光機10，對玻璃基板W的兩主面實施二次磨光加工。即，一邊在相互反向地旋轉的上下一對的平臺11、12之間夾住多枚玻璃基板W，一邊利用設置在平臺11、12的磨削墊磨削這些玻璃基板W的兩主面。用于二次磨光加工的磨削墊與上述圖2(a)、(b)所示的磨削墊20A同樣是金剛石磨粒用粘結劑(粘合劑)固定了的金剛石墊20B，而且，在其磨光面20a上排列設置有多個具有平坦的頂部的磚狀的凸部21。另外，該金剛石墊20B是將金剛石磨粒用粘結劑固定了的凸部21在基材22的表面排列多個而形成的。在此，用于二次磨光加工的金剛石墊20B與上述圖2(a)、(b)所示的金剛石墊20A同樣地，優選使用凸部21的外形尺寸S為I. 5 5mm見方、高度T為O. 2 3mm、相鄰的凸部21之間的間隔G處于O. 5 3_的范圍的墊。在本發明中，通過使用滿足上述范圍的金剛石墊20B，冷卻液和/或磨削液等能夠均等地遍布，并且，能夠從磨光面20a的凸部21之間順利地排出磨削屑等。另外，用于二次磨光加工的金剛石墊20B，優選使用金剛石磨粒的平均粒徑為I μ m 5 μ m,在凸部21中的金剛石磨粒的含量處于5 80體積％的范圍的墊,更優選使用處于50 70體積％的范圍的墊。如果金剛石磨粒的粒徑和含量低于上述范圍，則導致加工時間的增大，因此成本變高，另一方面，如果金剛石磨粒的粒徑和含量大于上述范圍，則難以得到所希望的表面粗糙度。再者，金剛石墊20B的粘結劑可以使用例如聚氨酯系樹月旨、酚系樹脂、密胺系樹脂、丙烯酸系樹脂等的樹脂。在三次主面磨光工序中，與一、二次主面磨光工序同樣地使用如上述圖I所示的磨光機10,對玻璃基板W的兩主面實施三次磨光加工。S卩，一邊在相互反向地旋轉的上下一對的平臺11、12之間夾住多枚玻璃基板W，一邊利用設置在平臺11、12的磨削墊磨削這些玻璃基板W的兩主面。用于三次磨光加工的磨削墊，與上述圖2(a)、(b)所示的磨削墊20A同樣是金剛石磨粒用粘結劑(粘合劑)固定了的金剛石墊20C，而且，在其磨光面20a上排列設置有多個具有平坦的頂部的磚狀的凸部21。另外，該金剛石墊20C是將金剛石磨粒用粘結劑固定了的凸部21在基材22的表面排列多個而形成的。在此，用于三次磨光加工的金剛石墊20C，與上述圖2(a)、(b)所示的金剛石墊20A同樣地，優選使用凸部21的外形尺寸S為I. 5 5mm見方、高度T為O. 2 3mm、相鄰的凸部21之間的間隔G處于O. 5 3_的范圍的墊。在本發明中，通過使用滿足上述范圍的金剛石墊20C，冷卻液和/或磨削液等能夠均等地遍布，并且，能夠從磨光面20a的凸部21之間順利地排出磨削屑等。另外，用于三次磨光加工的金剛石墊20C，優選使用金剛石磨粒的平均粒徑為
O.2 μ m以上且低于2 μ m，在凸部21中的金剛石磨粒的含量處于5 80體積％的范圍的墊，更優選使用處于50 70體積％的范圍的墊。如果金剛石磨粒的粒徑和含量低于上述范圍，則導致加工時間的增大，因此成本變高，另一方面，如果金剛石磨粒的粒徑和含量大于上述范圍，則難以得到所希望的表面粗糙度。再者，金剛石墊20C的粘結劑可以使用例如聚氨酯系樹脂、酚系樹脂、密胺系樹脂、丙烯酸系樹脂等的樹脂。在外周端面拋光工序中，使用如圖5所示的拋光機50，對玻璃基板W的外周端面實施拋光加工。即，該拋光機50具備旋轉軸51和外周研磨刷52，在使相互的中心孔一致的狀態下夾持隔離件S，使層疊了多枚玻璃基板W的疊層體X通過插入到各玻璃基板W的中心孔的旋轉軸51繞軸旋轉，同時一邊使接觸各玻璃基板W的外周端面的外周研磨刷52與疊層體X反向地旋轉，一邊上下方向地移動操作。此時，對外周研磨刷52滴加研磨液。然后,利用該外周研磨刷52研磨各玻璃基板W的外周端面。同時，也研磨在上述內外周磨光工序中實施了倒角加工的外周端面的邊緣部分(倒棱面)。再者，對于研磨液，可以使用將例如氧化硅(膠體二氧化硅)磨粒和/或氧化鈰磨粒分散于水而漿液化了的研磨液等。另外，拋光加工在其性質上不容易提高速度，與磨削加工相比需要長的加工時間。另外，對玻璃基板W的外周端面(包含倒棱面)所要求的平滑性比對玻璃基板W的主面所要求的平滑性(Ra為O. 3 O. 5nm)低，Ry為ΙΟμπι以下(數μ m)的水平。因此，雖然也取決于研磨條件，但通常所使用的氧化硅(膠體二氧化硅)磨粒(粒徑為0.3μπι以下)過細，存在研磨花費的時間容易變長的傾向。從這樣的理由來看，氧化硅(膠體二氧化硅)磨粒優選平均粒徑為O. 4 μ m I μ m,更優選為O. 45 μ m O. 6 μ m。另外，在本發明中，通過實施對上述的玻璃基板W的外周端面的蝕刻加工，可以除去在該外周端面產生的微裂紋，因此在實施使用了氧化鈰漿液的拋光加工的情況下，可以比以往縮短加工時間。在主面拋光工序中，使用如圖6所示的拋光機60，對玻璃基板W的兩主面實施拋光加工。即，該拋光機60具備上下一對的平臺61、62，一邊在相互反向地旋轉的平臺61、62、之間夾住多枚玻璃基板W，一邊利用設置在平臺61、62的研磨墊研磨這些玻璃基板W的兩主面。用于拋光加工的研磨墊是由例如氨基甲酸乙酯形成的硬質研磨布。另外，利用該研磨墊研磨(拋光)玻璃基板W的兩主面時，對玻璃基板W滴加研磨液。對于研磨液，可以使用將例如氧化硅(膠體二氧化硅)磨粒分散于水而漿液化了的研磨液等。如以上那樣實施 了磨光加工、磨削加工和拋光加工的玻璃基板W被送到最終洗滌工序和檢查工序。然后，在最終洗滌工序中，采用例如并用超聲波的使用洗滌劑(藥品)的化學洗滌等的方法，洗滌玻璃基板W，進行在上述工序中使用的研磨劑等的除去。另外，在檢查工序中，通過使用例如激光的光學式檢查器，進行玻璃基板W的表面(主面、端面和倒棱面)的損傷和變形的有無等的檢查。在本發明中，作為在上述的實施方式的各磨光加工和磨削加工中所使用的磨削液，可以使用市售的磨削液。作為磨削液，大致上區分，有水性的磨削液和油性的磨削液。水性的磨削液是添加了純水、適量的醇、作為粘度調整劑的聚乙二醇、胺、表面活性劑等的磨削液。另一方面，油性的磨削液是適量添加了油、作為極壓添加劑的硬脂酸等的磨削液。作為市售的磨削液，可以使用例如水性的Sabrelube 9016 (Chmetall公司制)、COOLANTD3(才、才^公司制)等。再者，在本發明中，也可以對在上述的實施方式的各磨光加工和磨削加工中所使用的磨削液、以及在拋光加工中所使用的研磨液添加研磨助劑和/或防蝕劑。具體地講，研磨助劑是含有至少具有磺酸基或羧酸基的有機聚合物的研磨助劑，其中，優選使用具有磺酸鈉或羧酸鈉的平均分子量為4000 10000的有機聚合物。由此，可以在上述工序中將玻璃基板W的表面(主面、端面和倒棱面)更加平滑化。另外，作為含有磺酸鈉或羧酸鈉的有機聚合物，可以舉出例如GER0P0N SC/213(商品名 /Rhodia)、GER0P0N T/36 (商品名 /Rhodia)、GER0P0N TA/10(商品名 /Rhodia)、GER0P0N TA/72 (商品名 /Rhodia)、二工一、y WG-5 (商品名 / 竹本油脂(株))、了夕''
丨J '/一>G-200(商品名/花王(株))、尹 一>EP廣勺夕'一(商品名/花王(株))、于'飛一斤RNL(商品名/花王(株))、4 ”八> 600-SF35(商品名/(株)夕9 > )、>夕一0M(商品名/日本油脂(株))、Sokalan CP9(商品名/ '一工一工m B八 > (株))、Sokalan PA_15(商品名 / 匕'一工一工\ > (株))、卜今寸 7 > GR-31A(商品
名/三洋化成工業(株))、^ >求一 > 7248 (商品名/東邦化學工業(株))、'> Y 口一 >AN-103P(商品名/第一工業制藥(株))、7 口 >T-40(商品名/東亞合成化學工業(株))、八于力Y々CP(商品名/日本化藥(株))、于M ^ 口一 >H12C(商品名/日本乳化劑(株))等。另外，作為研磨助劑，其中特別優選使用〒 一 > RNL (商品名/花王(株))、# V ^夕一 0Μ(商品名/日本油脂(株))。另外，使用該玻璃基板W制作的磁記錄介質，一般在磁性層中含有Co、Ni、Fe等的容易腐蝕的物質。因此，通過對上述的磨削液和/或研磨液添加防蝕劑，能夠防止磁性層的腐蝕，得到電磁轉換特性優異的磁記錄介質。作為防蝕劑，優選使用苯并三唑或其衍生物。另外，作為苯并三唑的衍生物，可以使用將苯并三唑具有的I個或2個以上的氫原子用例如羧基、甲基、氨基、羥基等取代了的衍生物等。進而，作為苯并三唑的衍生物，可以使用4-羧基苯并三唑或其鹽、7-羧基苯并三唑或其鹽、苯并三唑丁基酯、I-羥基甲基苯并三唑、I-羥基苯并三唑等。防蝕劑的添加量，相對于在金剛石衆液的使用時的總量，優選為I質量％以下，更優選為O. OOl O. I質量％。再者，本發明未必限定于上述實施方式，在不脫離本發明的要旨的范圍可以加以各種的變更。例如，對于在上述的實施方式的各磨光工序中所使用的磨光機、以及在拋光工序中所使用的拋光機，也可以例如如圖7所示地形成為下述的構成具備上下一對的下平臺71以及上平臺72、和在下平臺71的與上平臺72相對的面上配置的多個托板73，在設置于 各托板73的多個(在本實施方式中為35個)的開口部74安置玻璃基板(未圖示出)，將這些多個玻璃基板的兩主面利用設置在下平臺71和上平臺72的磨削墊磨削或利用研磨墊研磨。具體地講，下平臺71和上平臺72通過利用驅動電動機(未圖示出)將設置在各自的中心部的旋轉軸71a、72a旋轉驅動，可在使相互的中心軸一致的狀態下相互反向地旋轉。另外，在下平臺71的與上平臺72相對的面上設置有用于配置多個(在本實施方式中為5個)托板(托架，carrier) 73的凹部75。多個托板73由將通過混入例如芳族聚酰胺(aramid)纖維和/或玻璃纖維而強化了的環氧樹脂等形成為圓盤狀的材料構成。并且，這些多個托板73在凹部75的內側在旋轉軸71a的周圍排列地配置。另外，在各托板73的外周部，遍布全周地設置有行星齒輪部76。另一方面，在凹部75的內周部，以與各托板73的行星齒輪部76嚙合的狀態設置有與旋轉軸71a —同旋轉的太陽齒輪部77，并在凹部75的外周部設置有與各托板73的行星齒輪部76嚙合的固定齒輪部78。由此，如果太陽齒輪部77與旋轉軸71a —起旋轉，則通過太陽齒輪部77以及固定齒輪部78與行星齒輪部76的嚙合，多個托板73 —邊在凹部75內在旋轉軸71a的周圍與該旋轉軸71a同向地旋轉(公轉)，一邊繞相互的中心軸與旋轉軸71a反向地旋轉(自轉)，進行所謂的行星運動。因此，在上述的實施方式的各磨光工序中所使用的磨光機、以及在拋光工序中所使用的拋光機中，通過采用上述構成，可以一邊使保持在各托板73的開口部75的多個玻璃基板進行行星運動，一邊將其兩主面利用設置在下平臺71和上平臺72的磨削墊磨削或利用研磨墊研磨。另外，在該構成的情況下，能夠更加精度良好、并且迅速地進行對玻璃基板的磨削或研磨。實施例以下，利用實施例使本發明的效果變得更加清楚。再者，本發明不限定于以下的實施例，在不改變其要旨的范圍可以適當改變來實施。(實施例I)在實施例I中，首先，使用外徑48mm、中央孔12mm、厚度O. 560mm的玻璃基板(才^ 9 公司制，TS-10SX)。然后，對該玻璃基板按順序進行一次主面磨光工序、一次內外周端面磨削工序、二次內外周端面磨削工序、內外周端面蝕刻工序、內周端面拋光工序、二次主面磨光工序、三次主面磨光工序、外周端面拋光工序、和主面拋光工序。
具體地講，在一次主面磨光工序中，使用具備上下一對的平臺的磨光機，一邊在相互反向地旋轉的平臺之間夾住多枚的玻璃基板，一邊將這些玻璃基板的兩主面利用設置在平臺的磨削墊磨削。此時，一次磨光加工的磨削墊使用金剛石墊(住友3M公司制的卜’ λ
卜(商品名))。該金剛石墊，其凸部的外形尺寸為2. 6mm見方、高度為2mm、相鄰的凸部之間的間隔為1mm、金剛石磨粒的平均粒徑為9 μ m，凸部的金剛石磨粒的含量約為20體積％，作為粘結劑使用丙烯酸系樹脂。另外，磨光機使用四道型雙面研磨機(浜井產業株式會社制16B型)，平臺的轉速設為25rpm、加工壓力設為120g/cm2，進行15分鐘的磨削。磨削液是將COOLANT D3(彳、才 > 公司制)用水稀釋到10倍后使用，玻璃基板的每一面的磨削量設為約100 μ m。在一次內外周端面磨削工序中，使用具備內周砂輪和外周砂輪的磨削加工裝置，一邊在使相互的中心孔一致的狀態下夾持隔離件，使層疊了多枚玻璃基板的疊層體繞軸旋轉，一邊利用插入到各玻璃基板的中心孔的內周砂輪和配置在各玻璃基板W的外周的外周砂輪徑向地夾住各玻璃基板，一邊使這些內周砂輪和外周砂輪與疊層體反向地旋轉，一邊 在利用內周砂輪磨削各玻璃基板的內周端面的同時，利用外周砂輪磨削各玻璃基板的外周端面。此時，內周砂輪和外周砂輪使用含有80體積％的平均粒徑20 μ m的金剛石磨粒、并使用鎳合金作為粘結劑的砂輪。然后，將內周砂輪的轉速設為1200rpm、外周砂輪的轉速設為600rpm,進行30秒鐘的磨削,將磨削量設為約100 μ m。在二次內外周端面磨削工序中，內周砂輪和外周砂輪使用了含有70體積％的平均粒徑為10 μ m的金剛石磨粒、并使用酚樹脂作為粘結劑的砂輪。然后，將內周砂輪的轉速設為900rpm、外周砂輪的轉速設為600rpm，進行20秒鐘的磨削，將磨削量設為約ΙΟμπι。除此以外，采用與上述一次內外周端面磨削工序相同的磨削加工裝置和相同的方法進行了磨削加工。再者，磨削后的磨削面的中心線平均粗糙度Ra為O. 18 μ m,最大高度Rmax為I. 2 μ m。在內外周端面蝕刻工序中，將玻璃基板浸潰在蝕刻溶液中，對玻璃基板W的內外周端面實施了蝕刻處理。蝕刻溶液使用濃度I. 5質量％的氫氟酸與O. 5質量％的硫酸的混合水溶液，液溫為30°C、浸潰時間為10分鐘。蝕刻處理在夾持隔離件層疊了 25枚玻璃基板的狀態下，僅使各玻璃基板的內外周端面接觸蝕刻溶液來進行。然后，在蝕刻處理后使用純水洗滌玻璃基板。在內周端面拋光工序中，使用具備內周研磨刷的拋光機,一邊對內周研磨刷滴加研磨液，一邊使上述疊層體繞軸旋轉，同時一邊使插入到各玻璃基板的中心孔的內周研磨刷與玻璃基板反向地旋轉，一邊上下方向地移動操作，由此研磨了各玻璃基板的內周端面。此時，內周研磨刷使用尼龍刷，研磨液使用將固體成分含有率為40質量％的二氧化硅研磨材料溶液(平均粒徑O. 5μπι、7 y' ^公司制的Compol)加到水中，調制成二氧化硅含有率為I質量％的氧化硅漿液。然后，將內周研磨刷的轉速設為300rpm，進行10分鐘的研磨。在二次主面磨光工序中，使用具備上下一對的平臺的磨光機，一邊在相互反向地旋轉的平臺之間夾住多枚玻璃基板，一邊將這些玻璃基板的兩主面利用設置在平臺的磨削墊磨削。此時，二次磨光加工的磨削墊使用金剛石墊(住友3M公司制卜9 4々卜(商品名))。該金剛石墊，其凸部的外形尺寸為2. 6mm見方、高度為2mm、相鄰的凸部之間的間隔為1mm、金剛石磨粒的平均粒徑為3 μ m，凸部中的金剛石磨粒的含量約為50體積％，作為粘結劑使用丙烯酸系樹脂。另外，磨光機使用四道型雙面研磨機(浜井產業株式會社制16B型)，平臺的轉速設為25rpm、加工壓力設為120g/cm2，進行10分鐘的磨削。磨削液是將COOLANTD3 (彳、才7公司制)用水稀釋到10倍來使用，玻璃基板的每一面的磨削量設為約30 μ m。在三次主面磨光工序中，使用具備上下一對的平臺的磨光機，一邊在相互反向地旋轉的平臺之間夾住多枚玻璃基板，一邊將這些玻璃基板的兩主面利用設置在平臺的磨削墊磨削。此時，三次磨光加工的磨削墊使用金剛石墊(住友3M公司制卜5 4〒々卜(商品名))。該金剛石墊，其凸部的外形尺寸為2. 6mm見方、高度為2mm、相鄰的凸部之間的間隔為1mm、金剛石磨粒的平均粒徑為O. 5μπι，凸部中的金剛石磨粒的含量約為60體積％，作為粘結劑使用丙烯酸系樹脂。另外，磨光機使用四道型雙面研磨機(浜井產業株式會社制16Β型)，平臺的轉速設為25rpm、加工壓力設為120g/cm2，進行10分鐘的磨削。磨削液是將COOLANT D3(彳、才 > 公司制)用水稀釋到10倍來使用，玻璃基板的每一面的磨削量設為約10 μ m0 在外周端面拋光工序中，使用具備外周研磨刷的拋光機,一邊對外周研磨刷滴加研磨液，一邊再次將在使相互的中心孔一致的狀態下隔著隔離件層疊了多枚玻璃基板的疊層體，通過插入到各玻璃基板的中心孔的旋轉軸繞軸旋轉，同時一邊使接觸各玻璃基板的外周端面的外周研磨刷與疊層體反向地旋轉，一邊上下方向地移動操作，由此研磨各玻璃基板的外周端面。此時，外周研磨刷使用尼龍刷，研磨液使用將固體成分含有率為40質量％的二氧化硅研磨材料溶液(平均粒徑O. 5μ m、7 y' ^公司制的Compol)加到水中，調制成二氧化硅含有率為I質量％的氧化硅漿液。然后，將研磨刷的轉速設為300rpm，進行10分鐘的研磨。在主面拋光工序中，使用具備上下一對的平臺的拋光機，一邊在相互反向地旋轉的平臺之間夾住多枚玻璃基板，并對玻璃基板滴加研磨液，一邊利用設置在平臺的磨削墊磨削這些玻璃基板的兩主面。此時，拋光加工的研磨墊使用絨面革(suede)型(Filwel制)，研磨液使用將固體成分含有率為40質量％的二氧化硅研磨材料溶液(平均粒徑0. 08 μ m、7 ^ S制的Compol)加到水中，調制成二氧化硅含有率為0. 5質量％的研磨漿液。另外，拋光機使用四道型雙面研磨機(浜井產業株式會社制16B型)，一邊以7升/分供給研磨液，一邊將平臺的轉速設為25rpm、加工壓力設為llOg/cm2，進行30分鐘的研磨。玻璃基板的每一面的研磨量設為約2 μ m。然后，對得到的玻璃基板進行并用超聲波的采用陰離子性表面活性劑的化學洗滌、和采用純水的洗滌，制造了實施例I的磁記錄介質用玻璃基板。(實施例2)在實施例2中，不進行上述實施例I的內外周端面蝕刻工序，除此以外，與實施例I同樣地進行磁記錄介質用玻璃基板的制造。(實施例3)在實施例3中，不進行上述實施例I的內外周端面拋光工序，除此以外，與實施例I同樣地進行磁記錄介質用玻璃基板的制造。(實施例4)在實施例4中，不進行上述實施例I的內外周端面蝕刻工序和內外周端面拋光工序，除此以外，與實施例I同樣地進行磁記錄介質用玻璃基板的制造。
(比較例I)在比較例I中，在二次內外周端面磨削工序中，內周砂輪和外周砂輪使用了含有70體積％的平均粒徑為IOym的金剛石磨粒、并使用鎳合金作為粘結劑的砂輪。然后，將內周砂輪的轉速設為600rpm、外周砂輪的轉速設為300rpm，進行10秒鐘的磨削，將磨削量設為約ΙΟμπι。再者，磨削后的磨削面的中心線平均粗糙度Ra為0.34 μ m，最大高度Rmax為
·1.98 μ m。除此以外,與實施例I同樣地進行磁記錄介質用玻璃基板的制造。然后，進行了對于由這些實施例I 4和比較例I得到的磁記錄介質用玻璃基板的耐沖擊強度的評價。該耐沖擊度的評價，是通過將各磁記錄介質用玻璃基板裝卡在電動機的主軸上，使該玻璃基板一邊在Orpm 20000rpm的范圍反復進行急加減速一邊旋轉,調查玻璃基板的破損率來進行的。其結果，實施例I的玻璃基板的破損率為4%，實施例2的玻璃基板的破損率為6%，實施例3的玻璃基板的破損率為7%，實施例4的玻璃基板的破損率為9%，比較例I的玻璃基板的破損率為19%。
權利要求
1.一種磁記錄介質用玻璃基板的制造方法，其特征在于，包括對于具有中心孔的圓盤狀的玻璃基板的內外周端面至少實施磨削加工的工序，所述實施磨削加工的工序包括使用將金剛石磨粒用由金屬構成的粘結劑固定了的金屬粘結金剛石砂輪，磨削所述玻璃基板的內外周端面的一次磨削加工；和使用將金剛石磨粒用由樹脂構成的粘結劑固定了的樹脂粘結金剛石砂輪，磨削所述玻璃基板的內外周端面的二次磨削加工。
2.根據權利要求I所述的磁記錄介質用玻璃基板的制造方法，其特征在于，還包括對所述玻璃基板的內外周端面實施蝕刻加工的工序。
3.根據權利要求I或2所述的磁記錄介質用玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述實施蝕刻加工的工序在所述一次或二次磨削加工之后進行。
4.根據權利要求I 3的任一項所述的磁記錄介質用玻璃基板的制造方法，其特征在于,還包括對所述玻璃基板的內外周端面實施拋光加工的工序。
5.根據權利要求4所述的磁記錄介質用玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述實施拋光加工的工序在所述二次磨削加工之后進行。
6.根據權利要求4或5所述的磁記錄介質用玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述拋光加工不使用氧化鈰作為研磨劑來進行。
7.根據權利要求I 6的任一項所述的磁記錄介質用玻璃基板的制造方法，其特征在于， 所述金屬粘結金剛石磨粒的所述金剛石磨粒的平均粒徑為10 μ m 60 μ m, 所述樹脂粘結金剛石磨粒的所述金剛石磨粒的平均粒徑為2 μ m 20 μ m。
8.根據權利要求I 7的任一項所述的磁記錄介質用玻璃基板的制造方法，其特征在于， 所述金屬粘結金剛石磨粒的所述粘結劑是鎳或鎳合金， 所述樹脂粘結金剛石磨粒的所述粘結劑是酚樹脂。
全文摘要
本發明提供一種磁記錄介質用玻璃基板的制造方法，該制造方法在拋光工序中不使用氧化鈰或者降低其使用量，并且可得到充分的耐沖擊強度，同時能夠以高的生產率制造這樣的磁記錄介質用玻璃基板。本發明的制造方法包括對于具有中心孔的圓盤狀的玻璃基板的內外周端面至少實施磨削加工的工序，實施磨削加工的工序包括使用將金剛石磨粒用由金屬構成的粘結劑固定了的金屬粘結金剛石砂輪，磨削玻璃基板的內外周端面的一次磨削加工；和使用將金剛石磨粒用由樹脂構成的粘結劑固定了的樹脂粘結金剛石砂輪，磨削玻璃基板的內外周端面的二次磨削加工。
文檔編號B24D3/28GK102642161SQ20121003278
公開日2012年8月22日 申請日期2012年2月14日 優先權日2011年2月16日
發明者羽根田和幸 申請人:昭和電工株式會社