專利名稱：成膜裝置及基板處理裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種成膜裝置及基板處理裝置。
背景技術：
作為半導體制造工藝中的成膜方法，公知有如下工藝在真空氣氛下使第I反應氣體吸附在作為基板的半導體晶圓(以下，稱作“晶圓”)等的表面上之后，將所供給的氣體切換為第2反應氣體，通過兩氣體反應而形成I層或多層的原子層、分子層，多次進行該循環，從而對上述層進行層疊，在基板上進行成膜。該工藝被稱作例如ALD (Atomic LayerDeposition :原子層沉積)、MLD (Molecular Layer Deposition :分子層沉積)等。例如，在美國專利公報7, 153，542號、日本專利3144664號公報、美國專利公報6，869，641號、日本特開2007-247066號等中記載有進行這種處理的裝置。 作為適于這種成膜方法的例子，例如可列舉出用于柵極氧化膜的高電介質膜的成膜。列舉一個例子來說，當形成硅氧化膜(SiO2膜)時，作為第I反應氣體(原料氣體)，例如使用雙叔丁基氨基硅烷(以下，稱作“BTBAS”)氣體等，作為第2反應氣體(氧化氣體)，使用
臭氧氣體等。作為實施這種成膜方法的裝置，研究了使用將多張基板沿旋轉方向配置在真空容器內的旋轉臺上而進行成膜處理的裝置。更具體地說，在這種成膜裝置中，例如在上述真空容器內的旋轉臺的旋轉方向上相互分開的位置形成有多個通過供給各不相同的反應氣體來進行成膜處理的處理區域，另外，在上述旋轉方向上的處理區域與處理區域之間的區域構成為具有分離氣體供給部件的分離區域，該分離氣體供給部件供給用于分離上述處理區域的氣氛氣體的分離氣體。在進行成膜處理時，從上述分離氣體供給部件供給分離氣體，該分離氣體在旋轉臺上向旋轉方向兩側擴散，在分離區域中形成用于阻止各種反應氣體彼此混合的分離空間。而且，供給到處理區域的反應氣體例如與擴散到該旋轉方向兩側的分離氣體一同從設置在真空容器內的排氣口排出。這樣在處理區域供給處理氣體，在分離區域供給分離氣體，另一方面，使上述旋轉臺旋轉而使載置在該臺上的晶圓從一個處理區域向另一個處理區域、從另一個處理區域向一個處理區域交替反復移動，進行ALD或MLD處理。另外，分離區域的適當的大小因所使用的氣體的種類等處理條件的不同而各種各樣。例如，與處理氣體中的分子的吸附所需的時間較短的情況相比，在處理氣體中的分子的吸附需要較長時間的處理的情況下，抑制處理區域的大小的方式是有效的。另外，在氧化需要比較長的時間的處理的情況下，較大地設定在旋轉方向上從供給氧化用的氣體的區域至分離區域為止的長度的方式是有效的。另外，也可想到以使3種以上的氣體在晶圓上相互發生反應的方式設置處理區域并在各個處理區域之間配置分離區域。這樣，適當的處理區域的配置及分離區域的配置因處理而不同。另外，在這種成膜裝置中，若供給到不同處理區域的反應氣體彼此混合并發生反應，就會產生微粒，因此，為了防止這種混合而需要控制排氣氣流的形成方向。因此，如果如上所述處理區域的數量、分離區域的配置發生變化，則需要根據上述各個區域的配置來變更真空容器內的排氣氣流。但是，每次變更處理時在真空容器上形成排氣口會花費勞力和時間。在上述專利文獻的成膜裝置中并未記載有這種問題，并不能解決該問題。

發明內容
本發明的一個技術方案提供一種成膜裝置，其通過在處理容器內使旋轉臺旋轉，向該旋轉臺上的基板依次供給多種反應氣體，層疊反應生成物的層來形成薄膜，其特征在于，該成膜裝置包括多個處理區域，其在上述旋轉臺的旋轉方向上相互分開地設置；多個反應氣體供給部件，其用于向上述多個處理區域分別供給種類互不相同的反應氣體；分離區域，其在上述旋轉方向上位于上述多個處理區域之間，用于將上述多個處理區域的氣氛氣體相互分離，并且設有用于供給分離氣體的分離氣體供給部件；多個排氣口，其設在處理容器上，用于分別排出上述多個處理區域的氣氛氣體；以及排氣路徑形成構件，其針對每個處理區域獨立地形成開口部和排氣路徑，使得所排出的各個處理區域的氣氛氣體彼此不會混合，該開口部分別開設于上述多個處理區域，該排氣路徑用于將處理區域的氣氛氣體從各個開口部向所對應的排氣口引導，能夠利用排氣路徑形成構件來改變上述開口部在上述 旋轉方向上的位置。


圖I是本發明的成膜裝置的縱剖視圖。圖2是表示上述成膜裝置的內部的概略結構的立體圖。圖3是上述成膜裝置的俯視圖。圖4是設于上述成膜裝置的氣流形成構件的正面側立體圖。圖5是上述氣流形成構件的背面側立體圖。圖6是上述氣流形成構件的A-A向視縱剖立體圖。圖7是上述氣流形成構件的B-B向視縱剖立體圖。圖8是上述氣流形成構件的C-C向視縱剖立體圖。圖9是形成在上述成膜裝置中的氣流的說明圖。圖10是表示成膜裝置的其他結構的俯視圖。圖11是表示其他氣流形成構件的橫剖俯視圖。圖12是上述氣流形成構件的D-D向視縱剖側視圖。圖13是上述氣流形成構件的E-E向視縱剖立體圖。圖14是上述氣流形成構件的F-F向視縱剖立體圖。圖15是表不又一氣流形成構件的立體圖。圖16是表示上述氣流形成構件的立體圖。圖17是表示再一氣流形成構件的立體圖。
具體實施例方式以下，參照

本發明的實施方式。第I個例子
說明作為本發明的實施方式的成膜裝置I。成膜裝置I對作為基板的半導體晶圓(以下，記為晶圓)W 進行 ALD (Atomic Layer Deposition)及 MLD (Molecular LayerDeposition)。圖I、圖2、圖3分別是成膜裝置I的縱剖側視圖、概略立體圖、橫剖俯視圖。成膜裝置I具有大致圓形狀的扁平的真空容器(處理容器)11和水平設置在真空容器11內的圓板狀的旋轉臺12。真空容器11設置在大氣氣氛中，由頂板13和容器主體14構成，該容器主體14形成了真空容器11的側壁及底部。圖I中附圖標記Ila是用于將真空容器11內保持為氣密的密封構件，附圖標記14a是封堵容器主體14的中央部的罩。圖中附圖標記12a是旋轉驅動機構，使旋轉臺12沿周向旋轉。在旋轉臺12的表面上，沿著該旋轉臺12的旋轉方向形成有5個凹部16。圖中附圖標記17為輸送口。圖3中附圖標記18為對輸送口 17自由開閉的開閉器(在圖2中省略)。若輸送機構2A以保持有晶圓W的狀態從輸送口 17進入真空容器11內，則未圖示的升降銷從面對輸送口 17的位置處的凹部16的孔16a突出到旋轉臺12之上并上推晶圓W，在凹部16與輸送機構2A之間交接晶圓W。當從真空容器11輸出晶圓W時，升降銷上推凹部16內的晶圓W，上述輸送機構2A接收被上推后的晶圓W，向真空容器11之外輸出。
·
在旋轉臺12上，沿周向依次配置有分別從旋轉臺12的外周向中心延伸的桿狀的第I反應氣體噴嘴21、分離氣體噴嘴22、第2反應氣體噴嘴23及分離氣體噴嘴24。上述氣體噴嘴21 氣體噴嘴24在下方具有開口部，沿著旋轉臺12的徑向分別供給氣體。第I反應氣體噴嘴21噴出BTBAS (雙叔丁基氨基硅烷)氣體，第2反應氣體噴嘴23噴出O3 (臭氧)氣體。分離氣體噴嘴22、24噴出N2 (氮)氣體。真空容器11的頂板13具有兩個向下方突出的扇狀的突狀部25，突狀部25在周向上隔開間隔地形成。上述分離氣體噴嘴22、24分別嵌入于突狀部25，并且設置為沿周向分割該突狀部25。上述第I反應氣體噴嘴21及第2反應氣體噴嘴23與各個突狀部25分開地設置。將第I反應氣體噴嘴21的下方的氣體供給區域設為第I處理區域P1，將第2反應氣體噴嘴23的下方的氣體供給區域設為第2處理區域P2。突狀部25、25的下方構成為分離區域D、D0在進行成膜處理時從分離氣體噴嘴22、24供給到上述分離區域D的N2氣體在該分離區域D中沿周向擴散，防止BTBAS氣體與O3氣體在旋轉臺12上混合，將剩余的BTBAS氣體及O3氣體向后述的氣流形成構件4的開口部沖走。另外，在進行該成膜處理時，將N2氣體供給到旋轉臺12的中心部區域28。該N2氣體經由頂板13中的呈環狀向下方突出的突出部29的下方供給到旋轉臺12的徑向外側，防止BTBAS氣體與O3氣體在上述中心部區域中混合。另外，雖然省略了圖示，但是N2氣體也供給到罩14a內及旋轉臺12的背面側，以便吹掃反應氣體。在真空容器11的底部設有加熱器19，經由旋轉臺12將晶圓W加熱到規定的溫度。圖中附圖標記19A是用于防止對加熱器19進行成膜的屏蔽件。在真空容器11的側壁上以互不相同的高度開設有第I排氣口 31及第2排氣口 32。在該例子中，旋轉臺12沿俯視順時針方向旋轉，排氣口 31、32在上述旋轉方向上設在處理區域P2與在該處理區域P2的下游側相鄰的分離區域D之間的區域的徑向外側。但是，利用后述的氣流形成構件能夠從任意的位置進行排氣，因此，作為排氣口 31、32的位置，并不限于該例子。
在真空容器11的外側設有連接部33、34，經由上述連接部33、34在排氣口 31、32上分別連接有排氣管35。在真空容器11的底面的周緣部設有環狀的凹部40。而且，在旋轉臺12與真空容器11的側壁的內周面IlA之間設有將環分割為大致一半的形狀的排氣路徑形成構件4，排氣路徑形成構件4的下方側以嵌入到上述凹部40內的方式配置。在該例子中，排氣路徑形成構件4從第2處理區域P2的下游側沿著旋轉臺12的旋轉方向朝向第I處理區域Pl的下游側延伸。圖4、圖5分別表示排氣路徑形成構件4的正面側(朝向旋轉臺12的那一側)、背面偵儀朝向真空容器11的內周面IlA的那一側)。另外，圖6、圖7、圖8分別表示圖3的A-A、B-B、C-C向視剖面。參照上述圖說明排氣路徑形成構件4。排氣路徑形成構件4包括朝向旋轉臺12的內周板41、設在內周板41上的上板42以及構成上述旋轉方向上的兩端部的豎板43、43，設有由上述各個板圍成的空間。即，排氣路徑形成構件4構成為背面側及底面側開放的箱體。而且，以將由上述各個板圍成的空間分隔成兩個空間的方式設有隔板44。該隔板44在從比內周板41的上端靠下方的高度向旋轉臺12的徑向外側延伸之后，向下方彎曲 90° ,其頂端進一步向旋轉臺12的徑向外側彎曲90°。該排氣路徑形成構件4與上述凹部40的底面IlB及真空容器11的內周面IlA —同形成被隔板44相互劃分的兩個排氣路徑。將隔板44的上方側的排氣路徑設為第I排氣路徑45，將下方側的排氣路徑設為第2排氣路徑46。在內周板41上設有與第I排氣路徑45連接的第I開口部47和與第2排氣路徑46連接的第2開口部48。在該例子中，第I開口部47位于第I處理區域Pl的旋轉方向下游側。第2開口部48開設在比第I處理區域Pl的旋轉方向上游側的分離區域D進一步靠上游側的位置。能夠利用排氣路徑形成構件來改變排氣路徑形成構件4的開口部47、48的位置。在此，所謂的利用排氣路徑形成構件來改變開口部的位置包括為了通過在開口部在旋轉方向上相對于排氣口的開口位置相互不同的排氣路徑形成構件彼此之間進行更換來改變開口部的位置，以相對于真空容器(處理容器)自由裝卸的方式構成排氣路徑形成構件；通過由多個分割片構成排氣路徑形成構件，相對于其他分割片的位置改變一個分割片的位置，從而改變開口部的位置；為了通過在開口位置相互不同的兩個分割片中的一個分割片相對于另一個分割片進行更換來改變開口部的位置，以相對于另一分割片自由裝卸的方式構成一個分割片。該例子中的排氣路徑形成構件4構成為相對于真空容器11自由裝卸。在隔板44及內周板41上形成有供氣體噴嘴21、24貫通的貫通孔49A、49B。上述隔板44以如圖6及圖7所示那樣使第I排氣路徑45與上述第I排氣口 31連接、如圖8所示那樣使第2排氣路徑46與上述第2排氣口 32連接的方式分隔各個排氣路徑45、46。BP,第I處理區域Pl的氣氛氣體經由第I開口部47及第I排氣路徑45從第I排氣口 31排出，第2處理區域P2的氣氛氣體經由第2開口部48及第2排氣路徑46從第2排氣口 34排出。接著，說明該成膜裝置I的作用。從外部利用輸送機構2A經由輸送口 17將晶圓W依次交接到旋轉臺2的凹部16。將晶圓W載置于各個凹部16后，利用分別與第I排氣口31及第2排氣口 32連接的真空泵進行排氣，從經由排氣路徑形成構件4與上述第I排氣口 31連接的第I開口部47及與第2排氣口 32相連接的第2開口部48對真空容器11內進行排氣，真空容器11內成為真空氣氛。然后，旋轉臺12旋轉，并且利用加熱器19隔著旋轉臺12將晶圓W加熱到例如350°C。接著，從各個氣體噴嘴21 氣體噴嘴24供給氣體，晶圓W交替地通過第I反應氣體噴嘴21的下方的第I處理區域Pl和第2反應氣體噴嘴23的下方的第2處理區域P2，BTBAS氣體吸附在晶圓W上，接著吸附O3氣體，使BTBAS分子氧化，從而形成I層或多層的氧化硅的分子層。這樣，氧化硅的分子層依次層疊而形成規定膜厚的硅氧化膜。在圖9中用箭頭表示真空容器11內的氣體的氣流，用實線箭頭表示由第I開口部47排出的氣體的氣流，用虛線箭頭表示由第2開口部48排出的氣體的氣流。圖中附圖標記30的箭頭表示旋轉臺12的旋轉方向。也參照該圖9來繼續說明，在進行上述成膜處理時從分離氣體噴嘴22、24供給到上述分離區域D的N2氣體在該分離區域D中沿周向擴散，防止BTBAS氣體與O3氣體在旋轉臺12上混合。另外，在進行該成膜處理時，N2氣體供給到旋轉臺12的中心部區域28上的空間中。該N2氣體經由在頂板13中的呈環狀向下方突出的突出部29的下方供給到旋轉臺12的徑向外側，防止BTBAS氣體與O3氣體在上述中心部區域 28中混合。另外，雖然省略了圖示，但是N2氣體也供給到罩14a內及旋轉臺12的背面側，以便吹掃反應氣體。由于從開設于第I處理區域Pl的第I開口部47進行排氣，因此供給到第I處理區域Pl的剩余的BTBAS氣體、從中心部區域28向第I處理區域Pl噴出的N2氣體以及從分離區域D向第I處理區域Pl擴散的N2氣體流入該第I開口部47。另外，由于從開設于第2處理區域P2的第2開口部48進行排氣，因此供給到第2處理區域P2的剩余的O3氣體、從中心部區域28向第2處理區域P2噴出的N2氣體以及從分離區域D向第2處理區域P2擴散的N2氣體流入該第2開口部48。流入第I開口部47的氣體經由排氣路徑形成構件4的第I排氣路徑45從第I排氣口 31排出，流入第2開口部48的氣體經由排氣路徑形成構件4的第2排氣路徑46從第2排氣口 32排出。這樣，BTBAS氣體、O3氣體分別通過相互劃分成的排氣路徑45、46排出，因此能夠防止上述氣體混合而產生微粒。若旋轉臺12旋轉規定的轉數而形成了規定膜厚的硅氧化膜，則停止供給各種氣體，加熱器19的溫度降低。然后，利用輸送機構2A將晶圓W輸出到真空容器11的外側。采用該成膜裝置1，利用排氣路徑形成構件4的第I開口部47將處理區域Pl的氣氛氣體經由第I排氣路徑45向第I排氣口 31排出，該第I排氣路徑45與用于排出處理區域P2的氣氛氣體的第2排氣路徑46劃分開并且沿著旋轉臺12的旋轉方向設置，該第I排氣口 31在旋轉臺12的旋轉方向上位于與第I開口部47錯開的位置。通過這樣具有排氣路徑形成構件4，無論排氣口 31、排氣口 32的位置如何，都能夠控制排出旋轉臺12上的氣氛氣體的位置。在該例子中，第I排氣口 31并未開設于第I處理區域P1，但是由于不必使該第I排氣口 31如此開設于處理區域P1，因此能夠抑制制造裝置所需的勞力和時間。第2個例子圖10示出了成膜裝置I的其他結構例。在該例子中，在旋轉臺12上沿順時針方向依次配置有第I反應氣體噴嘴21、分離氣體噴嘴22、第2反應氣體噴嘴23、分離氣體噴嘴24、第I反應氣體噴嘴21、分離氣體噴嘴22、第2反應氣體噴嘴23、分離氣體噴嘴24，構成為在旋轉臺12的一次旋轉過程中能夠進行兩次BTBAS氣體的分子的吸附及上述分子的氧化。而且，在各個反應氣體噴嘴之間形成有由突狀部25構成的分離區域D，以便防止反應氣體在旋轉臺12上混合。另外，在圖10中省略了旋轉臺12上的晶圓W的記載。設于該成膜裝置I的排氣路徑形成構件5以包圍旋轉臺12的方式構成為環狀，第I排氣路徑45及第2排氣路徑46也形成為環狀。而且，以能夠吸引各個處理區域Pl的氣氛氣體的方式設有兩個第I開口部47，以能夠吸引各個處理區域P2的氣氛氣體的方式設有兩個第2開口部48。除了這種不同點以外，排氣路徑形成構件5與排氣路徑形成構件4同樣地構成，第I開口部47開設在第I排氣路徑45上，第2開口部48開設在第2排氣路徑46上。而且，與第I個例子同樣地如箭頭所示那樣BTBAS氣體及N2氣體被從第I開口部47吸引而在第I排氣路徑45中流動，O3氣體及N2氣體被從第2開口部48吸引而在第2排氣路徑46中流動，互不混合地從排氣口 31、32排出。根據排氣路徑形成構件的開口部47、48的位置來指定由排氣口 31、32對真空容器11內進行排氣的排氣位置。因而，在如此在第I個例子與第2個例子之間改變分離區域D及處理區域P的數量及配置的情況下，只要通過相互替換排氣路徑形成構件4、5來改變開 口部47、48在旋轉方向上的位置及數量即可，不必改變排氣口 31、32的配置。因而，能夠抑制因這種變更處理而變更裝置結構所需的勞力和時間。第3個例子另外，作為排氣路徑形成構件的形狀，并不限于該例子，例如也可以不利用真空容器11的內周面IlA和真空容器11的凹部20的底面IlB就構成第I排氣路徑、第2排氣路徑，圖11示出了這種排氣路徑形成構件6。以與排氣路徑形成構件4的不同點為中心進行說明，該排氣路徑形成構件6形成為由內周板41、上板42、豎板43、43、底板61及設在上述真空容器11的內周面IlA側的外周板62圍成的箱狀，該箱內的空間被上下延伸的隔板44分隔為外周側、內周側而形成有第I排氣路徑45、第2排氣路徑46。圖12、圖13、圖14分別示出了圖11中的D-D、E-E、F-F向視剖面。如圖12所示，在隔板44上以與第I開口部47重疊的方式設有開口部63，還設有連接上述開口部47、63的筒狀體64。通過如此構成，從第I開口部47流入的氣體不會泄漏到第2排氣路徑46中就導入到第I排氣路徑45。另外，如圖13所示，外周板62在與第I排氣口 31重疊的位置具有開口部65，由此能夠對第I排氣路徑45進行排氣。另外，如圖14所示，在隔板44及外周板62上，在與第2排氣口 32重疊的位置設有開口部66、67，設有將上述開口部66、67相互連接的筒狀體68。通過如此構成，從而從第2開口部48流入第2排氣路徑46的氣體不會泄漏到第I排氣路徑45中就被排出。第4個例子而且，作為排氣路徑形成構件，也可以如圖15所示那樣構成。在該例子中示出的排氣路徑形成構件7由用于形成排氣路徑45、46的主體部71和用于形成開口部的罩(開口部形成構件)72以被分割開的方式構成。主體部71與作為第3個例子所示的排氣路徑形成構件6大致同樣地構成，作為不同點，與排氣路徑形成構件5同樣地形成為環狀，在內周板41上設有橫向較長的狹縫73、74。上述狹縫73、74分別與第I排氣路徑45、第2排氣路徑46連接。S卩，狹縫73、74相當于分別沿橫向較寬地形成排氣路徑形成構件6的第I開口部47、第2開口部48的部分。罩72構成為環狀的豎板，相對于主體部71自由裝卸并且構成為在旋轉臺12的旋轉方向上相對于主體部71的安裝位置自由改變。在罩72上設有第I開口部47、第2開口部48。如圖16所示，分別從狹縫73與第I開口部47重疊的區域、狹縫74與第2開口部48重疊的區域進行排氣。即，利用罩72的開口部47、48的位置確定排氣的位置。通過使罩72在上述旋轉方向上相對于主體部71偏移地安裝罩72，能夠偏移上述開口部47、48，因此能夠從期望的位置進行排氣。另外，準備多個在旋轉方向上分別不同的位置設有開口部47、48的罩72，根據分離區域D及處理區域P的配置來選擇性地安裝這些罩72，從而也可以改變開口部47、48的位置。在該第4個例子中，也與其他各個例子同樣地不必與處理位置相應地偏移排氣口的位置，因此能夠抑制變更排氣氣流所需的勞力和時間。在其他的各個例子中也可以設置這種罩72來控制排氣位置。另外，圖17示出了由罩75與主體部71構成的排氣路徑形成構件70的例子。罩75以在主體部71的內周板41的任意位置自由裝卸的方式構成。利用該罩75封堵狹縫73、74的一部分，能夠將未被罩73覆蓋的區域構成為第I開口部47、第2開口部48。如在各個例子中說明的那樣能夠從排氣路徑形成構件的開口部排出各個處理區 域的氣氛氣體，因此，作為各個排氣口的位置，不限于已述的例子，既可以設在處理區域的徑向外側位置，也可以設在分離區域的徑向外側位置，還可以設在真空容器11的底面。另夕卜，作為成膜用的氣體，也可以取代如上所述從各個氣體噴嘴向下方噴出，而從旋轉臺12的旋轉中心側向該旋轉臺12的外側噴出。另外，在上述例子中，在第I處理區域及第2處理區域中分別供給成膜用的氣體的成膜裝置中應用了排氣路徑形成構件，但是也可以在一個處理區域中向晶圓W供給反應氣體來在晶圓W上進行成膜，在另一個處理區域中供給非活性氣體來對形成在晶圓W上的膜進行退火處理。另外，也可以在一個處理區域中如此進行成膜，在另一個處理區域中供給氧化用氣體并且對該氧化用氣體進行等離子體化而進行膜的氧化。作為等離子體處理，不限于氧化處理，也可以進行氮化處理。另外，在各個處理區域中，也可以通過向晶圓W供給互不相同的氣體來對形成在晶圓W上的膜進行蝕刻處理。而且，也可以在裝置中設置3處以上的利用不同的氣體進行處理的處理區域，利用分離區域D對該各個處理區域之間進行劃分。采用本公開，能夠不改變排氣口的位置就使多個處理區域的氣氛氣體互不混合而分別向所對應的排氣口排出。采用本公開，設于處理容器的排氣路徑形成構件具有開口部，其分別開設于多個處理區域；排氣路徑，其從各個開口部向所對應的排氣口相互獨立地引導處理區域的氣氛氣體，能夠利用排氣路徑形成構件來改變上述開口部在旋轉臺的旋轉方向上的位置。由此，能夠從任意位置進行排氣，能夠使供給到各個處理區域的反應氣體互不混合地向排氣口排出。因而，在進行處理區域或分離區域的位置變更時，不必進行排氣口的位置變更，因此能夠抑制變更裝置結構所需的勞力和時間。以上，利用實施例說明了成膜裝置及基板處理裝置，但是本發明并不限制于上述實施例，能夠在不脫離本發明的范圍內對上述實施例實施各種變形、改進及替換。本申請基于2011年7月21日申請的日本國申請2011-160211來主張優先權，在此引用該優先權申請的內容來構成本說明書的一部分。
權利要求
1.一種成膜裝置，其通過在處理容器內使旋轉臺旋轉，向該旋轉臺上的基板依次供給多種反應氣體，層疊反應生成物的層來形成薄膜，其特征在于， 該成膜裝置包括 多個處理區域，其在上述旋轉臺的旋轉方向上相互分開地設置； 多個反應氣體供給部件，其用于向上述 多個處理區域分別供給種類互不相同的反應氣體； 分離區域，其在上述旋轉方向上位于上述多個處理區域之間，用于將上述多個處理區域的氣氛氣體相互分離，并且設有用于供給分離氣體的分離氣體供給部件； 多個排氣口，其設在處理容器上，用于分別排出上述多個處理區域的氣氛氣體；以及排氣路徑形成構件，其針對每個處理區域獨立地形成開口部和排氣路徑，使得所排出的各個處理區域的氣氛氣體彼此不會混合，該開口部分別開設于上述多個處理區域，該排氣路徑用于將處理區域的氣氛氣體從各個開口部向所對應的排氣口引導， 能夠利用排氣路徑形成構件來改變上述開口部在上述旋轉方向上的位置。
2.根據權利要求I所述的成膜裝置，其特征在于， 與上述排氣路徑形成構件的一個開口部連接的一個排氣路徑和與其他開口部連接的其他排氣路徑相互并列地沿著旋轉臺的旋轉方向形成。
3.根據權利要求I所述的成膜裝置，其特征在于， 排氣路徑形成構件為了改變上述開口部在上述旋轉方向上的位置而以相對于處理容器自由裝卸的方式構成。
4.根據權利要求I所述的成膜裝置，其特征在于， 排氣路徑形成構件由用于形成各個排氣路徑的主體部和用于構成各個開口部的開口部形成構件構成，該排氣路徑形成構件以開口部形成構件在上述旋轉方向上相對于上述主體部的位置自由改變的方式構成。
5.根據權利要求I所述的成膜裝置，其特征在于， 根據排氣路徑形成構件的上述開口部的位置來指定由上述排氣口對真空容器內進行排氣的排氣位置，能夠通過改變上述開口部的位置來改變上述排氣位置。
6.一種基板處理裝置，其通過在處理容器內使旋轉臺旋轉，向該旋轉臺上的基板依次供給多種反應氣體，進行氣體處理，其特征在于， 該基板處理裝置包括 多個處理區域，其在上述旋轉臺的旋轉方向上相互分開地設置； 多個反應氣體供給部件，其用于向上述多個處理區域分別供給種類互不相同的反應氣體； 分離區域，其在上述旋轉方向上位于上述多個處理區域之間，用于將上述多個處理區域的氣氛氣體相互分離，并且設有用于供給分離氣體的分離氣體供給部件； 多個排氣口，其設在處理容器上，用于分別排出上述多個處理區域的氣氛氣體；以及排氣路徑形成構件，其針對每個處理區域獨立地形成開口部和排氣路徑，使得所排出的各個處理區域的氣氛氣體彼此不會混合，該開口部分別開設于上述多個處理區域，該排氣路徑用于將處理區域的氣氛氣體從各個開口部向所對應的排氣口引導， 能夠利用排氣路徑形成構件來改變上述開口部在上述旋轉方向上的位置。
全文摘要
本發明提供成膜裝置及基板處理裝置。成膜裝置包括多個處理區域，在旋轉臺的旋轉方向上相互分開地設置；多個反應氣體供給部件，向多個處理區域分別供給種類互不相同的反應氣體；分離區域，在旋轉方向上位于處理區域之間，將多個處理區域的氣氛氣體相互分離，設有用于供給分離氣體的分離氣體供給部件；多個排氣口，設在處理容器上，分別排出多個處理區域的氣氛氣體；排氣路徑形成構件，針對每個處理區域獨立地形成開口部和排氣路徑，使得所排出的各個處理區域的氣氛氣體彼此不會混合，開口部分別開設于多個處理區域，排氣路徑將處理區域的氣氛氣體從各個開口部向所對應的排氣口引導，能利用排氣路徑形成構件來改變開口部在旋轉方向上的位置。
文檔編號C23C16/455GK102888595SQ20121025165
公開日2013年1月23日 申請日期2012年7月19日 優先權日2011年7月21日
發明者本間學 申請人:東京毅力科創株式會社