專利名稱：一種用于真空鍍膜的工藝氣體二元布氣裝置的制作方法
技術領域：
—種用于真空鍍膜的工藝氣體二元布氣裝置 [技術領域]本實用新型涉及真空鍍膜的布氣裝置技術領域，具體是一種用于真空鍍膜的工藝氣體二元布氣裝置。真空鍍膜一般有三種形式，即蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。其中，磁控濺射原理為電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛向基片。氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子(或分子)沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛侖磁力的影響，被束縛在靠近靶面的等離子體區域內，該區域內等離子體密度很高，二次電子在磁場的作用下圍繞靶面作圓周運動，該電子的運動路徑很長，在運動過程中不斷的與氬原子發生碰撞電離出大量的氬離子轟擊靶材，經過多次碰撞后電子的能量逐漸降低，擺脫磁力線的束縛，遠離靶材，最終沉積在基片上。磁控濺射就是以磁場束縛和延長電子的運動路徑，改變電子的運動方向，提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。真空磁控濺射鍍膜中，工藝氣體如Ar、02、N2等，在陰極靶長度方向的均勻分布，對靶材利用率和鍍膜質量有著至關重要的影響。傳統的磁控濺射鍍膜線將工藝氣體管路布置在陰極靶的兩邊，且主氣路和輔助氣路上下分開布置，工藝氣體通過出氣嘴沿水平方向噴出，實際使用中工藝氣體沿靶長度方向達不到均勻分布的狀態，對靶材利用率和鍍膜質量都有較大的影響；且由于主、輔氣路為多級管狀結構，結構復雜；其左右分開、懸掛布置的方式也占用空間，給安裝、維護都帶來較大的困難。本實用新型就是為了解決現有技術中的不足，提供一種結構新穎，安全可靠，實現磁控濺射鍍膜連續、穩定、正常運行的一種用于真空鍍膜的工藝氣體二元布氣裝置。為實現上述目的，提供一種用于真空鍍膜的工藝氣體二元布氣裝置，包括蓋板I、主氣板2、底板3和擋板4，其特征在于蓋板I、主氣板2和底板3依次組合連接設置于陰極蓋板下表面，蓋板I、主氣板2和底板3左右兩側各設有一擋板4,主氣板2下表面交替開設有若干主氣體出氣溝槽和輔助氣體出氣溝槽，所述的主氣體出氣溝槽和輔助氣體出氣溝槽對應位置分別設有主氣體出氣口和輔助氣體出氣口，主氣板2上表面開設有主氣體二元結構布氣溝槽5和若干通孔10，二元結構布氣溝槽5終端設有若干通孔11，通孔11與主氣板2下表面的主氣體二元結構出氣溝槽聯通，底板3上表面設有輔助氣體二元結構布氣溝槽
6、7、8，輔助氣體二元結構布氣溝槽6、7、8沿陰極靶長度方向分為獨立的三至七段，在輔助氣體二元結構布氣溝槽6、7、8 二元結構的終端通過通孔12以及主氣板2上的通孔10與主氣板2下表面的輔助氣體二元結構出氣溝槽聯通。所述的主氣板2沿陰極靶長度方向在下表面兩側分別開設有主、輔氣體出氣口，且每側依次交替為主氣體出氣口和輔助氣體出氣口。[0006]所述的蓋板I、主氣板2、底板3和陰極蓋板各結合面處設有密封劑。本實用新型解決了現有磁控濺射鍍膜中工藝氣體沿靶長度方向不能均勻分布的問題，提供了一種基于二元結構的主、輔氣體布氣裝置，從而實現了工藝氣體沿陰極靶長度方向的均勻分布，提高靶材利用率和鍍膜質量。本實用新型同現有技術相比，其有益效果是I.采用二元布氣結構，使得每個二元結構終端工藝氣體出氣口出氣量相同，從而給工藝氣體沿陰極靶長度方向能夠均勻分布做了前提保障。2.鍍膜過程中由于各種因素的影響，使得主氣路工藝氣體沿陰極靶長度方向的分布并不均勻，而輔助氣路采用分段式設計，可以根據鍍膜過程中工藝氣體沿陰極靶長度方向的分布狀態分別控制每段輔助氣路的供氣量，從而解決了工藝氣體沿陰極靶長度方向不能均勻分布的問題。3.由于本實用新型能夠使得工藝氣體沿陰極靶長度方向的均勻分布，從而能夠提高靶材利用率和鍍膜質量。4.不僅簡化了結構，而且節省安裝空間，給安裝、維護帶來方便。圖I為本實用新型二元布氣裝置安裝位置示意圖；圖2 Ca)為本實用新型的主氣板上表面結構示意圖；圖2 (b)為本實用新型的底板上表面結構示意圖；圖3為本實用新型的局部主氣板下表面結構圖；圖4為本實用新型圖I中的的蓋板、主氣板、底板三層結構示意圖；如圖所示，圖中包括了以下部件為蓋板，2為主氣板,3為底板,4為擋板，5、6、7、8為布氣溝槽，9、10、11、12為通孔，13為主氣體出氣溝槽，14為輔助氣體出氣溝槽；指定圖I為本實用新型的摘要附圖
。
以下結合附圖對本實用新型作進一步說明，這種裝置的結構和原理對本實用新型來說是非常清楚的。本實用新型為一種用于真空鍍膜的工藝氣體二元布氣裝置，包括陰極蓋板，其特征在于它由蓋板、主氣板、底板和擋板組成。蓋板、主氣板和底板依次組合安裝在陰極蓋板下表面，擋板布置在其兩邊。主氣板下表面交替開有主氣體出氣溝槽和輔助氣體出氣溝槽；主氣板上表面開有主氣體二元結構布氣溝槽。輔助氣體二元結構布氣溝槽布置在底板上表面，沿陰極靶長度方向可分為獨立的三至七段，分別獨立的控制沿陰極靶長度方向不同位置的輔助工藝氣體供氣量。本裝置能夠實現工藝氣體沿陰極靶長度方向的均勻分布；同時，本裝置具有精簡結構、易安裝維護的優點。在上述的主要技術方案的基礎上，可以增加以下進一步完善的技術方案主氣板沿陰極靶長度方向在下表面兩側分別開有主、輔氣體出氣口，且每側依次交替為主氣體出氣口和輔助氣體出氣口，為工藝氣體沿陰極靶長度方向的均勻分布提供了前提保障。蓋板、主氣板、底板和陰極蓋板各結合面處可增加密封劑，所述的密封劑用以提高各結合面處的密封效果，防止工藝氣體在二元結構溝槽內流動時的泄漏。如圖I、圖2 (a)、圖2 (b)、圖3、圖4所示，蓋板I、主氣板2和底板3依次組合，用螺栓固定在陰極蓋板下表面，擋板4用螺栓安裝在其兩邊。主氣板2下表面交替開有主氣體出氣溝槽和輔助氣體出氣溝槽，且依次交替為主氣體出氣口和輔助氣體出氣口 ；主氣板2上表面開有主氣體二元結構布氣溝槽5，在二元結構的終端通過通孔11與主氣板2下表面的主氣體二元結構出氣溝槽聯通。輔助氣體二元結構布氣溝槽6、7、8布置在底板3 上表面，沿陰極靶長度方向可分為獨立的三至七段，在二元結構的終端通過通孔12以及主氣板2上的通孔10與主氣板2下表面的輔助氣體二元結構出氣溝槽聯通。本實用新型將主氣路工藝氣體經由陰極蓋板內引入底板3上的通孔9，經由通孔9到達主氣板2上表面的主氣體二元結構布氣溝槽5，經主氣體二元布氣結構后到達通孔11，主氣路工藝氣體穿過主氣板2后到達主氣板2下表面的主氣體二元結構出氣溝槽，經由主氣板2兩側的主氣體出氣口噴出。主氣體二元布氣結構保證了主氣板2兩側的主氣體出氣口工藝氣體流出量相同。輔助氣路工藝氣體經由陰極蓋板內弓I入底板3上表面的各段輔助氣體二元結構布氣溝槽6、7、8，經由二元結構布氣溝槽的終端通孔12以及主氣板2上的通孔10到達主氣板2下表面的輔助氣體二元結構出氣溝槽，經由主氣板2兩側的輔助氣體出氣口噴出。各段獨立的輔助氣體二元布氣結構可以保證每段二元布氣結構的終端出氣口工藝氣體流出量相同；同時可以獨立控制沿靶長度方向各段輔助工藝氣體的出氣量。最終，經由主、輔氣體出氣口噴出的工藝氣體經擋板4變向后向下噴射，從而給磁控濺射鍍膜提供了沿陰極靶長度方向均勻分布的工藝氣體。
權利要求1.一種用于真空鍍膜的工藝氣體二元布氣裝置，包括蓋板(I)、主氣板(2)、底板(3)和擋板(4)，其特征在于蓋板(I)、主氣板(2)和底板(3)依次組合連接設置于陰極蓋板下表面，蓋板(I)、主氣板(2)和底板(3)左右兩側各設有一擋板(4),主氣板(2)下表面交替開設有若干主氣體出氣溝槽和輔助氣體出氣溝槽，所述的主氣體出氣溝槽和輔助氣體出氣溝槽對應位置分別設有主氣體出氣口和輔助氣體出氣口，主氣板(2)上表面開設有主氣體二元結構布氣溝槽(5)和若干通孔(10)，二元結構布氣溝槽(5)終端設有若干通孔(11)，通孔(11)與主氣板(2)下表面的主氣體二元結構出氣溝槽聯通，底板(3)上表面設有輔助氣體二元結構布氣溝槽(6、7、8)，輔助氣體二元結構布氣溝槽(6、7、8)沿陰極靶長度方向分為獨立的三至七段，在輔助氣體二元結構布氣溝槽(6、7、8) 二元結構的終端通過通孔(12)以及主氣板(2)上的通孔(10)與主氣板(2)下表面的輔助氣體二元結構出氣溝槽聯通。
2.如權利要求I所述的一種用于真空鍍膜的工藝氣體二元布氣裝置，其特征在于所述的主氣板(2)沿陰極靶長度方向在下表面兩側分別開設有主、輔氣體出氣口，且每側依次交替為主氣體出氣口和輔助氣體出氣口。
3.如權利要求I所述的一種用于真空鍍膜的工藝氣體二元布氣裝置，其特征在于所述的蓋板(I)、主氣板(2)、底板(3)和陰極蓋板各結合面處設有密封劑。
專利摘要本實用新型涉及一種用于真空鍍膜的工藝氣體二元布氣裝置，包括陰極蓋板，其特征在于它由蓋板1、主氣板2、底板3和擋板4組成，蓋板1、主氣板2和底板3依次組合安裝在陰極蓋板下表面，擋板4布置在其兩邊。主氣板2下表面交替開有主氣體出氣溝槽和輔助氣體出氣溝槽；主氣板2上表面開有主氣體二元結構布氣溝槽5，輔助氣體二元結構布氣溝槽6、7、8布置在底板3上表面，沿陰極靶長度方向可分為獨立的三至七段，分別獨立的控制沿陰極靶長度方向不同位置的輔助工藝氣體供氣量。本實用新型的有益效果是能夠實現工藝氣體沿陰極靶長度方向的均勻分布，提高靶材利用率和鍍膜質量；同時，具有精簡結構、易安裝維護的優點。
文檔編號C23C14/22GK202705451SQ20122033147
公開日2013年1月30日 申請日期2012年7月9日 優先權日2012年7月9日
發明者彭壽, 葛承全, 羅松松, 張仰平, 李險峰, 張超群, 殷新建 申請人:中國建材國際工程集團有限公司