非晶合金薄帶的制作方法
【專利摘要】本發明提供一種非晶合金薄帶，其含有Fe、Si、B、C和無法避免的雜質，以Fe、Si和B的合計量為100.0原子％時，Si量為8.5原子％～9.5原子％、B量為10.0原子％以上且小于12.0原子％；相對于前述合計量100.0原子％，C量為0.2原子％～0.6原子％；厚度為10μm～40μm、寬度為100mm～300mm。
【專利說明】非晶合金薄帶

【技術領域】
[0001] 本發明涉及非晶合金薄帶。

【背景技術】
[0002]非晶合金薄帶由于其優異的特性，在很多用途中有望被視作工業材料。
[0003]其中，以Fe(鐵）為主成分的Fe系非晶合金薄帶（例如，以Fe(鐵）為主成分且 還含有B(硼）和Si (硅）的Fe-B-Si系非晶合金薄帶）由于鐵損低、飽和磁通密度高等的 理由，被用作了變壓器的磁芯等的材料。所述Fe系非晶合金薄帶的占空系數一般低于取向 性電磁鋼板，因而尋求高的占空系數。如果占空系數低，則制作相同的內外徑的磁芯時，總 磁通、電感均降低，這樣不得不增大磁芯、增加線圈數，因而在機器的小型化方面、成本方面 成問題。
[0004]為了使Fe系非晶合金薄帶的占空系數提高，至今進行了各種研究。
[0005]例如，作為用于通過單棍法制造顯不尚占空系數的Fe系非晶合金薄帶的制造方 法，已知有調整熔液噴嘴前端與冷卻輥表面的距離、冷卻輥的溫度、冷卻輥的圓周速度、冷 卻輥周圍的氣氛、熔液噴嘴產生的噴出壓力、冷卻輥的表面狀態等制造條件的方法（例如， 參照日本特開 2〇〇6_281317號公報、日本特開平9-216036號公報和日本特開2007-217757 號公報）。


【發明內容】

[0006] 發明要解決的問穎
[0007]然而，對于如上述現有技術地通過制造條件的調整而使薄帶的占空系數提高的方 法來說，連續地制造非晶合金薄帶時，存在難以長時間維持制造條件（例如冷卻輥的表面 狀態等）的情況。另外，對于通過制造條件的調整而使薄帶的占空系數提高的方法來說，存 在磁通密度等磁特性降低的情況。
[0008]因此，作為使Fe-B-Si系非晶合金薄帶的占空系數提高的方法，除了上述的制造 條件的調整以外，考慮了調整Fe-B-Si系非晶合金薄帶的自身組成的方法。
[0009]根據本發明人的研究，弄清了通過在Fe-B-Si系非晶合金薄帶的組成中加入 C(碳）而使薄帶的占空系數提高。進一步研究的結果表明，相對于組成中Si量比較多的 Fe-B-Si系非晶合金薄帶過多地加入C時，薄帶有變脆的傾向。
[0010]另外，對于非晶合金薄帶來說維持高的磁通密度也是重要的。
[0011]因此，本發明的課題在于提供占空系數優異、脆度（脆性）受到抑制、高的磁通密 度得到維持的非晶合金薄帶。
[0012] 用干解決問的方鎣
[0013] 用于解決前述課題的具體的手段如下所述。
[0014] < 1 >-種非晶合金薄帶，其含有Fe、Si、B、C和無法避免的雜質，以Fe、Si和B 的合計量為100. 0原子％時，Si量為8· 5原子％?9. 5原子％、B量為10· 0原子％以上且 小于12_ 0原子％;相對于前述合計量1〇〇. ο原子％，c量為〇. 2原子％?〇. 6原子％ . 為ΙΟμιη?40μηκ寬度為100咖?3〇〇mm。 '又
[0015] 〈 2〉根據< 1 >記載的非晶合金薄帶，其中，前述C量為0.3原子％?〇厴 子％。 職
[0016] < 3 >根據< 1 >或< 2 >記載的非晶合金薄帶，其中，前述B量為10. 〇原子％? 11. 5 原子％。 τ ° _7] < 4 >根據< ；L >?< 3 >中任一項記載的非晶合金薄帶，其中，占空系數為卿 以上。
[00? < 5 >棚< 1 >?< 4 >中任一項記載的非晶合金薄帶，其中，以Fe、Si和B的 合計量為100· 0原子％時，Fe量為79· 0原子％?80. 0原子％、Si量為8_ 5原子％?9 原子％、B量為10. 5原子％?1L 5原子％。 ·
[0019] < 6 >根據< 1 >?< 5 >中任一項記載的非晶合金薄帶，其是通過單輥法制造 的。
[0020] 發明的效里
[0021]采用本發明可以提供占空系數優異、脆度（脆性）受到抑制、高的磁通密度得到 持的非晶合金薄帶。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1是概括性顯示適合于制造本發明的非晶合金薄帶的非晶合金薄帶制造裝 的一種實施方式的示意截面圖。
[0023]圖2是示意性顯示脆度評價中使用的樣品的示意圖。
[0024]圖3是示意性顯示脆度評價的撕裂后的樣品片和撕裂線的示意圖。

【具體實施方式】
[0025]本說明書中，使用"?，，表示的數值范圍是指以"?"前后記載的數值分別為最小 值及最大值所涵蓋的范圍。
[0026]以下，對于本發明的非晶合金薄帶進行詳細說明。
[0027]本發明的非晶合金薄帶（以下也簡稱為"薄帶"）含有？6、518、(：和無法避免的 雜質，以Fe、Si和B的合計量為loo. 〇原子％時，Si量為8. 5原子％?9_ 5原子％ (即8· 5 原子％以上且9. 5原子％以下）、b量為1〇_ 〇原子％以上且小于12· 〇原子％ ;相對于前述 合計量100· 0原子％，C量為〇· 2原子％?〇· 6原子％ (即0· 2原子％以上且〇· 6原子％ 以下）；厚度為l〇ym?40μιη(即ΙΟμηι以上且40μηι以下）、寬度為100mm?300mra(gp 100mm以上且300mm以下）。
[0028]根據本發明人的研究，弄清了通過在以Fe為主成分且還含有B和Si的Fe-B-Si 系非晶合金薄帶（以下也簡稱為"Fe-B-Si系非晶合金薄帶"）的組成中加入C(碳）而使 薄帶的占空系數提高。究其原因如下：通過加入 C，Fe-B-Si系非晶合金薄帶的原料即合金 熔液的流動性提升，結果所制造的薄帶的表面的平坦性提高。
[0029]另外，本發明人進一步研究的結果表明，相對于組成中Si量比較多（具體而言，以 Fe、Si和B的合計量為100. 〇原子％時的Si量為8. 5原子％以上）的Fe-B-Si系非晶合金 薄帶過多地加入C時（具體而言，相對于Fe、Si和B的合計量100. 0原子％，c量超過〇· 6 原子％時），薄帶變脆。
[0030]因此，本發明人對于以Fe、Si和B的合計量為100. 〇原子％時的Si量為8. 5原 子％以上的Fe-B-Si系非晶合金薄帶的組成，以相對于前述合計量1〇〇· 〇原子％的量為〇· 2 原子％?0.6原子％的方式加入C，由此得到能夠抑制脆度（脆性）并提高占空系數、而且 還能夠維持局的磁通密度的認識，基于該認識從而完成了本發明。
[0031] BP，米用本發明可提供占空系數優異、脆度（脆性）受到抑制、高的磁 維持的非晶合金薄帶。
[0032]另外，采用本發明通過使前述C量為0. 6原子％以下，從而能夠抑制添加c時會產 生的非晶合金薄帶的經年劣化。
[0033]如上所述，本發明的非晶合金薄帶顯示高的占空系數（例如，占空系數為86%以 上）。
[0034]本發明的非晶合金薄帶的占空系數優選為88%以上、更優選為89%以上。
[0035]本發明中"占空系數"是指按照ASTM A900/A900M-01 (2006)測定的占空系數 (%)。 ' "
[0036]需要說明的是，依經驗知悉如下：使用前述測定法測得的占空系數為88%的非晶 合金薄帶制作變壓器的磁芯的情況下，制作時的緊固會導致占空系數稍有增加，因而所制 作的磁芯的占空系數顯示為88?90%。
[0037]以下，對于本發明的非晶合金薄帶的組成進行說明。 _8]本發明的非晶合金薄帶中，相對于作、"和8的合計量1〇〇. 〇原子量（以 下也簡稱為"C量"）為〇· 2原子<%?〇· 6原子％。
[0039] C量超過〇· 6原子％時，薄帶變脆。另外，C量超過〇· 6原子％時，存在非晶合金薄 帶的經年劣化被促進、直至發生結晶的時間變短的情況。
[0040]另一方面，本發明中C量為〇. 2原子％以上表示薄帶中實質上含c；，由此使薄帶的 占空系數提尚。
[0041]從使薄帶的占空系數進一步提高的觀點來看，C量優選為0.3原子％?0.6原 子％。
[0042]本發明的非晶合金薄帶中，以Fe、Si和B的合計量為100. 〇原子％時的Si量（以 下也簡稱為"Si量"）為8· 5原子％?9· 5原子％。
[0043]本發明的非晶合金薄帶由于si量為8. 5原子％以上，可期待抑制薄帶的經年劣化 的效果。Si量更優選為9·〇原子％以上。
[0044]然而，如上述表明，相對于Si量為8. 5原子％以上（尤其是9.0原子％以上）的 Fe-B-Si系非晶合金薄帶過多地加入c時，薄帶有變脆的傾向。關于這點，本發明的非晶合 金薄帶通$使C量為0. 6原子％以下，從而能夠顯著抑制薄帶的脆度。
[0045]胃另一方面，Si量超過9· 5原子％時，Fe量相對地變少，因而飽和磁通密度降低。此 夕卜，Si量超過9. 5原子％時，非晶態形成能力有降低的傾向。
[0046]本發明的非晶合金薄帶中，以Fe、Si和B的合計量為100. 0原子％時的B量（以 下也簡稱為"B量"）為1〇_〇原子％以上且小于12 〇原子％ (優選為1〇 〇原子。乂?115 原子％)。
[0047] β量小于10.0原子％時，結晶溫度變低，非晶相的穩定性受損。
[0048]另一方面，Β量為12. 0原子％以上時，原料成本增大，因而不優選。因此，Β量小于 12· 0原子％、優選為11. 5原子％以下。
[0049]另外，從使非晶態形成能力進一步提高的觀點來看，β量優選為1〇· 5原子％以上、 更優選為11.0原子％以上。
[0050]本發明的非晶合金薄帶中，只要以Fe、Si和Β的合計量為100. 0原子％時的Fe量 (以下也簡稱為"Fe量"）、Si量為8. 5原子％?9.5原子％且8量為10.0原子％以上且 小于12. 0原子％，就沒有特別的限定。
[0051] Fe量具體而言為超過78. 5原子％且為81. 5原子％以下，優選為79. 0原子％? 81. 5原子％，更優選為79. 0原子％?81· 〇原子％，進一步優選為79. 0原子％?80. 5原 子％，特別優選為79. 0原子％?80. 0原子％。
[0052] Fe量為81. 0原子％以下時,結晶溫度進一步升高，熱穩定性進一步提高。
[0053]本發明中，Fe量、Si量和B量的優選組合是Fe量為79. 0原子％?81. 5原子％ (更優選為79. 0原子％?81· 〇原子％、進一步優選為79· 〇原子％?8〇· 5原子％ )、Si量 為8.5原子％?9.5原子％、8量為1〇.〇原子％以上且小于12.〇原子％(優選為 10.0原 子％?11. 5原子％ )的組合，更優選的組合是Fe量為79· 〇原子％?8〇· 〇原子％、幻量為 8. 5原子°乂?9. 5原子％、B量為10· 5原子％?11. 5原子％的組合，特別優選的組合是Fe 量為79. 0原子％?80. 0原子％、Si量為9· 0原子％?9· 5原子％、B量為11. 0原子％? 11. 5原子％的組合。
[0054]另外，本發明的非晶合金薄帶除了上述的元素（Fe、Si、B和C)以外還含有無法避 免p雜質。其中，無法避免的雜質是指在非晶合金薄帶或者作為它的原料的母合金或合金 熔液的制造工序中無法避免地混入的雜質。作為前述無法避免的雜質，例如可列舉出 Mn、 S、Cr、P、Ti、Ni、Al、Co、Zr、Mo、Cu 等。
[0055]然而，非晶合金薄帶物性的確定受Si、B支配，上述雜質的影響度小。
[0056]另外，本發明的非晶合金薄帶的厚度（板厚）為10 μ m?40 μ m。
[0057]前述厚度小于?ο μ m時，存在薄帶的機械強度不足的傾向。從該觀點來看，前述厚 度為10 μ m以上、優選為15 μ m以上、更優選為20 μ m以上。
[0058]另一方面，前述厚度超過40 μ m時，存在難以穩定得到非晶相的傾向。從該觀點來 看，前述厚度為40 μ m以下、優選為3δ μ m以下、更優選為30 μ m以下。
[0059]另外，本發明的非晶合金薄帶的寬度為100mm?300mm。
[0060]前述寬度為100mm以上時，可適合于制作實用的變壓器。從該觀點來看，前述寬度 為100mm以上、更優選為125圓以上。
[0061]另一方面，前述寬度超過300mm時，變得難以得到寬度方向厚度均一的薄帶，由于 形狀不均一，部分發生脆化、磁通密度（B1)降低。從這些觀點來看，前述寬度為300mm以下、 更優選為275mm以下。
[0062]對于本發明的非晶合金薄帶的制造方法沒有特別的限定，例如可以使用液體驟冷 法（單輥法、雙輥法、離心法等）等公知的方法。
[0063]其中，單輥法是制造設備比較簡單、且能夠穩定制造的制造法，具有優異的工業生 產率。
[0064] 圖1是概括性顯示適合用于制造本發明的非晶合金薄帶的非晶合金薄帶制造裝 置的一種實施方式的示意截面圖。
[0065] 圖1中顯示的非晶合金薄帶制造裝置100是利用單輥法的非晶合金薄帶制造裝 置。
[0066] 如圖1所示，非晶合金薄帶制造裝置100具備堝20,其具備熔液噴嘴10 ;以及 冷卻輥30,其表面與熔液噴嘴10的前端相對。圖1顯示了將非晶合金薄帶制造裝置100沿 著相對于冷卻輥30的軸向及非晶合金薄帶22C的寬度方向（這兩個方向相同）垂直的面 切斷時的截面。
[0067] 坩堝20具有能夠容納作為非晶合金薄帶的原料的合金熔液22A的內部空間，該內 部空間與熔液噴嘴10內的熔液流路連通。由此，能夠利用熔液噴嘴10將容納在坩堝20內 的合金熔液22A排出至冷卻輥30 (圖1中用箭頭Q表示合金熔液22A的排出方向和流通方 向）。需要說明的是，坩堝20和熔液噴嘴10可以是一體構成的，也可以獨立構成。
[0068] 坩堝2〇周圍的至少一部分配置有作為加熱手段的高頻線圈40。由此，使得能夠將 收納了非晶合金薄帶的母合金的狀態的坩堝20加熱而在坩堝20內生成合金熔液22A、或者 維持從外部向坩堝20內供給的合金熔液22A的液體狀態。
[0069] 另外，熔液噴嘴10具有用于排出合金熔液的開口部（排出口）。
[0070] 該開口部優選為矩形（狹縫形狀）的開口部。
[0071] 矩形的開口部的長邊的長度是與所制造的非晶合金薄帶的寬度對應的長度。作為 矩形的開口部的長邊的長度，具體而言，優選為100mm?300mm。該長邊的長度的下限更優 選為125mm。另外，該長邊的長度的上限更優選為275mm。
[0072] 熔液噴嘴10的前端與冷卻輥30的表面的距離近乎于利用熔液噴嘴1〇排出合金 熔液22A時由合金熔液22A形成熔池22B的程度。
[0073] 該距離可以是單輥法中通常設定的范圍，優選為500 μ m以下，更優選為300 μ m以 下。
[0074] 另外，從抑制熔液噴嘴10的前端與冷卻輥3〇的表面的接觸的觀點來看，該距離優 選為50 μ m以上。
[0075] 冷卻輥30的構成是能夠沿著箭頭P的方向繞軸旋轉。
[0076] 冷卻輥30的內部流通水等的冷卻介質，由此能夠將賦予（排出）至冷卻輥3〇的 表面的合金熔液22A冷卻而生成非晶合金薄帶22C。
[0077]冷卻棍30的材質優選Cu、Cu合金（Cu-Be合金、Cu-Cr合金、Cu-Zr合金、Cu-Zn合 金、Cu-Sn合金、Cu-Ti合金等）的導熱性高的材料。
[0078]對于冷卻輥3〇表面的表面粗糙度沒有特別的限定，從占空系數的觀點來看，冷卻 輥30表面的算術平均粗糙度（Ra)優選為〇.5μηι以下、更優選為0.3 μ m以下。從表面粗糙 度調整的加工性的觀點來看，冷卻輥30表面的算術平均粗糙度（Ra)優選為〇. 1 μ m以上。 [0079]另外，本實施方式中，為了維持上述優選的表面粗糙度（Ra)，可以在合金薄帶的制 造中用刷子等研磨冷卻棍30的表面。
[00S0] 此外，作為冷卻輥30,可以采用單輥法中通常使用的冷卻輥。
[0081]從冷卻能力的觀點來看，冷卻輥30的直徑優選為200mm以上、更優選為300mm以 上。另一方面，從冷卻能力的觀點來看，該直徑更優選為700mm以下。
[0082] 在本說明書中，表面粗糙度（前述算術平均粗糙度Ra)是指按照JIS B0601(2001) 測定的表面粗糙度。
[0083] 冷卻輥30的表面的附近（對于冷卻輥30的旋轉方向來說，與熔液噴嘴10相比的 下游側）配置有剝離氣體噴嘴50。由此，通過相對于冷卻輥 3〇的旋轉方向（箭頭P)反向 (圖2中的虛線的箭頭的方向）地吹送剝離氣體（例如氮氣、壓縮空氣等的高壓氣體），從 而效率更好地進行非晶合金薄帶22C從冷卻輥30的剝離。
[0084] 非晶合金薄帶制造裝置100還可以具備上述構成以外的其他構成（例如，卷取所 制造的非晶合金薄帶22C的卷取輥，在合金熔液的熔池22B或其附近吹送C0 2氣體、N2氣體 等的氣體噴嘴等）。
[0085] 此外，非晶合金薄帶制造裝置100的基本構成可以與以往的利用單輥法的非晶合 金薄帶制造裝置（例如，參照日本特許第3494371號公報、日本特許第3594123號公報、日 本特許第4244123號公報、日本特許第4529106號公報等）的構成相同。
[0086] 接著，對于使用非晶合金薄帶制造裝置100制造非晶合金薄帶22C的一例進行說 明。
[0087] 首先，坩堝20中準備作為本發明的非晶合金薄帶的原料的合金熔液22A。
[0088] 其中，合金熔液22A可以是使本發明的非晶合金薄帶的組成的母合金熔解而得到 的合金熔液，也可以是先準備組成為從本發明的非晶合金薄帶的組成中扣除了 C(碳）的母 合金、在使該母合金熔解而成的熔液中熔解C(碳）而得到的合金熔液。
[0089] 對于合金熔液22A的溫度沒有特別的限定，從抑制源于合金熔液22A的析出物附 著在熔液噴嘴的壁面的觀點來看，優選為1210°C以上、更優選為1260°C以上。另外，從抑制 發生在與冷卻輥3〇表面的接觸面側的氣穴的生成的觀點來看，合金熔液22A的溫度優選為 1410°C以下、更優選為1360°C以下。
[0090] 接著，在沿箭頭P的方向旋轉的冷卻輥30表面，利用熔液噴嘴10排出合金熔液而 形成熔池22B，同時在前述冷卻輥30表面形成前述合金熔液的涂膜，并將塗膜冷卻而制成 非晶合金薄帶22C。接著，對于形成在冷卻輥30的表面的非晶合金薄帶22C吹送來自剝離 氣體噴嘴5〇的剝離氣體而從冷卻輥 3〇的表面剝離，利用未圖示的卷取輥卷取成卷狀而回 收。
[0091] 從合金熔液的排出至非晶合金薄帶的卷取（回收）的操作連續地進行，由此得到 例如長度方向長度為3〇OOm以上的長條狀的非晶合金薄帶。
[0092] 此時的合金熔液的排出壓力優選為l〇kPa以上，更優選為15kPa以上。另一方面， 該排出壓力優選為30kPa以下、更優選為25kPa以下。
[0093] 排出壓力為上述優選的范圍時，可以進一步提高占空系數。
[0094]另外，冷卻輥30的轉速可以為單輥法中通常設定的范圍，優選為圓周速度4〇m/ s 以下、更優選為圓周速度30m/S以下。另一方面，該轉速優選為圓周速度i〇m/s以上、更優 選為圓周速度20m/s以上。
[0095]另外，從合金熔液供給至冷卻輥30表面開始計時、經過5秒以上之后，冷卻輥30 表面的溫度優選為80°C以上、更優選為l〇(TC以上。另一方面，該溫度優選為30(TC以下、更 優選為250°C以下。
[0096]冷卻輥30的合金熔液的冷卻速度優選為丨x 1〇"c /s以上、更優選為丨X 106。〇/s 以上。
[0097] 實施例
[0098]以下列舉實施例對本發明具體地說明，但本發明并不限于這些實施例。以下的實 施例中，"at%"表示原子％。
[0099](實施例1?9、比較例1?2)
[0100]《非晶合金薄帶的制作》
[0101] 準備與圖1所示非晶合金薄帶制造裝置100的構成相同的非晶合金薄帶制造裝 置。其中，作為冷卻輥，準備以下的冷卻輥。
[0102] -冷卻輥-
[0103] ?材質 …Cu-Be合金
[0104] ?直徑 ...400mm
[0105] ?冷卻輥表面的算術平均粗糙度Ra .··0. 3μηι
[0106] 首先，在坩堝內調制含有Fe、Si、B、C和無法避免的雜質的合金熔液（以下也稱為 "Fe-Si-B-C系合金熔液")。具體而言，在將含有Fe、Si、B和無法避免的雜質的母合金熔解 得到的熔液中添加碳，使其熔解、混合，由此調制了用于制造下述表1所示非晶合金薄帶的 合金熔液。
[0107] 接著，將該Fe-Si-B-C系合金熔液從具有長邊的長度142ramX短邊的長度0. 6mm 的矩形（狹縫形狀）的開口部的熔液噴嘴的該開口部排出到旋轉的冷卻輥表面，使其驟冷 凝固，制作寬度為142mm、厚度為25 μ m的非晶合金薄帶1000kg。
[0108] 非晶合金薄帶的具體制作條件如下所述。
[0109] ?合金熔液的排出壓力…2〇kPa
[0110] ?冷卻輥的圓周速度 …25m/s
[0111] ?合金熔液溫度 …1300°C
[0112] ?熔液噴嘴前端與冷卻輥表面的距離"·2〇〇 μ m
[0113] ?冷卻溫度（從合金熔液供給至冷卻輥表面開始計時、經過5秒以上之后的溫度） …170。。
[0114] 各實施例以及各比較例的非晶合金薄帶中的Fe、Si、B和C的量如下述表1所示。
[0115] 下述表1中，Fe量（at% )、Si量（at% )和B量（at% )分別是以Fe、Si和B的 合計量為100. Oat%時的量。C量（at% )是相對于Fe、Si和B的合計量100. Oat%的量 (即以前述合計量為100. Oat %時的C的添加量）。
[0116] 這些量是利用ICP發射光譜分析法測定的量。
[0117] 《評價》
[0118] 對于各實施例以及各比較例的非晶合金薄帶進行以下的評價。
[0119] <占空系數>
[0120] 對于各實施例以及各比較例的非晶合金薄帶，分別按照ASTMA900/ A900M-01 (2006)測定占空系數（％ )。
[0121] 測定結果示于下述表1。
[0122] < 脆度 >
[0123] 對于各實施例以及各比較例的非晶合金薄帶分別進行以下所示的脆度評價（脆 度的數值化）。 ^
[0124] 利用上述評價得到的脆度的數值示于下述表1。
[0125] 關于該評價結果，脆度的數值越小表示脆度越受到抑制、脆度的數值越大表示越 脆。 一、
[0126] 在此，參照圖2和圖3的同時對于脆度評價進行說明。
[0127] 圖2是示意性顯示脆度評價中使用的樣品的示意圖，圖3是示意性顯示脆度評價 的撕裂后的樣品片和撕裂線的示意圖。
[0128] 脆度評價使用如下得到的2個樣品片進行：如圖2所示，由非晶合金薄帶裁出長度 1250mm的樣品（相當于冷卻輥1周），將該樣品于長度方向 2等分（在圖2中的點劃線的 位置切斷）。
[0129] 具體而言，對于各樣品片，在樣品片的長度方向一端開切口而作為撕裂起始點，對 樣品片施加剪切力，進行撕裂的操作（以下將該操作稱為"撕裂操作"）。該撕裂操作沿著 樣品片的長度方向從長度方向一端進行至長度方向另一端為止。在圖3中，用箭頭R表示 撕裂操作的撕裂方向。 _
[0130] 接著，通過目視觀察由于撕裂操作而實際產生的撕裂線（例如，圖3中的撕裂線 T)，確認該撕裂線中在樣品片的寬度方向產生的6圓以上的階躍（圖3中尺寸k為6mm以 上的階躍）的個數。
[0131] 根據該結果，按照下述評價基準來評價每條撕裂線的脆度。
[0132] 下述評價基準的"1分"表示脆度最受到抑制、"5分"表示最脆。
[0133] -每條撕裂線的脆度的評價基準-
[0134] 1分…每條撕裂線中6ram以上的階躍為0個
[0135] 2分…每條撕裂線中6mm以上的階躍為1?3個
[0136] 3分…每條撕裂線中6mm以上的階躍為4?6個
[0137] 4分…每條撕裂線中6mm以上的階躍為7?9個
[0138] 5分…每條撕裂線中6mm以上的階躍為1〇個以上（或者，撕裂操作導致樣品片崩 壞，無法實質上進行樣品片長度方向的撕裂）
[0139] 上述每條撕裂線的脆度評價分別對于如下位置進行：如圖2所示，樣品片的寬度 方向中央部、距離樣品片的寬度方向端部6· 4mm的位置（2處）、以及距離樣品片的寬度方向 端部12. 8mm的位置（2處）。在圖2中，用虛線表示評價位置。評價位置為被2等分的樣品 片分別各5處，一個樣品為1〇處。S卩，每個樣品產生1〇條撕裂線。
[0140] 接著，由10條撕裂線的評價結果算出脆度的平均分，將所得到的平均分作為該樣 品的脆度的數值。
[0141] <磁通密度（Bl、60Hz) >
[0142] 對于各實施例以及各比較例的非晶合金薄帶，分別按照ASTMA932/A932M-01測定 施加頻率60Hz、 79. 557A/m的磁場時的磁通密度（Bl、6〇Hz)。
[0143] 測定結果示于下述表1。
[0144] [表 1]
[0145]

【權利要求】
1. 一種非晶合金薄帶，其含有Fe、Si、B、C和無法避免的雜質， 以Fe、Si和B的合計量為100. 0原子％時，Si量為8.5原子％?9. 5原子％、B量為 10. 0原子％以上且小于12. 0原子％， 相對于所述合計量100. 〇原子％，C量為0. 2原子％?0. 6原子％， 厚度為10 y m?40 μ m、寬度為100mm?300mm。
2. 根據權利要求1所述的非晶合金薄帶，其中，所述C量為0. 3原子％?0. 6原子％。
3. 根據權利要求1或2所述的非晶合金薄帶，其中，所述B量為10. 0原子％?11. 5原 子!％。
4. 根據權利要求1?3中任一項所述的非晶合金薄帶，其中，占空系數為88%以上。
5. 根據權利要求1?4中任一項所述的非晶合金薄帶，其中，以Fe、Si和B的合計量為 100. 0原子％時，Fe量為79. 0原子％?80. 0原子％、Si量為8. 5原子％?9. 5原子％、B 量為10. 5原子％?11. 5原子％。
6. 根據權利要求1?5中任一項所述的非晶合金薄帶，其是通過單輥法制造的。
【文檔編號】B22D11/00GK104245993SQ201380014114
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2013年3月7日 優先權日:2012年3月15日
【發明者】茂木貴幸, 東大地, 板垣肇, 備前嘉雄 申請人:日立金屬株式會社