磁控濺射鍍膜系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】一種磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，包括進(jìn)片室、進(jìn)片緩沖室、進(jìn)片過渡室、濺射室、出片過渡室、出片緩沖室、出片室、基片架及分別設(shè)于該七個(gè)室中的七個(gè)傳動(dòng)裝置，每個(gè)傳動(dòng)裝置包括多個(gè)平行設(shè)置的傳動(dòng)軸及套設(shè)于每個(gè)傳動(dòng)軸上的多個(gè)第一橡膠圈；基片架包括基片架主體和多個(gè)第二橡膠圈，基片架主體包括框架、安裝桿及可滑動(dòng)地設(shè)置于框架上的多個(gè)固定桿，多個(gè)第二橡膠圈設(shè)置于安裝桿上；待鍍膜基片放置于基片架的安裝桿上并與第二橡膠圈抵接，且夾持于多個(gè)固定桿之間；基片架放置于傳動(dòng)軸上并與第一橡膠圈抵接，基片架隨傳動(dòng)軸的轉(zhuǎn)動(dòng)而帶動(dòng)待鍍膜基片水平運(yùn)行。使用該磁控濺射鍍膜系統(tǒng)進(jìn)行鍍膜，良率較高。
【專利說明】磁控濺射鍍膜系統(tǒng)【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及磁控濺射【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種磁控濺射鍍膜系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]磁控濺射鍍膜是目前常采用的一種鍍膜方法。使用目前的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)進(jìn)行鍍膜時(shí)，基片一般是立式運(yùn)行或45度傾斜運(yùn)行，這種方式必須用夾具固定基片，從而產(chǎn)生邊緣效應(yīng),使得良率較低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]基于此，有必要提供一種能夠提高生產(chǎn)良率的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)。
[0004]一種磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，包括進(jìn)片室、進(jìn)片緩沖室、進(jìn)片過渡室、濺射室、出片過渡室、出片緩沖室和出片室，還包括七個(gè)傳動(dòng)裝置及基片架，其中，
[0005]所述七個(gè)傳動(dòng)裝置分別設(shè)置于所述進(jìn)片室、進(jìn)片緩沖室、進(jìn)片過渡室、濺射室、出片過渡室、出片緩沖室和出片室中，每個(gè)所述傳動(dòng)裝置包括多個(gè)平行設(shè)置的傳動(dòng)軸及套設(shè)于每個(gè)所述傳動(dòng)軸上的多個(gè)第一橡膠圈；
[0006]所述基片架包括基片架主體和多個(gè)第二橡膠圈，所述基片架主體包括框架、固定設(shè)置于所述框架上的 安裝桿及可滑動(dòng)地設(shè)置于所述框架上的多個(gè)固定桿，所述多個(gè)第二橡膠圈設(shè)置于所述安裝桿上；
[0007]待鍍膜基片放置于所述基片架的安裝桿上并與所述第二橡膠圈抵接，且所述待鍍膜基片夾持于所述多個(gè)固定桿之間；所述基片架放置于所述傳動(dòng)軸上并與所述第一橡膠圈抵接，且所述基片架隨所述傳動(dòng)軸的轉(zhuǎn)動(dòng)而帶動(dòng)所述待鍍膜基片依次沿所述進(jìn)片室、進(jìn)片緩沖室、進(jìn)片過渡室、濺射室、出片過渡室、出片緩沖室和出片室水平運(yùn)行。
[0008]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述濺射室包括連通的第一腔室和第二腔室，所述第一腔室中設(shè)置有四個(gè)直流濺射電源，所述第二腔室中也設(shè)置有四個(gè)直流濺射電源。
[0009]在其中一個(gè)實(shí)施例中，還包括六個(gè)紅外輻射加熱器，所述六個(gè)紅外輻射加強(qiáng)器分別設(shè)置于所述進(jìn)片室、進(jìn)片緩沖室、進(jìn)片過渡室、第一腔室、第二腔室和出片過渡室中。
[0010]在其中一個(gè)實(shí)施例中，還包括八個(gè)冷卻裝置，所述八個(gè)冷卻裝置分別與所述進(jìn)片室、進(jìn)片緩沖室、進(jìn)片過渡室、第一腔室、第二腔室、出片過渡室、出片緩沖室和出片室相連。
[0011]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述進(jìn)片室、進(jìn)片緩沖室、進(jìn)片過渡室、第一腔室、第二腔室、出片過渡室、出片緩沖室和出片室中均設(shè)置有進(jìn)水管和出水管，所述進(jìn)水管和出水管連通，每個(gè)所述冷卻裝置包括一個(gè)冷凍機(jī)、兩個(gè)冷卻泵和一個(gè)冷水塔，所述冷凍機(jī)與所述冷水塔電連接，其中一個(gè)冷卻泵與所述進(jìn)水管和冷水塔連通，另一個(gè)冷卻泵與所述出水管和冷水塔連通。
[0012]在其中一個(gè)實(shí)施例中，還包括抽真空裝置，所述抽真空裝置包括機(jī)械泵、羅茨泵和分子泵，所述機(jī)械泵均與所述進(jìn)片室、進(jìn)片緩沖室、進(jìn)片過渡室、濺射室、出片過渡室、出片緩沖室和出片室連通，所述羅茨泵均與所述進(jìn)片室、進(jìn)片緩沖室、進(jìn)片過渡室、濺射室、出片過渡室、出片緩沖室和出片室連通，所述分子泵均與所述進(jìn)片緩沖室、進(jìn)片過渡室、濺射室、出片過渡室和出片緩沖室連通。
[0013]在其中一個(gè)實(shí)施例中，還包括控制系統(tǒng)，所述控制系統(tǒng)包括PLC主控制柜、電加熱控制柜、傳動(dòng)電機(jī)控制柜、濺射電源控制柜和電壓穩(wěn)壓器，所述PLC主控制柜用于控制所述電加熱柜、傳動(dòng)電機(jī)控制柜、濺射電源控制柜和電壓穩(wěn)壓器的工作，所述電加熱控制用于控制所述紅外輻射加熱器工作，所述傳動(dòng)電機(jī)控制柜用于控制所述傳動(dòng)裝置運(yùn)行，所述濺射電源控制柜用于控制所述濺射室中的電源工作，所述電壓穩(wěn)壓器用于控制所述濺射室中的鍍膜電壓。
[0014]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述電加熱控制柜進(jìn)行PID運(yùn)算，通過固體繼電器的電壓脈沖控制所述紅外輻射加熱器的加熱頻率。
[0015]在其中一個(gè)實(shí)施例中，還包括檢漏系統(tǒng)，所述檢漏系統(tǒng)均與所述進(jìn)片室、進(jìn)片緩沖室、進(jìn)片過渡室、濺射室、出片過渡室、出片緩沖室和出片室連通。
[0016]在其中一個(gè)實(shí)施例中，還包括機(jī)械臂，所述機(jī)械臂用于裝載基片和卸載基片。
[0017]使用上述磁控濺射鍍膜系統(tǒng)鍍膜時(shí)，待鍍膜基片放置于基片架上夾持于多個(gè)固定桿之間并與第二橡膠圈抵接，基片架放置于傳動(dòng)軸上并與第一橡膠圈抵接，傳動(dòng)軸轉(zhuǎn)動(dòng)帶動(dòng)基片架和待鍍膜基片依次沿進(jìn)片室、進(jìn)片緩沖室、進(jìn)片過渡室、濺射室、出片過渡室、出片緩沖室和出片室 水平運(yùn)行，這種轉(zhuǎn)動(dòng)軸轉(zhuǎn)動(dòng)帶動(dòng)基片架水平運(yùn)行的方式較為平穩(wěn)，且第一橡膠圈和第二橡膠圈能夠提供較好地緩沖，使得運(yùn)行的穩(wěn)定性高，晃動(dòng)小，有效避免破片現(xiàn)象，提聞良率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]圖1為一實(shí)施方式的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖2為沿圖1的I1-1I線的剖視圖及傳送帶、平移螺旋桿、抽真空裝置、冷卻裝置、檢漏裝置的結(jié)構(gòu)示意；
[0020]圖3為圖1所示的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)的傳動(dòng)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖4為圖1所示的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)的基片架的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖5為圖1所示的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)的機(jī)械臂的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖6為圖1所示的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)的控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進(jìn)，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施的限制。
[0025]請(qǐng)一并參閱圖1和圖2，一實(shí)施方式的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)200，包括進(jìn)片室10、進(jìn)片緩沖室20、進(jìn)片過渡室30、濺射室40、出片過渡室50、出片緩沖室60、出片室70、傳動(dòng)裝置及基片架90。
[0026]進(jìn)片室10、進(jìn)片緩沖室20、進(jìn)片過渡室30、濺射室40、出片過渡室50、出片緩沖室60和出片室70依次呈直線式排列。[0027]傳動(dòng)裝置用于傳輸裝載有基片的基片架90。傳動(dòng)裝置為七個(gè)。七個(gè)傳動(dòng)裝置分別設(shè)在于進(jìn)片室10、進(jìn)片緩沖室20、進(jìn)片過渡室30、濺射室40、出片過渡室50、出片緩沖室60和出片室70中。請(qǐng)一并參閱圖2和圖3，每個(gè)傳動(dòng)裝置包括多個(gè)平行設(shè)置的傳動(dòng)軸82及套設(shè)于每個(gè)傳動(dòng)軸82上的多個(gè)第一橡膠圈84。每個(gè)傳動(dòng)軸82上的多個(gè)第一橡膠圈84間隔設(shè)置，優(yōu)選為等間距設(shè)置。多個(gè)傳動(dòng)軸82水平、平行設(shè)置于腔室中。
[0028]七個(gè)傳動(dòng)裝置的傳動(dòng)軸82位于同一水平線上，方便傳送待鍍膜基片。傳動(dòng)軸82與三相同步電機(jī)連接，三相同步電機(jī)帶動(dòng)傳動(dòng)軸82轉(zhuǎn)動(dòng)。
[0029]基片架90用于裝載和固定基片，并帶動(dòng)基片運(yùn)行。請(qǐng)參閱圖4，基片架90包括基片架主體92和設(shè)置于基片架主體92上的多個(gè)第二橡膠圈94。具體地，基片架主體92包括框架922、固定設(shè)置于框架922上的安裝桿924及可滑動(dòng)地設(shè)置于框架922上的多個(gè)固定桿926。[0030]框架922為長方形或正方形框架。框架922包括兩兩相對(duì)且兩兩平行的四根連接桿(圖未標(biāo))，每根連接桿上開設(shè)有兩個(gè)間隔的固定孔9222，相對(duì)的兩根連接桿上的固定孔9222兩兩相對(duì)。固定孔9222為條形孔。
[0031]安裝桿924為多個(gè)，多個(gè)安裝桿924間隔、平行設(shè)置于框架922上。具體地，安裝桿924為條形桿，每個(gè)安裝桿924的一端連接于框架922的其中一個(gè)連接桿上，另一端連接于框架922的另一個(gè)相對(duì)的連接桿上。
[0032]固定桿926為四個(gè)。其中，兩個(gè)固定桿926平行設(shè)置，每個(gè)固定桿926的兩端分別可滑動(dòng)地連接框架922的兩個(gè)相對(duì)的連接桿，每個(gè)固定桿926沿相對(duì)的兩個(gè)連接桿可滑動(dòng)。另外兩個(gè)固定桿926也平行設(shè)置，每個(gè)固定桿926的兩端分別可滑動(dòng)地連接框架922的另外兩個(gè)相對(duì)的連接桿，每個(gè)固定桿926沿這兩個(gè)相對(duì)的連接桿可滑動(dòng)。
[0033]具體地，用兩個(gè)緊固件(圖未標(biāo))分別穿過每個(gè)固定桿926的兩端及兩個(gè)相對(duì)的固定孔9222，并調(diào)節(jié)緊固件的松緊，使每個(gè)固定桿926沿相對(duì)的兩個(gè)固定孔9222可滑動(dòng)。
[0034]上述結(jié)構(gòu)的基片架主體92的質(zhì)量較小，有利于減小傳動(dòng)裝置的傳動(dòng)力，減小能耗，降低制備成本。優(yōu)選地，上述框架922、安裝桿924和固定桿926的材質(zhì)均為鈦，由鈦制成的基片架主體92不僅能夠支撐待鍍膜基片，而且質(zhì)量較小，進(jìn)一步減小了基片架主體92的質(zhì)量。
[0035]第二橡膠圈94設(shè)置于安裝桿924上。具體地，每個(gè)安裝桿924上間隔設(shè)置有多個(gè)第二橡膠圈94，第二橡膠圈94水平設(shè)置于安裝桿924上。
[0036]使用上述磁控濺射鍍膜系統(tǒng)200鍍膜時(shí)，待鍍膜基片放置于基片架90上，待鍍膜基片的底部與第二橡膠圈94抵接，向靠近待鍍膜基片方向滑動(dòng)固定桿926，鎖緊緊固件，使待鍍膜基片夾持于四個(gè)固定桿926之間。將固定好基片的基片架90放入進(jìn)片室10的傳動(dòng)裝置上，基片架90放置于傳動(dòng)軸82上且基片架90與套設(shè)于傳動(dòng)軸82上的多個(gè)第一橡膠圈84抵接，傳動(dòng)軸82轉(zhuǎn)動(dòng)帶動(dòng)基片架90向前移動(dòng)，從而帶動(dòng)待鍍膜基片依次沿進(jìn)片室10、進(jìn)片緩沖室20、進(jìn)片過渡室30、濺射室40、出片過渡室50、出片緩沖室60和出片室70水平運(yùn)行。
[0037]使用上述磁控濺射鍍膜系統(tǒng)200進(jìn)行鍍膜時(shí)，鍍膜過程中，基片架90水平運(yùn)行，待鍍膜基片通過基片架90的四個(gè)固定桿926呈臥式固定于基片架90上，并呈臥式運(yùn)行，有利于避免立式鍍膜系統(tǒng)中基板架夾持待鍍膜基片的邊緣，帶動(dòng)待鍍膜基片立式運(yùn)行或45度傾斜運(yùn)行而產(chǎn)生的邊緣效應(yīng)；并且，在運(yùn)行過程中，第一橡膠圈84和第二橡膠圈94提供了緩沖作用，有利于有效地減小了傳動(dòng)過程產(chǎn)生的晃動(dòng)，大大減小了破片幾率，從而提高了生
產(chǎn)良率。
[0038]由于上述基片架90通過調(diào)節(jié)四個(gè)固定桿926的位置來固定待鍍膜基片，使得上述磁控濺射鍍膜系統(tǒng)200不限于對(duì)固定尺寸的待鍍膜基片進(jìn)行鍍膜，在一定尺寸范圍內(nèi)對(duì)待鍍膜基片的尺寸沒有限定，實(shí)現(xiàn)了待鍍膜基片的尺寸多元化，能夠滿足不同工藝的要求。
[0039]優(yōu)選地,派射室40包括連通的第一腔室42和第二腔室44。第一腔室42中設(shè)置有四個(gè)直流濺射電源，第二腔室44中也設(shè)置有四個(gè)直流濺射電源，使得濺射室40 —共可以設(shè)置八個(gè)濺射靶位，使用八個(gè)靶位對(duì)待鍍膜基片進(jìn)行連續(xù)性鍍膜，靶位靶材利用率高，電源溫度累加值較小，有利于保證工藝的穩(wěn)定性。這種情況下，第一腔室42和第二腔室44均設(shè)置有傳動(dòng)裝置。
[0040]可以理解，在其 他實(shí)施方式中，第一腔室42和第二腔室44中的直流濺射電源也可以替換為其他電源，如射頻濺射電源、中頻濺射電源等，第一腔室42和第二腔室44中的濺射電源可以一樣，也可以不同，根據(jù)實(shí)際工藝需要進(jìn)行選擇。
[0041]請(qǐng)參閱圖2，優(yōu)選地，磁控濺射鍍膜系統(tǒng)200還包括六個(gè)紅外輻射加熱器100。紅外輻射加熱器100用于加熱。六個(gè)紅外輻射加熱器100分別設(shè)置于進(jìn)片室10、進(jìn)片緩沖室
20、進(jìn)片過渡室30、第一腔室42、第二腔室44和出片過渡室50中。設(shè)置紅外輻射加熱器100分別對(duì)進(jìn)片室10、進(jìn)片緩沖室20、進(jìn)片過渡室30、第一腔室42、第二腔室44和出片過渡室50進(jìn)行加熱，在連續(xù)生產(chǎn)過程中，逐段加熱各個(gè)室的溫度，使得各個(gè)室內(nèi)的溫度較為均勻和穩(wěn)定，以確保基片在鍍膜過程中的環(huán)境溫度，有利于保證工藝的穩(wěn)定性。
[0042]優(yōu)選地，六個(gè)紅外輻射加熱器100分別設(shè)置于進(jìn)片室10、進(jìn)片緩沖室20、進(jìn)片過渡室30、第一腔室42、第二腔室44和出片過渡室50的底部，更有利于提高各個(gè)室內(nèi)的溫度的穩(wěn)定性和均勻性。
[0043]請(qǐng)?jiān)俅螀㈤唸D1，進(jìn)片室10的相對(duì)兩側(cè)設(shè)置有第一門閥11和第二門閥12，打開第一門閥11，使待鍍膜基片進(jìn)入進(jìn)片室10。第二門閥12設(shè)置于進(jìn)片室10和進(jìn)片緩沖室20之間，用于控制進(jìn)片室10和進(jìn)片緩沖室20連通或不連通。進(jìn)片緩沖室20和進(jìn)片過渡室30之間設(shè)置有第三門閥13，第三門閥13用于控制進(jìn)片緩沖室20和進(jìn)片過渡室30連通或不連通。進(jìn)片過渡室30、第一腔室42、第二腔室44和出片過渡室50連通。出片過渡室50和出片緩沖室60之間設(shè)置有第四門閥14，用于控制出片過渡室50和出片緩沖室60連通或不連通。出片緩沖室60和出片室70之間設(shè)置有第五門閥15，用于控制出片緩沖室60和出片室70連通或不連通。出片室70的與第五門閥15相對(duì)的一側(cè)設(shè)置有第六門閥16，第六門閥16開啟時(shí)，鍍好膜的基片運(yùn)行至出片室70外部。
[0044]請(qǐng)?jiān)俅螀㈤唸D2，優(yōu)選地，磁控濺射鍍膜系統(tǒng)200還包括檢漏系統(tǒng)110。檢漏系統(tǒng)110均與進(jìn)片室10、進(jìn)片緩沖室20、進(jìn)片過渡室30、第一腔室42、第二腔室44、出片過渡室
50、出片緩沖室60和出片室70連通，用于檢測(cè)各個(gè)室是否漏氣，保證真空度的穩(wěn)定性，從而保證在設(shè)定的工藝條件下鍍膜，提高良率。
[0045]優(yōu)選地，磁控濺射鍍膜系統(tǒng)200還包括抽真空裝置(圖未示)。抽真空裝置包括機(jī)械泵122、羅茨泵124和分子泵126。機(jī)械泵122均與進(jìn)片室10、進(jìn)片緩沖室20、進(jìn)片過渡室30、濺射室40、出片過渡室50、出片緩沖室60和出片室70連通。羅茨泵124均與進(jìn)片室10、進(jìn)片緩沖室20、進(jìn)片過渡室30、濺射室40、出片過渡室50、出片緩沖室60和出片室70連通。分子泵126均與進(jìn)片緩沖室20、進(jìn)片過渡室30、濺射室40、出片過渡室50和出片緩沖室60連通。
[0046]優(yōu)選地，機(jī)械泵122的數(shù)量為三，其中一個(gè)與進(jìn)片室10直接連通，另一個(gè)與出片室70直接連通，最后一個(gè)與濺射室40直接連通。羅茨泵124的數(shù)量為三，其中一個(gè)與進(jìn)片室10直接連通，另一個(gè)與出片室70直接連通，最后一個(gè)與濺射室40直接連通。分子泵126的數(shù)量為十四，其中八個(gè)分子泵126中，兩個(gè)為一組，4組分子泵126分別與進(jìn)片緩沖室20、進(jìn)片過渡室30、出片過渡室50和出片緩沖室60連通，另外六個(gè)分子泵126中，三個(gè)為一組，兩組分子泵126分別與第一腔室42和第二腔室44連通。
[0047]機(jī)械泵122的抽真空范圍為105~102Pa，羅茨泵124的抽真空范圍為102~ΙΟ-lPa，分子泵126的抽真空范圍為10_1~10_5Pa。首先使用機(jī)械泵122進(jìn)行抽真空，當(dāng)機(jī)械泵122抽到低中空狀態(tài)，羅茨泵124開始啟動(dòng)抽至中真空狀態(tài)，然后分子泵126啟動(dòng)抽至低真空狀態(tài)，機(jī)械泵122、羅茨泵124和分子泵126相互配合保證了各個(gè)室中真空度的穩(wěn)定性，從而保證鍍膜工藝的穩(wěn)定性。
[0048]請(qǐng)?jiān)俅螀㈤唸D2，優(yōu)選地，磁控濺射鍍膜系統(tǒng)200還包括冷卻裝置130。冷卻裝置130 Si個(gè)(圖2僅示出一個(gè))，八個(gè)冷卻裝置130分別與進(jìn)片室10、進(jìn)片緩沖室20、進(jìn)片過渡室30、第一腔室42、第二腔室44、出片過渡室50、出片緩沖室60和出片室70相連，用于冷卻各個(gè)室的溫度和濺射室40中的濺射電源。另外三個(gè)冷卻裝置130分別與機(jī)械泵122、羅茨泵124和分子泵126相連，用于冷卻機(jī)械泵122、羅茨泵124和分子泵126。
[0049]進(jìn)片室10 、進(jìn)片緩沖室20、進(jìn)片過渡室30、第一腔室42、第二腔室44、出片過渡室50、出片緩沖室60和出片室70中均設(shè)置有進(jìn)水管131和出水管133(圖2中僅進(jìn)片緩沖室20和出片緩沖室60中畫出)，進(jìn)水管131和出水管133連通。
[0050]每一個(gè)冷卻裝置130包括一個(gè)冷凍機(jī)132、兩個(gè)冷卻泵134和一個(gè)冷水塔136。冷水塔136用于存放冷卻介質(zhì)。冷凍機(jī)132與冷水塔136電連接，用于對(duì)冷水塔136中的冷卻介質(zhì)進(jìn)行制冷。一個(gè)冷卻泵134連通進(jìn)水管131和冷水塔136,另一個(gè)冷卻泵134連通出水管133和冷水塔136。冷凍機(jī)132對(duì)冷水塔136中的冷卻介質(zhì)進(jìn)行制冷后，啟動(dòng)兩個(gè)冷卻泵134，使冷水塔136中的冷卻介質(zhì)通過一個(gè)冷卻泵134流向進(jìn)水管131，并從出水管133通過經(jīng)過另一個(gè)冷卻泵134流回冷水塔136，經(jīng)冷凍機(jī)132進(jìn)行制冷，不斷地循環(huán)，實(shí)現(xiàn)冷卻。
[0051]請(qǐng)一并參閱圖1和圖2，優(yōu)選地，磁控濺射鍍膜系統(tǒng)200還包括進(jìn)片平移架140、出片平移架150、兩個(gè)平移螺旋桿160和傳送帶170。進(jìn)片平移架140設(shè)置于進(jìn)片室10的前端，出片平移架150設(shè)置于出片室70的后端。傳送帶170位于各個(gè)室的外部，并從進(jìn)片室10水平延伸至出片室70。一個(gè)平移螺旋桿160作為傳送帶170的一端和進(jìn)片平移架140之間的過渡傳送裝置，另一個(gè)平移螺旋桿160作為傳送帶170的另一端和出片平移架150之間的過渡傳送裝置。
[0052]開始鍍膜時(shí)，基片架90放置于進(jìn)片過渡架140上，將結(jié)凈的待鍍膜基片放置于基片架90上，調(diào)整四根固定桿926將待鍍膜基片固定好后，將固定有帶鍍膜基片的基片架90送入進(jìn)片室10中，并通過傳動(dòng)裝置依次進(jìn)入進(jìn)片緩沖室20、進(jìn)片過渡室30、第一腔室42、第二腔室44、出片過渡室50、出片緩沖室60和出片室70中，然后從出片室70從出來進(jìn)入出片平移架150，將鍍好膜的基片取出后，基片架90從出片平移架150中經(jīng)過平移螺旋桿160進(jìn)入傳送帶170中，并經(jīng)過傳送帶170的傳送進(jìn)入另一個(gè)平移螺旋桿160中，平移螺旋桿160將基片架90送入進(jìn)片平移架140中，裝片，開始新一輪地鍍膜工序。
[0053]兩個(gè)平移螺旋桿160均與電動(dòng)機(jī)(圖未示)連接，通過電動(dòng)機(jī)的正反轉(zhuǎn)帶動(dòng)兩個(gè)平移螺旋桿正反轉(zhuǎn)，使基片架90上下移動(dòng)，從而使傳送帶170移動(dòng)至進(jìn)片平移架140，或從出片平移架150移動(dòng)至傳送帶170。
[0054]進(jìn)片平移架140和出片平移架150上均設(shè)置有傳動(dòng)裝置，方便基片架90運(yùn)行。
[0055]請(qǐng)參閱圖5，優(yōu)選地，磁控濺射鍍膜系統(tǒng)200還包括機(jī)械臂180，機(jī)械臂180用于裝片，將潔凈的待鍍膜基片放置于基片架90上和將鍍好膜的基片從基片架90上取下。優(yōu)選地，機(jī)械臂180為吸盤機(jī)械臂，包括第一連接臂182、第二連接臂184和吸盤186。第一連接臂182的一端與外部支撐物300鉸接，另一端與第二連接臂184鉸接，吸盤186設(shè)置于第二連接臂184遠(yuǎn)離第一連接臂182的一端。吸盤186用于吸附待鍍膜基片，通過第一連接臂182相對(duì)外部支撐物300的運(yùn)動(dòng)及第一連接臂182和第二連接臂184的相對(duì)運(yùn)動(dòng)將潔凈的待鍍膜基片放置于基片架90上和將鍍好膜的基片從基片架90上取下，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化作業(yè)，提高效率。
[0056]優(yōu)選地，請(qǐng)參閱圖6，磁控濺射鍍膜系統(tǒng)200還包括控制系統(tǒng)190。控制系統(tǒng)190包括PLC主控制柜191、電加熱柜192、傳動(dòng)電機(jī)控制柜193、濺射電源控制柜194、泵組控制柜195和電壓穩(wěn) 壓器196。
[0057]PLC主控制柜191與電加熱柜192、傳動(dòng)電機(jī)控制柜193、濺射電源控制柜194、泵組控制柜195和電源穩(wěn)壓器196通訊連接，用于控制電加熱柜192、傳動(dòng)電機(jī)控制柜193、濺射電源控制柜194、電源穩(wěn)壓器195和泵組控制柜196的工作。同時(shí)，PLC主控制柜191與第一門閥11、第二門閥12、第三門閥13、第四門閥14、第五門閥15和第六門閥16通訊連接，控制這幾個(gè)門閥的開啟或關(guān)閉。
[0058]電加熱控制柜192用于控制紅外輻射加熱器100工作，傳動(dòng)電機(jī)控制柜193用于控制傳動(dòng)裝置、電機(jī)等傳動(dòng)部件的工作，濺射電源控制柜194用于控制濺射室40中的電源工作，電壓穩(wěn)壓器195用于控制濺射室40中的鍍膜電壓，泵組控制柜196用于控制抽真空裝置的工作。
[0059]優(yōu)選地，電加熱控制柜192進(jìn)行PID運(yùn)算，通過固體繼電器(圖未示)的電壓脈沖控制紅外輻射加熱器100的加熱頻率，有利于控制各個(gè)室的溫度，提高溫度的穩(wěn)定性和均勻性。
[0060]設(shè)置控制系統(tǒng)190實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)化系統(tǒng)作業(yè)，提高生產(chǎn)效率。
[0061]請(qǐng)?jiān)俅螀㈤唸D1，優(yōu)選地，磁控濺射鍍膜系統(tǒng)200還包括多個(gè)紅外感應(yīng)器210(圖1中僅標(biāo)出2個(gè))。進(jìn)片平移架140、進(jìn)片室10、進(jìn)片緩沖室20、進(jìn)片過渡室30、第一腔室42、第二腔室44、出片過渡室50、出片緩沖室60、出片室70和出片平移架150上均設(shè)置有紅外感應(yīng)器210。紅外感應(yīng)器210與PLC控制柜191通訊連接，當(dāng)紅外感應(yīng)器210感應(yīng)到基片到位后，將到位信號(hào)傳送給PLC控制柜191，PLC控制柜191控制傳動(dòng)電機(jī)控制柜193工作，傳動(dòng)電機(jī)控制柜193啟動(dòng)三相同步電機(jī)運(yùn)行，使傳動(dòng)軸82轉(zhuǎn)動(dòng)。
[0062]上述磁控濺射鍍膜系統(tǒng)200采用全自動(dòng)機(jī)械化作業(yè)，鍍膜工藝溫度，基片運(yùn)行平穩(wěn)，生產(chǎn)良率高，成本低，效率高。[0063] 以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本 發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，包括進(jìn)片室、進(jìn)片緩沖室、進(jìn)片過渡室、濺射室、出片過渡室、出片緩沖室和出片室，其特征在于，還包括七個(gè)傳動(dòng)裝置及基片架，其中， 所述七個(gè)傳動(dòng)裝置分別設(shè)置于所述進(jìn)片室、進(jìn)片緩沖室、進(jìn)片過渡室、濺射室、出片過渡室、出片緩沖室和出片室中，每個(gè)所述傳動(dòng)裝置包括多個(gè)平行設(shè)置的傳動(dòng)軸及套設(shè)于每個(gè)所述傳動(dòng)軸上的多個(gè)第一橡膠圈； 所述基片架包括基片架主體和多個(gè)第二橡膠圈，所述基片架主體包括框架、固定設(shè)置于所述框架上的安裝桿及可滑動(dòng)地設(shè)置于所述框架上的多個(gè)固定桿，所述多個(gè)第二橡膠圈設(shè)置于所述安裝桿上； 待鍍膜基片放置于所述基片架的安裝桿上并與所述第二橡膠圈抵接，且所述待鍍膜基片夾持于所述多個(gè)固定桿之間；所述基片架放置于所述傳動(dòng)軸上并與所述第一橡膠圈抵接，且所述基片架隨所述傳動(dòng)軸的轉(zhuǎn)動(dòng)而帶動(dòng)所述待鍍膜基片依次沿所述進(jìn)片室、進(jìn)片緩沖室、進(jìn)片過渡室、濺射室、出片過渡室、出片緩沖室和出片室水平運(yùn)行。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，所述濺射室包括連通的第一腔室和第二腔室，所述第一腔室中設(shè)置有四個(gè)直流濺射電源，所述第二腔室中也設(shè)置有四個(gè)直流濺射電源。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，還包括六個(gè)紅外輻射加熱器，所述六個(gè)紅外輻射加強(qiáng)器分別設(shè)置于所述進(jìn)片室、進(jìn)片緩沖室、進(jìn)片過渡室、第一腔室、第二腔室和出片過渡室中。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，還包括八個(gè)冷卻裝置，所述八個(gè)冷卻裝置分別與所述進(jìn)片室、進(jìn)片緩沖室、進(jìn)片過渡室、第一腔室、第二腔室、出片過渡室、出片緩沖室和出片室相連。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，所述進(jìn)片室、進(jìn)片緩沖室、進(jìn)片過渡室、第一腔室、第二腔室、出片過渡室、出片緩沖室和出片室中均設(shè)置有進(jìn)水管和出水管，所述進(jìn)水管和出水管連通，每個(gè)所述冷卻裝置包括一個(gè)冷凍機(jī)、兩個(gè)冷卻泵和一個(gè)冷水塔，所述冷凍機(jī)與所述冷水塔電連接，其中一個(gè)冷卻泵與所述進(jìn)水管和冷水塔連通，另一個(gè)冷卻泵與所述出水管和冷水塔連通。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，還包括抽真空裝置，所述抽真空裝置包括機(jī)械泵、羅茨泵和分子泵，所述機(jī)械泵均與所述進(jìn)片室、進(jìn)片緩沖室、進(jìn)片過渡室、濺射室、出片過渡室、出片緩沖室和出片室連通，所述羅茨泵均與所述進(jìn)片室、進(jìn)片緩沖室、進(jìn)片過渡室、濺射室、出片過渡室、出片緩沖室和出片室連通，所述分子泵均與所述進(jìn)片緩沖室、進(jìn)片過渡室、濺射室、出片過渡室和出片緩沖室連通。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，還包括控制系統(tǒng)，所述控制系統(tǒng)包括PLC主控制柜、電加熱控制柜、傳動(dòng)電機(jī)控制柜、濺射電源控制柜和電壓穩(wěn)壓器，所述PLC主控制柜用于控制所述電加熱柜、傳動(dòng)電機(jī)控制柜、濺射電源控制柜和電壓穩(wěn)壓器的工作，所述電加熱控制用于控制所述紅外輻射加熱器工作，所述傳動(dòng)電機(jī)控制柜用于控制所述傳動(dòng)裝置運(yùn)行，所述濺射電源控制柜用于控制所述濺射室中的電源工作，所述電壓穩(wěn)壓器用于控制所述濺射室中的鍍膜電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，所述電加熱控制柜進(jìn)行PID運(yùn)算，通過固體繼電器的電壓脈沖控制所述紅外輻射加熱器的加熱頻率。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，還包括檢漏系統(tǒng)，所述檢漏系統(tǒng)均與所述進(jìn)片室、進(jìn)片緩沖室、進(jìn)片過渡室、濺射室、出片過渡室、出片緩沖室和出片室連通。
10.根據(jù)權(quán)利 要求1所述的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，還包括機(jī)械臂，所述機(jī)械臂用于裝載基片和卸載基片。
【文檔編號(hào)】C23C14/35GK103938168SQ201410138095
【公開日】2014年7月23日 申請(qǐng)日期:2014年4月8日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月8日
【發(fā)明者】張迅, 張伯倫, 李景艷, 易偉華 申請(qǐng)人:江西沃格光電股份有限公司