一種鍍膜裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種鍍膜裝置，其包括蒸鍍源材料、蒸鍍鍋體，所述鍍鍋與所述蒸鍍源材料相向放置，其特征在于：所述蒸鍍鍋體包括圍繞所述鍋體中心排列的多個晶片載體，所述晶片載體經(jīng)一連接支撐體固定于蒸鍍鍋體，通過調(diào)節(jié)所述連接支撐體的高度進(jìn)而調(diào)節(jié)晶片載體與蒸鍍鍋體的距離，使所述晶片載體與蒸鍍源材料原子入射方向垂直。
【專利說明】一種鍍膜裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實用新型涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種鍍膜裝置。

【背景技術(shù)】
[0002] 半導(dǎo)體芯片制備過程中，很多結(jié)構(gòu)層需要經(jīng)過鍍膜工藝制成，因此鍍膜步驟在半 導(dǎo)體芯片制備中具有相當(dāng)重要的作用，特別是目前使用成熟的真空鍍膜工藝更是被廣泛使 用。所謂真空鍍膜即將待鍍晶片（即為待鍍物）置于真空室內(nèi)，通過加熱或電子束轟擊鍍源 材料使鍍源原子沉積到晶片表面的過程。以蒸鍍?yōu)槔壳八褂玫腻兡ぱb置中，用于固定 晶片載體220的蒸鍍鍋200懸置于蒸鍍機(jī)臺內(nèi)腔100,與蒸鍍源300相向而置，其晶片表面 與鍍源原子入射方向310存在非直角的Θ角度(參看附圖1)，其造成鍍源的原子入射路徑 增長，易造成鍍源材料浪費(fèi)；且晶片表面鍍層分布不均，局部區(qū)域鍍層較厚，在后續(xù)制程中 易出現(xiàn)鍍層剝離后存在多金的異常現(xiàn)象。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 針對上述問題，本實用新型提出了一種鍍膜裝置，其藉由調(diào)節(jié)蒸鍍鍋結(jié)構(gòu)，使其在 制程中晶片與鍍源材料原子的入射方向垂直，進(jìn)而改變原子入射路徑，改善金屬耗用量及 多金異常現(xiàn)象。
[0004] 本實用新型解決技術(shù)的技術(shù)方案為：鍍膜裝置包括：蒸鍍源材料、蒸鍍鍋，鍍鍋與 所述蒸鍍源材料相向放置；而所述蒸鍍鍋體包括圍繞所述鍋體中心排列的多個晶片載體， 所述晶片載體經(jīng)一連接支撐體固定于蒸鍍鍋體，通過調(diào)節(jié)所述連接支撐體的高度而調(diào)節(jié)晶 片載體與蒸鍍鍋體的距離，使所述晶片載體與蒸鍍源材料原子入射方向角度呈垂直關(guān)系。
[0005] 優(yōu)選的，所述連接支撐體的高度沿從中心至邊緣方向依次增加。
[0006] 優(yōu)選的，所述連接支撐體的高度范圍為：內(nèi)圈〇· 8?1. 3cm，次內(nèi)圈1. 3?1. 8cm， 次外圈1. 8?2. 3cm，外圈2. 3?2. 8cm。
[0007] 優(yōu)選的，所述連接支撐體的高度范圍為：內(nèi)圈0. 8?1. 8cm，外圈1. 8?2. 8cm。
[0008] 在一些實施例中，所述連接支撐體為條形支撐桿，相互隔開置于晶片載體的邊緣 底部，固定晶片載體于鍍鍋上，且支撐晶片載體與鍍鍋距離一定高度，且使晶片載體與鍍源 入射方向角度垂直。
[0009] 在另一些實施例中，所述支撐連接體為所述晶片載體的組成部分，直接用于固定 晶片，其晶片載體為一環(huán)狀結(jié)構(gòu)，支撐連接體為環(huán)狀的側(cè)壁。
[0010] 本實用新型至少具有以下有益效果：通過調(diào)節(jié)晶片載體的結(jié)構(gòu)，使其在制程中晶 片與鍍源材料原子的入射方向角度垂直，進(jìn)而減小鍍膜時原子入射路徑，從而改善金屬耗 用量及多金異常現(xiàn)象。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011] 附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本實用新型 的實施例一起用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本實用新型的限制。此外，附圖數(shù)據(jù)是描述概 要，不是按比例繪制。
[0012] 圖1為現(xiàn)有一種鍍膜裝置結(jié)構(gòu)截面圖。
[0013] 圖2~圖3為本實用新型之實施例1之一種鍍膜裝置結(jié)構(gòu)截面圖。
[0014] 圖4為圖3中I部放大立體示意圖。
[0015] 圖5~圖6為本實用新型之實施例2之一種鍍膜裝置結(jié)構(gòu)截面圖。
[0016] 圖7為圖6中I部放大立體示意圖。

【具體實施方式】
[0017] 下面結(jié)合附圖和實施例對本實用新型的【具體實施方式】進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0018] 實施例1
[0019] 請參看附圖2和3,鍍膜裝置包括：蒸鍍機(jī)臺內(nèi)腔100、蒸鍍源材料300和蒸鍍鍋 200,其中蒸鍍鍋200懸置于蒸鍍機(jī)臺內(nèi)腔100,與所述蒸鍍源材料300相向放置；而所述蒸 鍍鍋200包括圍繞所述鍋體中心排列的多個晶片載體220,所述晶片載體220經(jīng)一連接支撐 體210固定于蒸鍍鍋200,通過調(diào)節(jié)所述連接支撐體210的高度而調(diào)節(jié)晶片載體220與蒸鍍 鍋200的間距，從而使得所述晶片載體與蒸鍍源材料原子入射方向310垂直（Θ =90° )。
[0020] 具體的，連接支撐體為條形支撐桿，相互隔開置于晶片載體邊緣底部(請參看附圖 4)，固定晶片載體220置于鍍鍋200上，并支撐晶片載體220與鍍鍋200距離一定高度，且 該高度沿中心至邊緣方向依次增加，當(dāng)該鍍鍋200包含大于2圈的晶片載體220時，其高度 范圍依次為：內(nèi)圈a為0· 8?1. 3cm，次內(nèi)圈b為1. 3?1. 8cm，次外圈c為1. 8?2. 3cm， 外圈d為2. 3?2. 8cm ;當(dāng)該鍍鍋200包含小于等于2圈晶片載體220時，其高度范圍依次 為：內(nèi)圈a為0· 8?1. 8cm，外圈d為1. 8?2. 8cm，通過調(diào)節(jié)該高度范圍進(jìn)而使得晶片載體 220與鍍源300入射方向310垂直，及保證待鍍晶片與該入射方向垂直，從而減小鍍源原子 入射距離，并改善晶片表面的鍍層均勻性，改善局部區(qū)域多金異常。
[0021] 實施例2
[0022] 請參看附圖5和6,連接支撐體210為晶片載體220的組成部分，直接用于固定晶 片；其晶片載體220為一環(huán)狀結(jié)構(gòu)，待鍍晶片固定于環(huán)狀結(jié)構(gòu)內(nèi)，支撐連接體210為環(huán)狀的 側(cè)壁(請參看附圖7)，調(diào)節(jié)側(cè)壁的高度，即調(diào)節(jié)晶片載體與鍍鍋200的距離，保證待鍍晶片 表面與鍍源原子入射方向垂直，其側(cè)壁高度范圍及晶片載體圈數(shù)可以同實施例1。
[0023] 應(yīng)當(dāng)理解的是，上述具體實施方案為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，本發(fā)明的范圍不限于 該實施例，凡依本發(fā)明所做的任何變更，皆屬本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種鍍膜裝置，包括：蒸鍍源材料、蒸鍍鍋體，所述鍍鍋與所述蒸鍍源材料相向放 置，其特征在于：所述蒸鍍鍋體包括圍繞所述鍋體中心排列的多個晶片載體，所述晶片載體 經(jīng)一連接支撐體固定于蒸鍍鍋體，通過調(diào)節(jié)所述連接支撐體的高度而調(diào)節(jié)晶片載體與蒸鍍 鍋體的距離，使所述晶片載體與蒸鍍源材料原子入射方向垂直。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜裝置，其特征在于：所述連接支撐體的高度沿從中心至 邊緣方向依次增加。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的鍍膜裝置，其特征在于：所述連接支撐體的高度范圍為：內(nèi)圈 0· 8?1. 3cm，次內(nèi)圈1. 3?1. 8cm，次外圈1. 8?2. 3cm，外圈2. 3?2. 8cm。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的鍍膜裝置，其特征在于：所述連接支撐體的高度范圍為：內(nèi)圈 0· 8 ?1. 8cm，外圈 1. 8 ?2. 8cm。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜裝置，其特征在于：所述連接支撐體為置于所述晶片載 體底部的條形支撐桿。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜裝置，其特征在于：所述連接支撐體為所述晶片載體的 組成部分，直接用于固定晶片。
【文檔編號】C23C14/50GK203878203SQ201420295907
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2014年6月5日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月5日
【發(fā)明者】黃照明, 張家豪, 郭明興, 季韜, 程葉, 劉峰 申請人:安徽三安光電有限公司