1.一種鋨膜電阻型原子氧密度傳感器芯片的制備方法，包括以下步驟：
(1)將基片、基片固定板、鋨膜線掩膜板和電極掩膜板分別依次在丙酮、酒精和去離子水中超聲振蕩清洗；
(2)將經(jīng)清洗后的基片固定在清洗后的基片固定板上，將經(jīng)清洗后的鋨膜線掩膜板蓋在基片上，通過磁控濺射的方法在基片上沉積一層鋨膜線，所述磁控濺射的單位面積功率控制在3.54W/cm2-14.15W/cm2，濺射時(shí)間控制在2-6h；
(3)取出鋨膜線掩膜板并將經(jīng)清洗后的電極掩膜板蓋在沉積有鋨膜線的基片上，通過磁控濺射的方法在鋨膜線的兩端沉積銅膜或金膜，所述磁控濺射的單位面積功率控制在3.54W/cm2-14.15W/cm2，濺射時(shí)間控制在2-6h；
(4)對(duì)沉積有鋨膜線并且沉積有銅膜或金膜的基片在真空條件下進(jìn)行低溫?zé)崽幚?，所述低溫?zé)崽幚淼奶幚頊囟瓤刂圃?00-500℃，保溫時(shí)間控制在5-15h，然后隨爐冷卻，即得鋨膜電阻型原子氧密度傳感器芯片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟(2)中，所述磁控濺射的單位面積功率控制在5.31W/cm2-5.66W/cm2，濺射時(shí)間控制在3-5h；所述步驟(3)中，所述磁控濺射的單位面積功率控制在4.24W/cm2-4.60W/cm2，濺射時(shí)間控制在3-5h；所述步驟(4)中，所述低溫?zé)崽幚淼奶幚頊囟瓤刂圃?50-350℃，保溫時(shí)間控制在9-11h。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中，所述將經(jīng)清洗后的鋨膜線掩膜板蓋在經(jīng)清洗后的基片上具體是指：將經(jīng)清洗后的鋨膜線掩膜板用雙面膠粘合在經(jīng)清洗后的基片上；所述步驟(3)中，所述將經(jīng)清洗后的電極掩膜板蓋在沉積有鋨膜線的基片上具體是指：將經(jīng)清洗后的電極掩膜板蓋用雙面膠粘合在沉積有鋨膜線的基片上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述基片為氧化鋁陶瓷片或氮化鋁陶瓷片，基片的表面粗糙度<0.5μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟(2)中，所述鋨膜線的厚度在5μm-200μm之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟(3)中，所述銅膜或金膜的厚度在2μm-50μm之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述鋨膜線掩膜板為不銹鋼板，鋨膜線掩膜板的厚度為0.3mm，鋨膜線掩膜板鋨膜線槽的寬度為0.3mm，遮擋條寬度為0.7mm，鋨膜線槽單根長度≥10mm，鋨膜線槽根數(shù)≥24根。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于：所述電極掩膜板為不銹鋼板，電極掩膜板的厚度為0.3mm，電極掩膜板上電極孔的長度為6mm，寬度為5mm，所述電極孔的數(shù)量為多個(gè)，多個(gè)電極孔分布在電極掩膜板的兩側(cè)，電極孔與鋨膜線掩膜板上鋨膜線槽兩端的位置相對(duì)應(yīng)。