技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種鋨膜電阻型原子氧密度傳感器芯片的制備方法，包括以下步驟：(1)將基片、基片固定板、鋨膜線(xiàn)掩膜板和電極掩膜板分別依次在丙酮、酒精和去離子水中超聲振蕩清洗；(2)將經(jīng)清洗后的基片固定在清洗后的基片固定板上，將經(jīng)清洗后的鋨膜線(xiàn)掩膜板蓋在基片上，通過(guò)磁控濺射在基片上沉積鋨膜線(xiàn)；(3)取出鋨膜線(xiàn)掩膜板并將經(jīng)清洗后的電極掩膜板蓋在沉積有鋨膜線(xiàn)的基片上，通過(guò)磁控濺射在鋨膜線(xiàn)的兩端沉積銅膜或金膜；(4)對(duì)沉積有鋨膜線(xiàn)并且沉積有銅膜或金膜的基片在真空條件下進(jìn)行低溫?zé)崽幚恚缓箅S爐冷卻，即得芯片。該制備方法工藝簡(jiǎn)單，通過(guò)該方法制備得到的芯片中鋨膜表面平整無(wú)微裂紋且厚度較大。

技術(shù)研發(fā)人員：周科朝;魏秋平;郭曜華;易忠;劉向鵬;馬莉;余志明
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中南大學(xué)
文檔號(hào)碼：201610910439
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.19
技術(shù)公布日：2017.05.10