技術總結
本發明公開了一種碳化硅增強鋁基復合材料的制備方法，包括初步堿洗：用于去除Si、SiO2夾渣和SiC表面形成的SiO2薄膜；刻蝕：對碳化硅顆粒表面進行刻蝕；浸泡前驅體溶液：獲得表面附著前驅體相的碳化硅顆粒；熱分解：獲得表面附著Ir?Cu復合層的碳化硅顆粒；無壓滲透：制得碳化硅增強鋁基復合材料。通過本發明所述碳化硅增強鋁基復合材料的制備方法，可以實現在無壓滲透之前先在SiC表面形成一層Ir?Cu復合層，能有效改善增強相顆粒界面與鋁合金液相界面的附著程度，進而減少兩相間產生的孔隙，宏觀上表現為復合材料的熱導率提高。

技術研發人員：周樂平
受保護的技術使用者：江西樂富軍工裝備有限公司
文檔號碼：201611064911
技術研發日：2016.11.28
技術公布日：2017.05.10