本發明涉及一種薄膜，具體是一種薄膜的制作方法。
背景技術：
于電阻式觸摸屏而言，無論采用G+G(Glass+Glass)結構還是采用F+G(Film+Glass)結構，觸摸屏ITO Film和ITO玻璃上的電阻都很高，ITO薄膜很薄，其表面粗糙度比較低，在觸控結束后都需要少量時間分離，即觸控存在一定的滯留時間，影響觸控響應速度。同時，G+G結構式觸摸屏在上下片玻璃接觸瞬間會發出“吱吱”聲，此聲音一些廠家稱為異音，在夜間或安靜的地方顯得尤為突出。所以觸摸屏廠家一般希望電阻屏用ITO玻璃的ITO薄膜的表面粗糙度越大越好，特別是G+G結構的電阻式觸摸屏，上下片玻璃的ITO薄膜的表面粗糙度越高，觸控結束后越利于表面導電玻璃和底層導電玻璃間的分離，提高觸摸屏的響應速度。同時，當兩片玻璃的粗糙度比較大時，摁下表面玻璃而在玻璃接觸時沒有異常聲音，從而體驗感覺更佳。目前，為了提高表面粗糙度，采用了對玻璃進行拋光、化學法腐蝕玻璃表面或噴砂的方法，通過提升玻璃基板的粗糙度來提升觸摸屏的響應速度，從而提升觸控體驗。然而，現有拋光、化學腐蝕或噴砂的方式雖然可以提高玻璃表面的表面粗糙度，但無法提高ITO薄膜的表面粗糙度。同時，增加以上過程都將進一步提高生產成本、壓榨利潤空間，不利于生產安排、降本增效，也不利于提升公司的營業利潤。
技術實現要素：
本發明的目的在于提供一種薄膜的制作方法，以解決上述背景技術中提出的問題。
為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：
一種薄膜的制作方法，包括如下步驟：提供襯底，對所述襯底進行加熱，并將所述襯底維持在230～300℃，在還原性氣體氛圍中，在所述襯底上制備ITO薄膜，ITO薄膜沉積步驟之前，只通Ar氣，流量為0，ITO薄膜沉積的第一階段，O2流量分步增加，從0一直增加到最大值。
作為本發明進一步的方案：所述在所述襯底上制備ITO薄膜的步驟是采用磁控濺射在所述襯底上制備ITO薄膜。
作為本發明進一步的方案：所述提供襯底，對所述襯底進行加熱，并將所述襯底維持在230～300℃的步驟是將所述襯底維持在260～270℃。
作為本發明進一步的方案：所述ITO薄膜沉積的第二階段，O2流量分步減小，由最大值逐步減小到0。
作為本發明進一步的方案：在O2流量分步增加或分步減小的過程中，分步時間為3s～8s；分步O2流量為0.05～0.2sccm。
作為本發明進一步的方案：O2流量呈等差數列分步增加或分步減小。
作為本發明進一步的方案：所述ITO薄膜沉積的第二階段，在O2流量分步減小之前，還包括過渡步驟，所述過渡步驟中O2流量保持最大值不變。
作為本發明再進一步的方案：所述流量保持最大值不變的時間為10s。
與現有技術相比，本發明的有益效果O2是：本發明在還原性氣體氛圍中制備ITO薄膜，生成In、Sn氧化物飽和態和不飽和態共存的固溶體的多晶體薄膜，控制ITO薄膜向有利于提高表面粗糙度的方向生長，實現提高ITO薄膜的表面粗糙度的目的。
具體實施方式
下面對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述。
本發明實施例中，一種薄膜的制作方法，包括如下步驟：提供襯底，對所述襯底進行加熱，并將所述襯底維持在230～300℃，在還原性氣體氛圍中，在所述襯底上制備ITO薄膜，ITO薄膜沉積步驟之前，只通Ar氣，O2流量為0，ITO薄膜沉積的第一階段，O2流量分步增加，從0一直增加到最大值。所述在所述襯底上制備ITO薄膜的步驟是采用磁控濺射在所述襯底上制備ITO薄膜。所述提供襯底，對所述襯底進行加熱，并將所述襯底維持在230～300℃的步驟是將所述襯底維持在260～270℃。所述ITO薄膜沉積的第二階段，O2流量分步減小，由最大值逐步減小到0。在O2流量分步增加或分步減小的過程中，分步時間為3s～8s；分步O2流量為0.05～0.2sccm。O2流量呈等差數列分步增加或分步減小。所述ITO薄膜沉積的第二階段，在O2流量分步減小之前，還包括過渡步驟，所述過渡步驟中O2流量保持最大值不變。所述O2流量保持最大值不變的時間為10s。
襯底根據需要選擇。當需要將ITO薄膜應用于LCD、電阻式觸摸屏或電容式觸摸屏時，襯底一般為玻璃襯底。首先對襯底進行清洗，并干燥后對襯底進行加熱，并將襯底維持至230～300℃。在還原性氣體氛圍中，在襯底上制備ITO薄膜，其中，還原性氣體選自氫氣、水蒸氣及一氧化碳中的一種，或選自氬氣和氫氣的混合氣體、氬氣和水蒸氣的混合物氣體及氬氣和一氧化碳的混合物氣體中的一種。可以采用磁控濺射在襯底上制備ITO薄膜。在還原性氣體氛圍中制備ITO 薄膜，利用還原性氣體調整ITO薄膜中In、Sn的氧化程度和生成不同晶面特征峰，實現提高ITO薄膜的表面粗糙度的目的。
還原性氣體的流量太低，則難以達到提高ITO薄膜的粗糙度的效果；而還原性氣體的流量太高，則會使ITO薄膜中In、Sn金屬集聚現象過于明顯，從而產品的透過率過低而 難以滿足透過率需要，并且還原性氣體含量過高也易出現In和Sn金屬晶須，在特殊燈光下觀察會發現有藍霧現象，經擦拭后影響ITO膜層電阻，影響使用效果。
實施例1
提供0.7mm玻璃襯底，并對玻璃襯底進行清洗，然后將玻璃裝入鍍膜線，利用鍍膜線的加熱器在玻璃行進過程中對玻璃襯底逐漸加熱至270℃，并維持在270℃。2、制備 ITO 薄膜時通入NO2作為氧化性氣體，在氧化性氣體氛圍中，采用磁控濺在玻璃襯底上制備透過率為93％、電阻范圍為400～600歐姆的電阻式觸摸屏用高透TP-400歐姆ITO玻璃。其中，NO2的流量為0.6sccm，采用Ar作為工藝氣體，Ar的流量為120sccm，磁控濺射的電壓為312V，功率為1.85kw，鍍膜節拍為150s。采用島津生產UV2450分光光度計測定ITO薄膜的透光率為≥93％。采用廣州半導體所生產SDY-5型四探針儀測定所制備的ITO薄膜的面電阻為478～505歐姆，將制備得到的產品正常包裝，放置于正常溫濕度(溫度≤25℃，濕度≤60％)控制的倉庫內放置，并于倉庫存放2天、7天、15天，再分別采用相同的方法測定ITO薄膜的面電阻，結果為475～513歐姆。將該產品進行清洗、酸刻并同ITO Film貼合成TP成品后，再撕掉ITO Film，測試ITO玻璃面電阻，結果為468～523歐姆?？梢?，采用該方法制備的ITO薄膜的電阻很穩定，避免了按傳統的方法在制備的時候提供電阻值使電阻值后續自然降低而帶來的均勻性差的問題。
實施例2
提供0.55mm玻璃襯底，并對玻璃襯底進行清洗并干燥，然后對玻璃襯底進行加熱至250℃，并維持在250℃。2、通入水蒸氣作為還原性氣體，在還原性氣體氛圍中，采用磁控濺射在玻璃襯底上制備透過率90％以上、電阻400～600歐姆的普通TP用ITO玻璃。其中，水蒸氣的流量為6sccm，采用Ar作為工藝氣體，Ar的流量為120sccm，磁控濺射的電壓為327V，功率為3.15kw，鍍膜節拍為56s。采用島津生產UV2450分光光度計測定ITO薄膜的透光率為≥90％。采用PSIA公司制造的XE-100原子力顯微鏡測試ITO薄膜的表面粗糙度Ra≥0.8nm。除了不在還原性氣體氛圍中進行鍍膜以外，按上述相同的氣體工藝制備ITO薄膜，采用相同的測定方法測定ITO薄膜的表面粗糙度Ra≤0.4nm?？梢姡谶€原性氣氛中制備的ITO薄膜，能夠提高ITO薄膜的表面粗糙度。
實施例3
提供0.5mm玻璃襯底，并對玻璃襯底進行清洗，然后將玻璃裝入鍍膜線，利用鍍膜線的加熱器在玻璃行進過程中對玻璃襯底逐漸加熱至250℃，并維持在250℃。2、制備 ITO 薄膜時通入NO2作為氧化性氣體，在氧化性氣體氛圍中，采用磁控濺在玻璃襯底上制備透過率為93％、電阻為500歐姆的電阻式觸摸屏用高透TP-400歐姆ITO玻璃。其中，NO2的流量為0.6sccm，采用Ar作為工藝氣體，Ar的流量為120sccm，磁控濺射的電壓為312V，功率為1.85kw，鍍膜節拍為150s。采用島津生產UV2450分光光度計測定ITO薄膜的透光率為≥93％。采用廣州半導體所生產SDY-5型四探針儀測定所制備的ITO薄膜的面電阻為478～505歐姆，將制備得到的產品正常包裝，放置于正常溫濕度(溫度≤25℃，濕度≤60％)控制的倉庫內放置，并于倉庫存放2天、7天、15天，再分別采用相同的方法測定ITO薄膜的面電阻，結果為500歐姆。將該產品進行清洗、酸刻并同ITO Film貼合成TP成品后，再撕掉ITO Film，測試ITO玻璃面電阻，結果為480歐姆?？梢姡捎迷摲椒ㄖ苽涞腎TO薄膜的電阻很穩定，避免了按傳統的方法在制備的時候提供電阻值使電阻值后續自然降低而帶來的均勻性差的問題。
實施例4
提供0.68mm玻璃襯底，并對玻璃襯底進行清洗并干燥，然后對玻璃襯底進行加熱至280℃，并維持在280℃。2、通入水蒸氣作為還原性氣體，在還原性氣體氛圍中，采用磁控濺射在玻璃襯底上制備透過率90％以上、電阻480歐姆的普通TP用ITO玻璃。其中，水蒸氣的流量為6sccm，采用Ar作為工藝氣體，Ar的流量為120sccm，磁控濺射的電壓為327V，功率為3.15kw，鍍膜節拍為56s。采用島津生產UV2450分光光度計測定ITO薄膜的透光率為≥90％。采用PSIA公司制造的XE-100原子力顯微鏡測試ITO薄膜的表面粗糙度Ra≥0.8nm。除了不在還原性氣體氛圍中進行鍍膜以外，按上述相同的氣體工藝制備ITO薄膜，采用相同的測定方法測定ITO薄膜的表面粗糙度Ra≤0.4nm?？梢?，在還原性氣氛中制備的ITO薄膜，能夠提高ITO薄膜的表面粗糙度。
對于本領域技術人員而言，顯然本發明不限于上述示范性實施例的細節，而且在不背離本發明的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實現本發明。因此，無論從哪一點來看，均應將實施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本發明的范圍由所附權利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權利要求的等同要件的含義和范圍內的所有變化囊括在本發明內。此外，應當理解，雖然本說明書按照實施方式加以描述，但并非每個實施方式僅包含一個獨立的技術方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領域技術人員應當將說明書作為一個整體，各實施例中的技術方案也可以經適當組合，形成本領域技術人員可以理解的其他實施方式。