技術總結
本發明公開了一種薄膜的制作方法，包括如下步驟：提供襯底，對所述襯底進行加熱，并將所述襯底維持在230～300℃，在還原性氣體氛圍中，在所述襯底上制備ITO薄膜，ITO薄膜沉積步驟之前，只通Ar氣，流量為0，ITO薄膜沉積的第一階段，流量分步增加，從0一直增加到最大值。本發明在還原性氣體氛圍中制備ITO薄膜，生成In、Sn氧化物飽和態和不飽和態共存的固溶體的多晶體薄膜，控制ITO薄膜向有利于提高表面粗糙度的方向生長，實現提高ITO薄膜的表面粗糙度的目的。

技術研發人員：陳德成
受保護的技術使用者：陳德成
文檔號碼：201611076621
技術研發日：2016.11.30
技術公布日：2017.05.10