1.一種薄膜的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：提供襯底，對所述襯底進行加熱，并將所述襯底維持在230～300℃，在還原性氣體氛圍中，在所述襯底上制備ITO薄膜，ITO薄膜沉積步驟之前，只通Ar氣，流量為0，ITO薄膜沉積的第一階段，流量分步增加，從0一直增加到最大值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜的制作方法，其特征在于，所述在所述襯底上制備ITO薄膜的步驟是采用磁控濺射在所述襯底上制備ITO薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜的制作方法，其特征在于，所述提供襯底，對所述襯底進行加熱，并將所述襯底維持在230～300℃的步驟是將所述襯底維持在260～270℃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜的制作方法，其特征在于，所述ITO薄膜沉積的第二階段，流量分步減小，由最大值逐步減小到0。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜的制作方法，其特征在于，在流量分步增加或分步減小的過程中，分步時間為3s～8s；分步O2流量為0.05～0.2sccm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜的制作方法，其特征在于，O2流量呈等差數(shù)列分步增加或分步減小。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜的制作方法，其特征在于，所述ITO薄膜沉積的第二階段，在O2流量分步減小之前，還包括過渡步驟，所述過渡步驟中O2流量保持最大值不變。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜的制作方法，其特征在于，所述O2流量保持最大值不變的時間為10s。