本發明屬于電子顯示平板生產技術領域，更具體地說，涉及一種SiONx頂層消影技術及SiONx薄膜制備方法。

背景技術：

現有OGS產品消影，在不使用OC層保護的情況下，在人機面觀察很容易看到蝕刻痕。。

技術實現要素：

本發明的目的是解決現有技術存在的問題，提供一種制備簡便，可匹配折射率，很好的消除刻痕的SiONx頂層消影技術及SiONx薄膜制備方法，使用SiONx材料進行頂層鍍膜，利用光學軟件進行匹配，使OGS產品貼合后人機面無法觀察到蝕刻痕，滿足要求。

為了實現上述目的，本發明采取的技術方案為：所提供的這種SiONx頂層消影技術，顯示屏包括玻璃層及設在玻璃層外側的光阻，在所述光阻外側設有IM層和ITO層，在所述ITO層上蝕刻圖形，所述ITO層外設有金屬邊框，所述金屬邊框外側設有SiONx薄膜，SiONx薄膜為整面鍍膜，鍍膜完成后再將金手指部分蝕刻露出。

為使上述技術方案更加詳盡和具體，本發明還提供以下更進一步的優選技術方案，以獲得滿意的實用效果：

所述IM層為Nb2O5+SiO2層。

所述SiONx薄膜在真空環境下鍍膜。

在真空環境下利用Ar為離子源轟擊Si靶使Si靶粒子濺射出來，同時通入02和N2，從而形成一種穩定的SiONx膜層。

本發明與現有技術相比，具有以下優點：本發明SiONx頂層消影技術及SiONx薄膜制備方法，使用SiONx材料進行頂層鍍膜，利用光學軟件進行匹配，使OGS產品貼合后人機面無法觀察到蝕刻痕，滿足要求，具有較好的應用前景。

附圖說明

下面對本說明書的附圖所表達的內容及圖中的標記作簡要說明：

圖1為本發明側面結構示意圖；

圖2為本發明正面結構示意圖；

附圖標記：1、玻璃層，2、光阻，3、IM層，4、ITO層，5、金屬邊框，6、SiONx薄膜，7、蝕刻痕。

具體實施方式

下面對照附圖，通過對實施例的描述，對本發明的具體實施方式作進一步詳細的說明。

本發明這種SiONx頂層消影技術，如圖1、2所示，顯示屏包括玻璃層1及設在玻璃層1外側的光阻2，在光阻2外側設有IM層3和ITO層4，在ITO層4上蝕刻圖形，形成蝕刻痕7，ITO,4外設有金屬邊框5，金屬邊框5外側設有SiONx薄膜6，SiONx薄膜6為整面鍍膜，鍍膜完成后再將金手指部分蝕刻露出。IM層3為Nb2O5+SiO2層，底層消影，與SiONx薄膜層相互配合作用，根據實際光學匹配情況控制Nb2O5和SiO2比例。

SiONx薄膜6在真空環境下鍍膜，以確保較好的鍍膜效果。

SiONx的鍍膜：將基板請清洗后進行真空箱體的SiONx整面鍍，監控SiONx的膜厚、產品的反射率及其色坐標系a*、b*值和附著力情況。因產品表面已有金屬和ITO線路，SiONx屬整面鍍膜，鍍膜完成后將金手指部分蝕刻露出。

本發明還提供一種SiONx薄膜的制備方法：

利用磁控濺射技術，磁控濺射通過在靶陰極表面引入磁場，利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率。在真空環境下利用Ar為離子源，轟擊Si靶使Si靶粒子濺射出來，同時通入一定混合比的02和N2，可通過控制02和N2混合比調控折射率，從而形成一種穩定的SiONx膜層。

SiONx薄膜有許多優良的特性，特別是可控折射率，擊穿電場高。利用其折射率可調這個特性，采用一定的氧氣氮氣比例，控制在一定厚度下，厚度因產品不同，一般控制在20～100nm，對現有常規消影產品進行頂層消影，取得了非常良好的消影效果，且較高的擊穿電場，亦能對面板上的ITO和金屬走線進行靜電保護。

SiONx在可見光區的反射率與產品ITO膜后的反射率接近，其折射率在SiO2與ITO之間，可以滿足匹配ITO折射率，使ITO膜與刻蝕區的色差減小，以達到從人機面觀察消除蝕刻痕的目的。

本發明這種SiONx頂層消影技術及SiONx薄膜的制備方法，使OGS產品貼合后人機面無法觀察到蝕刻痕，滿足客戶要求，且此技術的使用成功解決了車載產品對消影效果的高要求，打開了車載產品的市場。

上面結合附圖對本發明進行了示例性描述，但是本發明并不受限于上述方式，只要采用本發明的方法構思和技術方案進行的各種非實質性的改進或直接應用于其它場合的，均落在本發明的保護范圍內。