1.一種SiONx頂層消影技術，顯示屏包括玻璃層及設在玻璃層外側的光阻，其特征在于：在所述光阻外側設有IM層和ITO層，在所述ITO層上蝕刻圖形，所述ITO層外設有金屬邊框，所述金屬邊框個外側設有SiONx薄膜，SiONx薄膜為整面鍍膜，鍍膜完成后再將金手指部分蝕刻露出。
2.按照權利要求1所述的SiONx頂層消影技術，其特征在于：所述IM層為Nb2O5+SiO2層。
3.按照權利要求2所述的SiONx頂層消影技術，其特征在于：所述SiONx薄膜在真空環境下鍍膜。
4.按照權利要求1所述的SiONx頂層消影技術中SiONx薄膜制備方法，其特征在于：在真空環境下利用Ar為離子源轟擊Si靶使Si靶粒子濺射出來，同時通入02和N2，從而形成一種穩定的SiONx膜層。