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一種SiONx頂層消影技術及SiONx薄膜制備方法與流程

文檔序號:12415676閱讀:來源:國知局
技術總結
本發明公開了一種SiONx頂層消影技術及SiONx薄膜制備方法,顯示屏包括玻璃層及設在玻璃層外側的光阻,在所述光阻外側設有IM層和ITO層,在所述ITO層上蝕刻圖形,所述ITO層外設有金屬邊框,所述金屬邊框個外側設有SiONx薄膜,SiONx薄膜為整面鍍膜,鍍膜完成后再將金手指部分蝕刻露出。磁控濺射技術制備SiONx薄膜。本發明使用SiONx材料進行頂層鍍膜,利用光學軟件進行匹配,使OGS產品貼合后人機面無法觀察到蝕刻痕,滿足要求,具有較好的應用前景。

技術研發人員:許沭華;鐘素文;夏大映;王超;李家衛
受保護的技術使用者:蕪湖長信科技股份有限公司
文檔號碼:201611159973
技術研發日:2016.12.15
技術公布日:2017.05.31

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