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沉積源的制作方法

文檔序號(hào):11126674閱讀:1592來(lái)源:國(guó)知局
沉積源的制造方法與工藝

本發(fā)明涉及沉積源。



背景技術(shù):

發(fā)光顯示裝置中,有機(jī)發(fā)光顯示裝置作為自發(fā)光型顯示元件,具有視角寬、對(duì)比度優(yōu)異而且響應(yīng)速度快的優(yōu)點(diǎn),因此作為新一代顯示裝置而受到矚目。

有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括在陽(yáng)極和陰極之間由有機(jī)發(fā)光物質(zhì)構(gòu)成的發(fā)光層。隨著在這些電極上分別施加陽(yáng)極和陰極電壓,從陽(yáng)極注入的空穴(hole)經(jīng)由空穴注入層和空穴傳輸層移動(dòng)到發(fā)光層,而電子從陰極電極經(jīng)由電子注入層和電子傳輸層移動(dòng)至發(fā)光層,從而在發(fā)光層中電子和空穴復(fù)合。通過(guò)這種復(fù)合生成激子(exiton),并且隨著該激子從激發(fā)態(tài)躍遷至基態(tài)而從發(fā)光層放射出光,從而顯示圖像。

有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括像素限定膜,其中該像素限定膜具有開口部以暴露以像素為單位形成的陽(yáng)極電極,并且空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極電極形成在通過(guò)該像素限定膜的開口部暴露的陽(yáng)極電極上。其中,陽(yáng)極電極可通過(guò)各種方法形成,其中一種方式為沉積方法。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

一方面,用于執(zhí)行沉積方法的沉積裝置具有沉積源,其中沉積源包括存儲(chǔ)沉積物質(zhì)的坩堝、加熱坩堝的加熱器以及收納坩堝和加熱器的殼體。

然而,加熱器在加熱坩堝時(shí)可能會(huì)由于高溫?zé)岫鴮?dǎo)致變形并發(fā)生彎曲、扭曲或與其它部件接觸。在這種情況下,加熱器可能發(fā)生損傷或破損。

對(duì)此,本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供能夠防止加熱器的損傷或破壞的沉積源。

本發(fā)明的技術(shù)問(wèn)題不限于以上提及的技術(shù)問(wèn)題,本領(lǐng)域技術(shù)人員可通過(guò)下面的記載明確地理解未提及的技術(shù)問(wèn)題或其它技術(shù)問(wèn)題。

用于實(shí)現(xiàn)上述目的的、根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的沉積源包括:收納沉積物質(zhì)的坩堝;設(shè)置在上述坩堝的外側(cè)并且以上述坩堝為中心彼此相隔開的第一加熱器和第二加熱器;以及在上述坩堝的下方以連續(xù)的形態(tài)布置于上述第一加熱器與上述第二加熱器之間并且與上述第一加熱器和上述第二加熱器結(jié)合的第一防止變形部件。

上述坩堝、上述第一加熱器以及上述第二加熱器分別可具有沿著與上述第一加熱器和上述第二加熱器的布置方向交叉的第一方向延伸的形態(tài),并且上述第一防止變形部件可設(shè)置為多個(gè),上述多個(gè)第一防止變形部件由布置成沿著上述第一方向相隔開的橋接板構(gòu)成。

上述第一防止變形部件可布置成與上述坩堝的底部相隔開。

上述第一加熱器和上述第二加熱器可布置成與上述坩堝的側(cè)部相隔開。

上述第一防止變形部件可具有與上述第一加熱器和上述第二加熱器中的每個(gè)垂直的平面形狀。

上述第一防止變形部件可在上述第一加熱器與上述第二加熱器之間具有斜線形態(tài)的平面形狀。

上述第一防止變形部件可包括斜線形狀的第一條和斜線形狀的第二條,其中上述斜線形狀的第一條和上述斜線形狀的第二條在上述第一加熱器與上述第二加熱器之間彼此交叉。

此外,上述沉積源還可包括至少一個(gè)第二防止變形部件,其中上述至少一個(gè)第二防止變形部件在上述坩堝、上述第一加熱器、上述第二加熱器以及上述第一防止變形部件之間布置成止動(dòng)件,并且與上述第一防止變形部件結(jié)合。

上述第二防止變形部件包括布置在上述坩堝、上述第一加熱器以及上述第一防止變形部件之間的第一支承部、以及以上述坩堝為中心與上述第一支承部相隔開并且布置在上述坩堝、上述第二加熱器以及上述第一防止變形部件之間的第二支承部。

上述第一支承部可包括布置在上述第一防止變形部件的上方與上述坩堝的底部之間的第一部分以及布置在上述第一加熱器的側(cè)部與上述坩堝的側(cè)部之間的第二部分,上述第二支承部可包括布置在上述第一防止變形部件的上方與上述坩堝的底部之間的第一部分以及布置在上述第二加熱器的側(cè)部與上述坩堝的側(cè)部之間的第二部分,并且上述第一支承部的第一部分和第二部分以及上述第二支承部的第一部分和第二部分可提供用于安裝上述坩堝的安裝空間。

上述第一支承部和上述第二支承部分別可具有沿上述第一方向延伸的形態(tài),并且上述第二防止變形部件還可以包括第三支承部,其中上述第三支承部配置成在沿上述第一方向布置有上述第一防止變形部件的部分處連接上述第一支承部與上述第二支承部。

上述第二防止變形部件可在上述第一加熱器與上述第二加熱器之間布置成一個(gè)連續(xù)的止動(dòng)件,并且具有沿上述第一方向延伸的形態(tài)。

上述第二防止變形部件可布置成與上述坩堝的底部接觸。

上述坩堝可包括收納上述沉積物質(zhì)的內(nèi)部坩堝和包裹上述內(nèi)部坩堝的外側(cè)以支承上述內(nèi)部坩堝的外部坩堝。

用于實(shí)現(xiàn)上述目的的、根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的沉積源包括:配置成收納沉積物質(zhì)并且沿著第一方向延伸的線型坩堝;在與上述第一方向交叉的第二方向上布置于上述線型坩堝的外側(cè)并且以上述線型坩堝為中心彼此相隔開且沿著上述第一方向延伸的第一加熱板和第二加熱板;以及在上述線型坩堝的下方以連續(xù)的形態(tài)布置于上述第一加熱板與上述第二加熱板之間并且與上述第一加熱板和上述第二加熱板結(jié)合的橋接板。

上述橋接板可設(shè)置為多個(gè),并且上述多個(gè)橋接板可布置成沿上述第一方向彼此相隔開。

上述橋接板可布置成與上述坩堝的底部相隔開。

此外,上述沉積源還可包括布置在上述線型坩堝、上述第一加熱板、上述第二加熱板以及上述橋接板之間的止動(dòng)件。

上述止動(dòng)件包括布置在上述坩堝、上述第一加熱板以及上述橋接板之間的第一支承部、以及以上述坩堝為中心在上述第二方向上與上述第一支承部相隔開并且布置在上述坩堝、上述第二加熱板以及上述橋接板之間的第二支承部。

上述止動(dòng)件可布置成與上述坩堝的底部接觸。

其它實(shí)施例的具體事項(xiàng)包含在具體實(shí)施方式以及附圖中。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例,至少具有如下效果。

通過(guò)根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的沉積源,能夠減少加熱器在加熱坩堝時(shí)因高溫?zé)岫冃尾l(fā)生彎曲、扭曲或與其它部件接觸的情況,其結(jié)果能夠減少加熱器發(fā)生損傷或破損的情況。

根據(jù)本發(fā)明的效果不限于以上例示的內(nèi)容,并且更加多樣的效果包含在本說(shuō)明書中。

附圖說(shuō)明

圖1為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的沉積源的立體圖。

圖2為沿圖1的I-I'線取得的剖視圖。

圖3為加熱器、第一防止變形部件以及第二防止變形部件的平面圖。

圖4為圖3的第一防止變形部件的平面圖。

圖5為圖3的第二防止變形部件的平面圖。

圖6為沿圖3的A-A'線的剖視圖。

圖7至圖11為示出第一防止變形部件的多種實(shí)施例的平面圖及剖視圖。

圖12為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的沉積源中與圖3相對(duì)應(yīng)的部分的平面圖。

圖13為圖12的第二防止變形部件的平面圖。

圖14為沿圖12的C-C'線取得的剖視圖。

圖15為根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的沉積源中與圖3相對(duì)應(yīng)的部分的平面圖。

圖16為圖15的第二防止變形部件的平面圖。

圖17為沿圖15的D-D'線取得的剖視圖。

圖18為概略地示出適用了圖1的沉積源的沉積裝置的剖視圖。

圖19為示出利用圖18的沉積裝置制造的發(fā)光顯示裝置的剖視圖。

具體實(shí)施方式

參照下文中結(jié)合附圖詳細(xì)描述的實(shí)施例,可以明確本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征以及實(shí)現(xiàn)所述優(yōu)點(diǎn)和特征的方法。但是,本發(fā)明不限定于以下公開的實(shí)施例,而是可以實(shí)現(xiàn)為彼此不同的多種形態(tài),這些實(shí)施例只是為了使本發(fā)明的公開完整,并且為了將發(fā)明的范圍完整地告知給本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員而提供的,并且本發(fā)明僅由權(quán)利要求書的范圍來(lái)定義。

當(dāng)元件(element)或?qū)颖环Q為在其它元件或?qū)印吧?on)”時(shí),該元件或?qū)又苯游挥谄渌驅(qū)由稀⒒蛘咴谥虚g插入有其它層或其它元件。在整篇說(shuō)明書中相同附圖標(biāo)記指示相同的構(gòu)成要素。

應(yīng)明確,雖然第一、第二等用于敘述多種構(gòu)成要素,但這些構(gòu)成要素并不受這些措辭限制。這些措辭僅用于將一個(gè)構(gòu)成要素與其它構(gòu)成要素區(qū)分開。因此,應(yīng)明確,在不背離本發(fā)明的技術(shù)思想的情況下,下文中提及的第一構(gòu)成要素也可稱為第二構(gòu)成要素。

下面,將參照附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。

圖1為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的沉積源的立體圖,圖2為沿圖1的I-I'線取得的剖視圖,圖3為加熱器、第一防止變形部件以及第二防止變形部件的平面圖,圖4為圖3的第一防止變形部件的平面圖,圖5為圖3的第二防止變形部件的平面圖,并且圖6為沿圖3的A-A'線取得的剖視圖。

參考圖1至圖6,根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的沉積源100包括坩堝110、噴嘴部113、加熱器120、反射器130、保護(hù)部件140、第一防止變形部件150、第二防止變形部件160以及殼體170。

坩堝110配置成使上側(cè)開口并且在內(nèi)部空間中收納沉積物質(zhì)DM。坩堝110可包括內(nèi)部坩堝111和外部坩堝112。在本實(shí)施例中示出了坩堝110被配置成具有沿第一方向X延伸的形態(tài)的線型坩堝的示例。

內(nèi)部坩堝111作為配置成使上側(cè)開口并且實(shí)質(zhì)上在內(nèi)部空間中收納沉積物質(zhì)DM的部件,例如其可形成為上側(cè)被開口的箱子形態(tài)。內(nèi)部坩堝111的上側(cè)內(nèi)部可形成有用于提供與噴嘴部113結(jié)合的空間的段差部111a。內(nèi)部坩堝111具有沿第一方向X延伸的形態(tài)。內(nèi)部坩堝111可由導(dǎo)熱性優(yōu)異的物質(zhì)(例如石墨(graphite))形成。這種內(nèi)部坩堝111可提高利用從加熱器120提供的熱量來(lái)加熱沉積物質(zhì)DM的效率。

另外,收納在內(nèi)部坩堝111的內(nèi)部空間中的沉積物質(zhì)DM可為例如發(fā)光顯示裝置的陰極物質(zhì),但不限于此。

外部坩堝112布置在內(nèi)部坩堝111的外側(cè)以包裹并支承內(nèi)部坩堝111中除了內(nèi)部坩堝111的上側(cè)開口部以外的部分。這時(shí),外部坩堝112可形成為從內(nèi)部坩堝111的被開口的部分向外側(cè)延伸。外部坩堝112可由耐久性優(yōu)異的物質(zhì)(例如,鉭(tantalum))形成。這種外部坩堝112能夠在內(nèi)部坩堝111由于高溫?zé)岫扑闀r(shí)防止沉積物質(zhì)DM流出并與其它結(jié)構(gòu)接觸。

噴嘴部113配置成與內(nèi)部坩堝111的被開口的上側(cè)結(jié)合。具體而言,噴嘴部113可以包括與內(nèi)部坩堝111的段差部111a結(jié)合的噴嘴主體113a和用于朝著上側(cè)排放在內(nèi)部坩堝111內(nèi)氣化或升華的沉積物質(zhì)DM的開口形態(tài)的至少一個(gè)噴嘴113b。噴嘴部113可由與形成內(nèi)部坩堝111的物質(zhì)相同的物質(zhì)形成,但不限于此。

加熱器120可設(shè)置在坩堝110的外側(cè),更具體而言,可設(shè)置在外部坩堝112的外側(cè),并且加熱器120可由沿第一方向X延伸的加熱板構(gòu)成。加熱器120可設(shè)置為多個(gè)。例如,加熱器120可包括在與第一方向X相交的第二方向Y上以坩堝110為中心彼此相隔開的第一加熱器121和第二加熱器122。第一加熱器121和第二加熱器122可布置成與坩堝110的側(cè)部相隔開,更具體而言,可布置成與外部坩堝112的側(cè)部相隔開。第一加熱器121可由第一加熱板構(gòu)成,并且第二加熱器122可由第二加熱板構(gòu)成。這種第一加熱器121和第二加熱器122可提供用于加熱坩堝110的熱量(例如,輻射熱),并且可通過(guò)加熱器驅(qū)動(dòng)部HD來(lái)驅(qū)動(dòng)。

雖未示出,但是第一加熱器121和第二加熱器122的底部可形成有槽,以與待后述的、形成于下述殼體170的底部171上的突起結(jié)合。與使用額外的結(jié)合部件的情況相比,這種第一加熱器121和第二加熱器122與殼體170的結(jié)合力可能較低。

反射器130可在第二方向Y上布置在加熱器120的外側(cè),具體而言,可布置在第一加熱器121和第二加熱器122的外側(cè),并且反射器130可布置成沿第一加熱器121和第二加熱器122的延伸方向(即,第一方向X)延伸。此外,反射器130可布置在內(nèi)部坩堝111的上方外側(cè),并且可布置成沿內(nèi)部坩堝111的延伸方向(即,第一方向X)延伸。

反射器130可由通過(guò)隔熱材質(zhì)形成的多個(gè)板構(gòu)成。這種反射器130可防止加熱器120的熱量或者內(nèi)部坩堝111的上側(cè)熱量向外排放。

保護(hù)部件140可以布置在反射器130的外側(cè)。保護(hù)部件140可包括第一保護(hù)板141、第二保護(hù)條142以及第三保護(hù)板143。

第一保護(hù)板141可在布置于第一加熱器121和第二加熱器122外側(cè)的反射器130的外側(cè)布置成沿第一加熱器121和第二加熱器122的延伸方向(即,第一方向X)延伸。

第二保護(hù)條142可在布置于第一加熱器121和第二加熱器122外側(cè)的反射器130與第一保護(hù)板141之間設(shè)置為多個(gè)。多個(gè)第二保護(hù)條142可布置成沿與第二方向Y垂直的第三方向Z相隔開并且沿第一方向X延伸。

第三保護(hù)板143可布置在設(shè)置于內(nèi)部坩堝111上方的反射器130外側(cè),并且延伸成與第一保護(hù)板141的一端重疊。

保護(hù)部件140可由金屬材質(zhì)或隔熱材質(zhì)形成。這種保護(hù)部件140可防止在內(nèi)部坩堝111內(nèi)氣化或升華的沉積物質(zhì)DM流入到反射器130的外部。此外,保護(hù)部件140可防止從內(nèi)部坩堝111排出的沉積物質(zhì)DM附著在反射器130的外表面上或流入到反射器130的內(nèi)表面上。

第一防止變形部件150在坩堝110的下方布置在第一加熱器121與第二加熱器122之間。具體而言,第一防止變形部件150可在外部坩堝112的下方在第一加熱器121與第二加熱器122之間布置成連續(xù)的橋接板。第一防止變形部件150可設(shè)置為多個(gè),并且多個(gè)第一防止變形部件150可沿著作為第一加熱器121和第二加熱器122的延伸方向的第一方向X相隔開。第一防止變形部件150可具有分別與第一加熱器121以及第二加熱器122垂直的平面形狀。

第一防止變形部件150可由石墨材質(zhì)形成,并且可通過(guò)螺絲等結(jié)合部件10分別與第一加熱器121和第二加熱器122結(jié)合。這種第一防止變形部件150恒定地維持第一加熱器121與第二加熱器122之間的間隔,因此能夠減少在沉積源100的制造工藝中第一加熱器121和第二加熱器122之間的間隔由于組裝而脫離預(yù)定范圍的情況。此外,第一防止變形部件150能夠在第一加熱器121和第二加熱器122加熱坩堝110以使得沉積物質(zhì)DM氣化或升華時(shí)減少第一加熱器121和第二加熱器122由于高溫?zé)岫鴮?dǎo)致變形并發(fā)生彎曲、扭曲或與其它部件接觸的情況。

另外,第一防止變形部件150可布置成與坩堝110的底部相隔開,更具體而言,可布置成與外部坩堝112的底部相隔開。由此,能夠在第一防止變形部件150由熱導(dǎo)性優(yōu)異的石墨材質(zhì)形成時(shí)減少?gòu)募訜崞?20提供的熱量不均勻地傳遞到坩堝110的情況。

第二防止變形部件160可由布置在坩堝110(更具體為外部坩堝112)、加熱器120以及第一防止變形部件150之間的止動(dòng)件構(gòu)成。第二防止變形部件160可包括第一支承部161和第二支承部162。

第一支承部161可布置在外部坩堝112、第一加熱器121以及第一防止變形部件150之間。第一支承部161可包括布置在第一防止變形部件150的上方與外部坩堝112的底部之間的第一部分161a以及布置在第一加熱器121的側(cè)部與外部坩堝112的側(cè)部之間的第二部分161b。第一支承部161可通過(guò)螺絲等結(jié)合部件11與第一防止變形部件150結(jié)合。

第二支承部162可在第二方向Y上與第一支承部161相隔開,并且可布置在外部坩堝112、第二加熱器122以及第一防止變形部件150之間。第二支承部162可包括布置在第一防止變形部件150的上方和外部坩堝112的底部之間的第一部分162a以及布置在第二加熱器122的側(cè)部與外部坩堝112的側(cè)部之間的第二部分162b。第二支承部162可通過(guò)螺絲等結(jié)合部件11與第一防止變形部件150結(jié)合。

第一支承部161和第二支承部162可由耐久性優(yōu)異的材料(例如,陶瓷材質(zhì))形成,并且提供用于安裝坩堝110的安裝空間SS,更具體而言,提供用于安裝外部坩堝112的安裝空間SS。這種第一支承部161和第二支承部162可在結(jié)構(gòu)上穩(wěn)定坩堝110,并且能夠在第一加熱器121和第二加熱器122加熱坩堝110以使得沉積物質(zhì)DM氣化或升華時(shí)通過(guò)減少坩堝110發(fā)生變形的情況來(lái)減少其與第一加熱器121和第二加熱器122發(fā)生接觸的情況。

另外,第二防止變形部件160可布置成與坩堝110的底部接觸,更具體而言,可布置成與外部坩堝112的底部接觸。這是因?yàn)樵诘诙乐棺冃尾考?60由熱導(dǎo)性低的陶瓷材質(zhì)形成的情況下不會(huì)將從加熱器120提供的熱量大量地傳遞到坩堝110。因此,即使第二防止變形部件160布置成與坩堝110的底部接觸,也不會(huì)出現(xiàn)從加熱器120提供的熱量通過(guò)第二防止變形部件160不均勻地傳遞到坩堝110的情況。

殼體170配置成能夠收納坩堝110、噴嘴部113、加熱器120、反射器130、保護(hù)部件140、第一防止變形部件150、第二防止變形部件160。例如,殼體170可形成為上側(cè)被開口的箱子形態(tài)。即,殼體170可包括底部171和從底部171向上側(cè)延伸的側(cè)部172。這種殼體170起到保護(hù)收納在內(nèi)部的結(jié)構(gòu)免受外部影響的作用。另外,殼體170可由隔熱材料形成,并且配置成防止內(nèi)部的熱量向外部流出。例如,殼體170的內(nèi)部可內(nèi)置有提供能夠供冷卻水流動(dòng)的路徑的冷卻管。

如上所述,根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的沉積源100包括布置在第一加熱器121與第二加熱器122之間的第一防止變形部件150,因此能夠恒定地維持第一加熱器121與第二加熱器122之間的間隔從而減少了在沉積源100的制造工藝中第一加熱器121與第二加熱器122之間的間隔由于組裝而脫離預(yù)定范圍的情況,并且能夠在第一加熱器121和第二加熱器122加熱坩堝110以使得沉積物質(zhì)DM氣化或升華時(shí)減少第一加熱器121和第二加熱器122因高溫?zé)岫鴮?dǎo)致變形并發(fā)生彎曲、扭曲、或與其它部件的接觸的情況。

因此,能夠減少加熱器120在加熱坩堝110時(shí)因高溫?zé)岫鴮?dǎo)致變形并發(fā)生損傷或破損的情況。

此外,如上所述,根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的沉積源100包括布置在坩堝110、加熱器120以及第一防止變形部件150之間的第二防止變形部件160,因此能夠通過(guò)提供用于安裝坩堝110的安裝空間SS而在結(jié)構(gòu)上穩(wěn)定坩堝110,并且能夠在第一加熱器121和第二加熱器122加熱坩堝110以使得沉積物質(zhì)DM氣化或升華時(shí)減少坩堝110變形的情況從而減少與第一加熱器121和第二加熱器122接觸情況。

圖7至圖11為示出第一防止變形部件的各種實(shí)施例的平面圖及剖視圖。

圖7和圖8示出了第一防止變形部件150a布置在第一加熱器121與第二加熱器122之間并且具有斜線形態(tài)的平面形狀的示例。這種第一防止變形部件150a在第一方向X上增加了支承第一加熱器121和第二加熱器122的區(qū)域,因此能夠更加堅(jiān)固地、恒定地維持第一加熱器121與第二加熱器122之間的間隔,從而減少在沉積源100的制造工藝中第一加熱器121與第二加熱器122之間的間隔由于組裝而脫離預(yù)定范圍的情況,并且能夠在第一加熱器121和第二加熱器122加熱坩堝(圖2中的110)以使得沉積物質(zhì)(圖2中的DM)氣化或升華時(shí)更加有效地減少第一加熱器121和第二加熱器122因高溫?zé)岫鴮?dǎo)致變形并發(fā)生彎曲、扭曲、或與其它部件接觸的情況。

另外,第一防止變形部件150a與第二防止變形部件160的重疊區(qū)域可能根據(jù)第一防止變形部件150a的形狀而不同。在這種情況下,如圖8中所示,用于結(jié)合第一防止變形部件150a與第二防止變形部件160的結(jié)合部件11的布置位置可能發(fā)生變化。

圖9示出了第一防止變形部件150b布置在第一加熱器121與第二加熱器122之間并且在與圖7的第一防止變形部件150a不同的方向上具有斜線形態(tài)的示例。這種第一防止變形部件150b可提供與圖7和圖8的第一防止變形部件150a的效果相同的效果。

圖10示出了第一防止變形部件150c布置在第一加熱器121與第二加熱器122之間并且包括彼此交叉的斜線形態(tài)的第一條150d和斜線形態(tài)的第二條150e。這種第一防止變形部件150c通過(guò)第一條150d和第二條150e的雙重結(jié)構(gòu)能夠在第一加熱器121和第二加熱器122加熱坩堝(圖2的110)以使得沉積物質(zhì)(圖2的DM)氣化或升華時(shí)更加有效地減少第一加熱器121和第二加熱器122因高溫?zé)釋?dǎo)致變形并發(fā)生彎曲、扭曲、或與其它部件的接觸的情況。

圖11示出了第一防止變形部件150f在第一加熱器121與第二加熱器122之間布置成一個(gè)連續(xù)的橋接板以在第一加熱器121與第二加熱器122之間具有大的面積并且第一防止變形部件150f沿第一方向X延伸的示例。第一防止變形部件150f可在第一方向X上具有與第一加熱器121的長(zhǎng)度相同或比其略小的長(zhǎng)度。這種第一防止變形部件150f能夠更加堅(jiān)固地、恒定地維持第一加熱器121與第二加熱器122之間的間隔,從而減少在沉積源100的制造工藝中第一加熱器121與第二加熱器122之間的間隔由于組裝而脫離預(yù)定范圍的情況,并且能夠在第一加熱器121和第二加熱器122加熱坩堝(圖2中的110)以使得沉積物質(zhì)(圖2中的DM)氣化時(shí)更加有效地減少第一加熱器121和第二加熱器122因高溫?zé)岫鴮?dǎo)致變形并發(fā)生彎曲、扭曲、或與其它部件接觸的情況。

圖12為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的沉積源中與圖3相對(duì)應(yīng)的部分的平面圖,圖13為圖12的第二防止變形部件的平面圖。并且圖14為沿圖12的C-C'線取得的剖視圖。

參考圖12至圖14,根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的沉積源除了第二防止變形部件260不同以外,其具有與圖2的沉積源100相同的結(jié)構(gòu)。因此,對(duì)于根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的沉積源,將僅對(duì)第二防止變形部件260進(jìn)行描述。

第二防止變形部件260與圖5和圖6的第二防止變形部件160相似。只是,第二防止變形部件260包括第一支承部261、第二支承部262以及第三支承部263。

第一支承部261包括布置在第一防止變形部件150的上方與外部坩堝112的底部之間的第一部分261a以及布置在第一加熱器121的側(cè)部與外部坩堝112的側(cè)部之間的第二部分261b,并且第一支承部261與圖3和圖6的第一支承部161相似。只是,第一支承部261可具有沿著作為第一加熱器121的延伸方向的第一方向X延伸的形態(tài)。

第二支承部262包括布置在第一防止變形部件150的上方與外部坩堝112的底部之間的第一部分262a和布置在第二加熱器122的側(cè)部與外部坩堝112的側(cè)部之間的第二部分262b,并且第二支承部262與圖3及圖6的第二支承部162相似。只是,第二支承部262可具有沿著作為第二加熱器122的延伸方向的第一方向X延伸的形態(tài)。

第三支承部263配置成在沿第一方向X布置有第一防止變形部件150的部分處連接第一支承部261與和第二支承部262。

如上所述配置的第二防止變形部件260能夠在結(jié)構(gòu)上使坩堝(圖2的110)更加穩(wěn)定,并且能夠在第一加熱器121和第二加熱器122加熱坩堝(圖2的110)以使得沉積物質(zhì)(圖2的DM)氣化或升華時(shí)減少坩堝(圖2的110)發(fā)生變形的情況,進(jìn)而更加有效地減少其與第一加熱器121和第二加熱器122發(fā)生接觸的情況。

圖15為根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的沉積源中與圖3相對(duì)應(yīng)的部分的平面圖,圖16為圖15的第二防止變形部件的平面圖。并且圖17為沿圖15的D-D'線取得的剖視圖。

參考圖15至圖17,根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的沉積源除了第二防止變形部件360不同以外,其具有與圖2的沉積源100相同的結(jié)構(gòu)。因此,對(duì)于根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的沉積源,將僅對(duì)第二防止變形部件360進(jìn)行描述。

第二防止變形部件360與圖5和圖6的第二防止變形部件160相似。只是,第二防止變形部件360在第一加熱器121與第二加熱器122之間布置成一個(gè)連續(xù)的止動(dòng)件以在第一加熱器121與第二加熱器122之間具有大的面積,并且具有沿第一方向X延伸的形態(tài)。具體而言,第二防止變形部件360包括布置在第一防止變形部件150的上方與外部坩堝112的底部之間的第一部分360a、和布置在第一加熱器121的側(cè)部與外部坩堝112的側(cè)部之間并且布置在第二加熱器122的側(cè)部與外部坩堝112的側(cè)部之間的第二部分360b。

這種第二防止變形部件360在第一加熱器121和第二加熱器122之間布置成大的面積,因此能夠在結(jié)構(gòu)上使坩堝(圖2的110)更加穩(wěn)定,并且能夠在第一加熱器121和第二加熱器122加熱坩堝(圖2的110)以使得沉積物質(zhì)(圖2的DM)氣化或升華時(shí)減少坩堝(圖2的110)發(fā)生變形的情況,進(jìn)而更加有效地減少其與第一加熱器121和第二加熱器122發(fā)生接觸的情況。

圖18為概略地示出適用了圖1的沉積源的沉積裝置的剖視圖。

參考圖18,根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的沉積裝置包括沉積源100、固定襯底S的固定部件400以及掩模框架組件500。

沉積源100作為起到收納沉積物質(zhì)(圖2的DM),加熱沉積物質(zhì)(圖2的DM)以使之氣化或升華,隨后將沉積物質(zhì)(圖2的DM)噴射到襯底S上的作用的部件,由于已在上文中對(duì)沉積源100的具體結(jié)構(gòu)進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明,因此將省略對(duì)其的重復(fù)說(shuō)明。

在通過(guò)沉積源100將氣化或升華的沉積物質(zhì)(圖2的DM)沉積到襯底S上時(shí),固定部件400起到將襯底S固定在沉積源100上方的作用。固定部件400可為如靜電吸盤的部件。

掩模框架組件500可布置在沉積源100與襯底S之間,并且可與襯底S緊貼。掩模框架組件500包括掩模M和框架MF,其中,掩模M具有與將氣化或升華的沉積物質(zhì)(圖2的DM)沉積到襯底S上而形成的薄膜的圖案相對(duì)應(yīng)的圖案,并且框架MF支承掩模M。掩模M中與上述薄膜的圖案相對(duì)應(yīng)的部分中形成有開口。

這種掩模框架組件500通過(guò)將由沉積源100氣化或升華的沉積物質(zhì)(圖2的DM)沉積到襯底S的期望位置處,而能夠在襯底S上形成期望圖案的薄膜。

圖19為利用圖18的沉積裝置制造的發(fā)光顯示裝置的剖視圖。

參考圖19,利用圖18的沉積裝置制造的發(fā)光顯示裝置包括襯底S、第一電極10、像素限定膜20、空穴注入層30、空穴傳輸層40、發(fā)光層50、電子傳輸層60、電子注入層70以及第二電極80。在本發(fā)明實(shí)施例中示出發(fā)光顯示裝置中的第一電極10利用圖18的沉積裝置形成的示例。

襯底S可由透明的絕緣性物質(zhì)形成。例如,襯底S可由玻璃、石英、陶瓷、塑料等形成。襯底S可以是平坦的板狀。根據(jù)若干實(shí)施例,襯底S也可由能夠容易因外力而彎曲的材質(zhì)形成。襯底S能夠支承布置在襯底S上的其它構(gòu)成。雖然沒(méi)有圖示,但襯底S可以包括多個(gè)薄膜晶體管。多個(gè)薄膜晶體管中的至少一部分的漏極能夠與第一電極10電連接。

第一電極10可以各個(gè)像素為單位布置在襯底S上。第一電極10可以是接收施加到薄膜晶體管的漏極上的信號(hào)而向發(fā)光層50提供空穴的陽(yáng)極或者提供電子的陰極。

第一電極10可使用為透明電極、反射電極或半透射電極。當(dāng)?shù)谝浑姌O10使用為透明電極時(shí),第一電極10可由銦錫氧化物(Indium Tin Oxide;ITO)、銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide;IZO)、鋅氧化物(Zinc Oxide;ZnO)或In2O3形成。當(dāng)?shù)谝浑姌O10使用反射電極時(shí),第一電極10可通過(guò)在由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及它們的化合物等形成反射膜后在其上形成ITO、IZO、ZnO或In2O3來(lái)構(gòu)成。當(dāng)?shù)谝浑姌O10使用為半透射電極時(shí),第一電極10可通過(guò)在由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及它們的化合物等以薄的厚度形成反射膜之后在其上形成ITO、IZO、ZnO或In2O3來(lái)構(gòu)成。第一電極10可通過(guò)沉積方法利用圖18的沉積裝置來(lái)形成,但并不限于此。

像素限定膜20布置在襯底S上并且具有暴露第一電極10的開口部21,并且在襯底S上劃分各個(gè)像素。像素限定膜20可由絕緣物質(zhì)構(gòu)成。例如,像素限定膜20可配置成包括選自苯并環(huán)丁烯(Benzocyclobutene;BCB)、聚酰亞胺(polyimide;PI)、聚酰胺(polyamide;PA)、丙烯酸樹脂和酚醛樹脂等中的至少一種有機(jī)物質(zhì)。作為另一示例,像素限定膜20也可配置成包括如硅氮化物等的無(wú)機(jī)物質(zhì)。像素限定膜20可通過(guò)光刻工藝形成,但并不限于此。

空穴注入層30形成在通過(guò)像素限定膜20的開口部21暴露的第一電極10上,其也可形成為覆蓋像素限定膜20的整體。空穴注入層30作為降低第一電極10與空穴傳輸層40之間的勢(shì)壘的緩沖層,其起到使得從第一電極10提供的空穴容易注入到空穴傳輸層40中的作用。空穴注入層30可由例如4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯氨(MTDATA(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine))、銅酞菁(CuPc(copper phthalocyanine))或聚(3,4-亞乙二氧基噻吩/聚苯乙烯磺酸酯)(PEDOT/PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene,polystyrene sulfonate)))等的有機(jī)化合物構(gòu)成,但并不限于此。

空穴傳輸層40形成在空穴注入層30上。空穴傳輸層40起到將通過(guò)空穴注入層30提供的空穴傳遞至發(fā)光層50的作用。這種空穴傳輸層40可由例如N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺(TPD(N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-bi-phenyl-4,4'-diamine))或N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-聯(lián)苯胺(NPB(N,N'-di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine))等的有機(jī)化合物構(gòu)成,但并不限于此。

發(fā)光層50形成在空穴傳輸層40上。發(fā)光層50通過(guò)使從第一電極10提供的空穴與從第二電極80提供的電子復(fù)合來(lái)發(fā)光。更詳細(xì)地,當(dāng)空穴和電子提供至發(fā)光層50時(shí),空穴與電子結(jié)合從而生成激子,而這種激子在從激發(fā)態(tài)變化至基態(tài)的同時(shí)放射光。這種發(fā)光層50可包括放射紅色的紅色發(fā)光層、放射綠色的綠色發(fā)光層以及放射藍(lán)色的藍(lán)色發(fā)光層。

所述紅色發(fā)光層可形成為包括一種紅色發(fā)光物質(zhì)、或者包括主體和紅色摻雜物。所述紅色發(fā)光層的主體可使用例如三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3(tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium))、4,4'-N,N'-二咔唑-聯(lián)苯(CBP(4,4'-N,N'-dicarbazol-biphenyl))、聚(n-乙烯基咔唑)(PVK(ploy(n-vinylcarbazole)))、9,10-二(萘-2-基)蒽(AND(9,10-Di(naphthyl-2-yl)anthracene))、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBI(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazol-2-yl)benzene))、3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(TBADN(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene))、聯(lián)苯乙烯亞芳基(DSA(distyrylarylene))等,但并不限于此。此外,所述紅色摻雜物可利用PtOEP、Ir(piq)3、Btp2Ir(acac)等,但并不限于此。

所述綠色發(fā)光層可形成為包括一種綠色發(fā)光物質(zhì)、或者包括主體和綠色摻雜物。此外,所述綠色摻雜物可利用Ir(ppy)3、Ir(ppy)2(acac)、Ir(mpyp)3等,但并不限于此。

所述藍(lán)色發(fā)光層可形成為包括一種藍(lán)色發(fā)光物質(zhì)、或者包括主體和藍(lán)色摻雜物。所述紅色發(fā)光層的主體可使用作為所述藍(lán)色發(fā)光層的主體。此外,所述藍(lán)色摻雜物可利用F2Irpic、(F2ppy)2Ir(tmd)、Ir(dfppz)3、三芴(ter-fluorene)、4,4'-雙(4-二對(duì)甲苯基氨基苯乙烯基)聯(lián)苯(DPAVBi(4,4'-bis(4-di-p-tolylaminostyryl)biphenyl))、2,5,8,11-四叔丁基二萘嵌苯(TBPe(2,5,8,11-tetra-tert-butyl perylene))等,但并不限于此。

電子傳輸層60形成在發(fā)光層50上,并且起到將從第二電極80提供的電子傳輸至發(fā)光層50的作用。這種電子傳輸層60可使用有機(jī)化合物例如4,7-二苯基-1,10-鄰二氮雜菲(Bphen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline))、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)4-苯基苯酚鋁(III)(BAlq(aluminum(III)bis(2-methyl-8-hydroxyquinolinato)4-phenylphenolate))、三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3(Tris(8-quinolinolato)aluminum))、鈹雙(10-羥基苯并喹啉)(Bebq2(berylliumbis(benzoquinolin-10-olate))、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBI(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazol-2-yl)benzene))等的材料,但并不限于此。

電子注入層70形成在電子傳輸層60上,并且作為降低電子傳輸層60與第二電極80之間的勢(shì)壘的緩沖層,其起到使得從第二電極80提供的電子容易注入到電子傳輸層60的作用。這種電子注入層70可由例如LiF或CsF等形成,但并不限于此。

第二電極80可布置在電子注入層70的上方。第二電極80可由與第一電極10的材質(zhì)相同的材質(zhì)形成,但并非必須限于此。根據(jù)若干實(shí)施方式,第二電極80可為布置在包括于發(fā)光顯示裝置中的多個(gè)像素上的公共電極。根據(jù)若干實(shí)施方式,第二電極80也可布置在電子注入層70的上方和像素限定膜20的上方的整個(gè)表面上。發(fā)光層50的發(fā)光可通過(guò)在第一電極10與第二電極80之間流動(dòng)的電流來(lái)控制。

雖然在上文中參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明,但在本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解,在不改變本發(fā)明的技術(shù)思想或必要特征的情況下,也能夠以其它具體方式實(shí)施。因此,應(yīng)理解為,以上說(shuō)明的實(shí)施例在所有方面是用于例示的,而非用于限定。

符號(hào)說(shuō)明

100:沉積源 111:內(nèi)部坩堝

112:外部坩堝 113:噴嘴部

120:加熱器 121:第一加熱器

122:第二加熱器 130:反射器

140:保護(hù)部件

150、150a、150b、150c、150f:第一防止變形部件

160、260、360:第二防止變形部件

170:殼體

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