本發(fā)明涉及磁電復(fù)合功能材料領(lǐng)域，具體涉及一種紫外探測薄膜的制備方法。

背景技術(shù)：

近些年透明導(dǎo)電氧化物薄膜一直是光電領(lǐng)域的熱點(diǎn)，其中ITO薄膜是目前研究和應(yīng)用最廣泛的透明導(dǎo)電氧化物(TCO)薄膜，因其良好的光電特性而被廣泛應(yīng)用于各種光電器件，但因原材料價格昂貴、銦資源稀少且對環(huán)境造成污染，從而限制了它的發(fā)展和應(yīng)用。

紫外探測器作為一種重要的光電器件，被廣泛應(yīng)用于軍事、工業(yè)生產(chǎn)及日常生活等各個領(lǐng)域，例如臭氧監(jiān)控、火災(zāi)監(jiān)控及導(dǎo)彈防御系統(tǒng)；評價探測器性能的主要參數(shù)有開關(guān)比及光響應(yīng)速度，開關(guān)比越大、光響應(yīng)速度越快說明探測器的性能越好，如今已經(jīng)開發(fā)了多種材料基的紫外探測器，如ZnO基紫外探測器、GaN基紫外探測器、AlGaN基紫外探測器等，但高靈敏度的探測器是各個領(lǐng)域一直追求的目標(biāo)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種紫外探測薄膜的制備方法，該制備方法普適性好、設(shè)備要求低、制備簡單、重復(fù)性好，本發(fā)明的復(fù)合薄膜均勻性好、性能穩(wěn)定，具有良好的具有很好的光電靈敏性。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種紫外探測薄膜的制備方法，該方法包括如下步驟：

（1）處理基片

研磨拋光并清硅基片，備用；所述研磨拋光，可將襯底先在600目的金剛石砂輪盤上進(jìn)行粗磨10min，然后在1200目的金剛石砂輪盤上進(jìn)行細(xì)磨10min，再用W2.5的金剛石拋光粉進(jìn)行拋光至試樣表面均勻光亮，所述超聲清洗，可將研磨拋光后的襯底按以下順序清洗，丙酮超聲清洗5min→無水乙醇超聲清洗5min→烘干待用，所述離子源清洗，可采用霍爾離子源對襯底進(jìn)行清洗5min，壓強(qiáng)為2×10^-2Pa，襯底溫度為300℃，氬氣通量為10sccm，偏壓為-100V，陰極電流為29.5A，陰極電壓為19V，陽極電流為7A，陽極電壓為80V，以清除襯底表面的吸附氣體以及雜質(zhì)；

（2）將一定量的三氧化鉬粉末置于石英舟中，并在石英舟的正上方平放上述處理后的基片，將石英舟置于高溫管式爐的石英管中并密封；

（3）向石英管中通入氬氣或氮?dú)獾榷栊詺怏w將管中的空氣完全排凈；

設(shè)定高溫管式爐以15-25℃/min的升溫速率升溫至850-900℃，其中在溫度達(dá)到500℃后調(diào)小氣流量，待溫度達(dá)到850-900℃時保溫10-15min，反應(yīng)完全后自然降溫；

待石英管的溫度達(dá)到室溫時取出樣品，得到產(chǎn)品。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例一

研磨拋光并清硅基片，備用；所述研磨拋光，可將襯底先在600目的金剛石砂輪盤上進(jìn)行粗磨10min，然后在1200目的金剛石砂輪盤上進(jìn)行細(xì)磨10min，再用W2.5的金剛石拋光粉進(jìn)行拋光至試樣表面均勻光亮，所述超聲清洗，可將研磨拋光后的襯底按以下順序清洗，丙酮超聲清洗5min→無水乙醇超聲清洗5min→烘干待用，所述離子源清洗，可采用霍爾離子源對襯底進(jìn)行清洗5min，壓強(qiáng)為2×10^-2Pa，襯底溫度為300℃，氬氣通量為10sccm，偏壓為-100V，陰極電流為29.5A，陰極電壓為19V，陽極電流為7A，陽極電壓為80V，以清除襯底表面的吸附氣體以及雜質(zhì)。

將一定量的三氧化鉬粉末置于石英舟中，并在石英舟的正上方平放上述處理后的基片，將石英舟置于高溫管式爐的石英管中并密封。

向石英管中通入氬氣或氮?dú)獾榷栊詺怏w將管中的空氣完全排凈。

設(shè)定高溫管式爐以15℃/min的升溫速率升溫至850℃，其中在溫度達(dá)到500℃后調(diào)小氣流量，待溫度達(dá)到850℃時保溫10min，反應(yīng)完全后自然降溫；待石英管的溫度達(dá)到室溫時取出樣品，得到產(chǎn)品。

實(shí)施例二

研磨拋光并清硅基片，備用；所述研磨拋光，可將襯底先在600目的金剛石砂輪盤上進(jìn)行粗磨10min，然后在1200目的金剛石砂輪盤上進(jìn)行細(xì)磨10min，再用W2.5的金剛石拋光粉進(jìn)行拋光至試樣表面均勻光亮，所述超聲清洗，可將研磨拋光后的襯底按以下順序清洗，丙酮超聲清洗5min→無水乙醇超聲清洗5min→烘干待用，所述離子源清洗，可采用霍爾離子源對襯底進(jìn)行清洗5min，壓強(qiáng)為2×10^-2Pa，襯底溫度為300℃，氬氣通量為10sccm，偏壓為-100V，陰極電流為29.5A，陰極電壓為19V，陽極電流為7A，陽極電壓為80V，以清除襯底表面的吸附氣體以及雜質(zhì)。

將一定量的三氧化鉬粉末置于石英舟中，并在石英舟的正上方平放上述處理后的基片，將石英舟置于高溫管式爐的石英管中并密封。

向石英管中通入氬氣或氮?dú)獾榷栊詺怏w將管中的空氣完全排凈。

設(shè)定高溫管式爐以25℃/min的升溫速率升溫至900℃，其中在溫度達(dá)到500℃后調(diào)小氣流量，待溫度達(dá)到900℃時保溫15min，反應(yīng)完全后自然降溫；待石英管的溫度達(dá)到室溫時取出樣品，得到產(chǎn)品。