1.基于PECVD的石墨烯薄膜鍍膜設備，其特征在于，包括直線式排列的多個真空室和柔性基材輸送機構，柔性基材輸送機構貫穿于多個真空室中；多個真空室包括依次連接的放卷室、多個鍍膜室和收卷室，各鍍膜室內分別設有射頻對靶裝置，多個鍍膜室內的射頻對靶裝置組成一個等離子體增強化學氣相沉積系統，任意相鄰兩個鍍膜室之間設有隔氣室，放卷室、收卷室、各鍍膜室和各隔氣室分別外接高真空排氣系統。
2.根據權利要求1所述基于PECVD的石墨烯薄膜鍍膜設備，其特征在于，所述射頻對靶裝置包括對稱安裝于柔性基材上下兩側的上靶和下靶。
3.根據權利要求2所述基于PECVD的石墨烯薄膜鍍膜設備，其特征在于，所述上靶和下靶結構相同，分別包括放電板、靶材、外罩體、絕緣板、絕緣套、防護罩和冷卻水管，防護罩設于鍍膜室外壁上，絕緣套一端設于鍍膜室內壁上，絕緣套另一端與外罩體連接，靶材和放電板呈上下層疊方式依次設于外罩體內部，放電板位于靠近柔性基材的一側，靶材與外罩體的內壁之間設有絕緣板，靶材與放電板之間設有冷卻空間，冷卻水管一端與冷卻空間連通，冷卻水管另一端由絕緣套中部伸出并進入防護罩中。
4.根據權利要求3所述基于PECVD的石墨烯薄膜鍍膜設備，其特征在于，所述冷卻水管包括進水管和出水管，進水管和出水管分別外接循環裝置，冷卻空間、進水管、出水管和循環裝置組成冷卻水循環系統。
5.根據權利要求3所述基于PECVD的石墨烯薄膜鍍膜設備，其特征在于，所述放電板上分布有多個氣孔。
6.根據權利要求1所述基于PECVD的石墨烯薄膜鍍膜設備，其特征在于，所述柔性基材輸送機構包括放卷輥、多個導輥和收卷輥，放卷輥設于放卷室內，收卷輥設于收卷室內，放卷輥與收卷輥之間設有多個導輥。
7.根據權利要求6所述基于PECVD的石墨烯薄膜鍍膜設備，其特征在于，所述柔性基材輸送機構上還設有糾偏機構，糾偏機構包括上夾輥、下夾輥、輥組驅動組件和上夾輥移動組件，上夾輥與下夾輥組成輸送柔性基材的輥組， 輥組驅動組件與上夾輥的輥軸一端連接，上夾輥的輥軸兩端分別與上夾輥移動組件連接，通過上夾棍移動組件調節上夾輥與下夾棍之間的間隙寬度。
8.根據權利要求1所述基于PECVD的石墨烯薄膜鍍膜設備，其特征在于，所述高真空排氣系統包括相互獨立的粗抽機組和精抽機組，各鍍膜室和各隔氣室分別外接精抽機組，放卷室和收卷室分別外接粗抽機組。