本實用新型涉及一種冷卻系統，尤其涉及一種用于太陽能硅片的設備爐管溫度控制的冷卻系統。屬于太陽能光伏技術領域。

背景技術：

PECVD技術原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電（或另加發熱體）使樣品升溫到預定的溫度，然后通入適量的反應氣體，氣體經一系列化學反應和等離子體反應，在樣品表面形成固態薄膜，以增加入射在硅片上的光的透射，減少反射，氫原子攙雜在氮化硅中附加了氫的鈍化作用。

爐管溫度控制是該工藝重要影響因素之一，溫度控制不好會導致產品外觀顏色、膜厚以及折射率等不合要求。

技術實現要素：

本實用新型所要解決的技術問題是針對上述現有技術提供一種設備爐管溫度控制的冷卻系統，能有效的進行爐管溫度控制，提高產品的質量。

本實用新型解決上述問題所采用的技術方案為：一種設備爐管溫度控制的冷卻系統，它包括相互獨立分隔的冷卻箱，在每個冷卻箱的側壁上開設有爐管接入口，且在每個冷卻箱內設置有冷卻水盤管，在冷卻箱的頂部設置有主冷卻箱，主冷卻箱內設置有主冷卻水盤管，在所述主冷卻箱上設置有五個進水管和五個出水管，其中一對進水管和出水管與主冷卻盤管相連，另外四對進水管和出水管分別成對進入每層的冷卻箱中，出水管與冷卻水盤管相連，進水管分別連接前爐門法蘭、冷卻水盤管和后爐門法蘭。

優選地，在每層冷卻箱的進水管和出水管上安裝進回水閥門，每根進水管上加裝流量計。

與現有技術相比，本實用新型的優點在于：

1、不同管間無熱干涉，可獨立調整冷卻效果；

2、爐管環境的溫度沒有被熱空氣所提升；

3、空氣運動（通風裝置）沒有使房間污染；

4、噪音水平低。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖。

具體實施方式

以下結合附圖實施例對本實用新型作進一步詳細描述。

如圖1所示，本實施例中的一種設備爐管溫度控制的冷卻系統，包括相互獨立分隔的冷卻箱1，在每個冷卻箱1的側壁上開設有爐管接入口2，且在每個冷卻箱1內設置有冷卻水盤管3，在冷卻箱1的頂部設置有主冷卻箱4，主冷卻箱4內設置有主冷卻水盤管5，在所述主冷卻箱4上設置有五個進水管6和五個出水管7，其中一對進水管6和出水管7與主冷卻盤管5相連，另外四對進水管6和出水管7分別成對進入每層的冷卻箱1中，出水管7與冷卻水盤管3相連，進水管6分別連接前爐門法蘭8、冷卻水盤管3和后爐門法蘭9，并且在每層冷卻箱1的進水管6和出水管7上安裝進回水閥門10，每根進水管6上加裝流量計11。通過控制閥門的開度，可實現單個爐管溫度的升降溫速率。通過切斷相應的進回水閥門，可實現單根爐管的檢修。

通過改造可以實現根據工藝要求調整單個爐管冷卻系統冷卻水流量，調整單根爐管升溫降溫速率；方便單根爐管設備檢修和差異化工藝。

除上述實施例外，本實用新型還包括有其他實施方式，凡采用等同變換或者等效替換方式形成的技術方案，均應落入本實用新型權利要求的保護范圍之內。