技術總結
本發明涉及一種薄膜表面氧化鋁量子點的電子輻照制備方法。該方法包括基片的清洗；氧化鋁非晶薄膜的制備；商用電子靜電加速器對制備的非晶薄膜進行電子輻照；以及對輻照非晶薄膜進行退火處理等工藝步驟。通過上述步驟，在氧化鋁非晶薄膜表面制備出氧化鋁量子點，并通過控制電子輻照與退火處理參數可對量子點分布密度與幾何結構特征參數進行調控。與現有技術對比，本發明是在氧化鋁薄膜表面原位生長氧化鋁量子點、不引入雜質、工藝簡易；所得氧化鋁薄膜為非晶態，因此本發明制備的氧化鋁量子點圓形度較好、尺寸均勻、形態分布的單一性好。且采用商用電子靜電加速器進行電子輻照，可實現大面積規模化制備及商業化應用。

技術研發人員：楊吉軍;苗發明;廖家莉;楊遠友;劉寧
受保護的技術使用者：四川大學
文檔號碼：201710009306
技術研發日：2017.01.06
技術公布日：2017.06.30