本發(fā)明涉及一種積層制造方法,特別是涉及一種積層制造方法及其加工機(jī)。
背景技術(shù):
參閱圖1,一種中國(guó)臺(tái)灣證書(shū)號(hào)第m498668號(hào)專(zhuān)利所公開(kāi)的列印裝置1,主要包含承載一個(gè)工件的一個(gè)成形平臺(tái)11、相對(duì)該成形平臺(tái)11鋪灑粉末的一個(gè)鋪粉機(jī)構(gòu)12、一個(gè)雷射機(jī)構(gòu)13,及一個(gè)鍛打機(jī)構(gòu)14。該雷射機(jī)構(gòu)13用于熔融所述粉末而形成一燒結(jié)體。該鍛打機(jī)構(gòu)14用于鍛打所述燒結(jié)體,而使燒結(jié)體結(jié)構(gòu)更緊密。
惟,所述鍛打的方式,容易損傷燒結(jié)體,或使燒結(jié)體變形,且由于該燒結(jié)體是由多層沉積層堆疊而成,因此,每形成一層沉積層就要施以一次鍛釘,有制程時(shí)間延長(zhǎng)的缺點(diǎn)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明的目的在于提供一種能夠提升層與層間的密實(shí)度,及縮減制程時(shí)間的積層制造方法及其加工機(jī)。
本發(fā)明的積層制造方法,適用于在一個(gè)載臺(tái)制造一個(gè)積層體,包含下列步驟:
步驟a:傳遞振波至該載臺(tái)。
步驟b:在該載臺(tái)上堆疊兩層以上的沉積層,而形成該積層體。
本發(fā)明的積層制造方法及其加工機(jī),所述振波是一種由輸入的低于90hz且非共振頻的低頻波所激發(fā)出具有最大振幅的高頻波,其振動(dòng)頻率范圍介于500hz~900hz。
本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種降低設(shè)備成本的積層制造加工機(jī)。一種積層制造加工機(jī),適用制造一個(gè)積層體,該積層制造裝置包含一個(gè)載臺(tái)、一個(gè)積層制造裝置,及一個(gè)振動(dòng)裝置。
該載臺(tái)用于承載一工件。
該積層制造裝置包括用于輸送粉末至該載臺(tái)上方的一物料供給單元,及用于熔融所述粉末成為一層沉積層的一熔融單元,使兩層以上的沉積層在該載臺(tái)上堆疊成為該積層體。
該振動(dòng)裝置包括與該載臺(tái)接觸的一個(gè)振動(dòng)單元,該振動(dòng)單元用于產(chǎn)生振波,使振波通過(guò)該載臺(tái)傳遞至所述沉積層。
一種積層制造加工機(jī),適用制造一個(gè)積層體,該積層制造裝置包含一個(gè)載臺(tái),及一個(gè)積層制造裝置。
該載臺(tái)用于承載該工件。
該積層制造裝置包括用于輸送粉末至該載臺(tái)上方的一物料供給單元,及用于熔融所述粉末成為一層沉積層的一熔融單元,該熔融單元具有用于輸送惰性氣體的一個(gè)工作氣路組、用于匯集惰性氣體與粉末且相對(duì)該載臺(tái)釋出粉末的一腔體,及與該載臺(tái)產(chǎn)生移轉(zhuǎn)式電漿電弧效應(yīng)的一熔融槍?zhuān)鲆妻D(zhuǎn)式電漿電弧效應(yīng)用于熔融由該腔體釋出的粉末,使兩層以上的沉積層在該載臺(tái)上堆疊成為該積層體。
本發(fā)明的積層制造加工機(jī),該積層制造裝置為雷射積層加工裝置,且該熔融單元以雷射光熔融由該物料供給單元相對(duì)該工件釋出且堆疊在該載臺(tái)上的粉末。
本發(fā)明的積層制造加工機(jī),該積層制造裝置為移轉(zhuǎn)式電漿電弧加工裝置,且該熔融單元具有用于輸送惰性氣體的一個(gè)工作氣路組、用于匯集惰性氣體與粉末且相對(duì)該載臺(tái)釋出粉末的一腔體,及與該載臺(tái)產(chǎn)生移轉(zhuǎn)式電漿電弧效應(yīng)的一熔融槍?zhuān)鲆妻D(zhuǎn)式電漿電弧效應(yīng)用于熔融由該腔體釋出的粉末。
本發(fā)明的積層制造加工機(jī),還包括驅(qū)動(dòng)該熔融單元分別沿一條x軸方向、一條y軸方向位移的一個(gè)第一驅(qū)動(dòng)單元。
本發(fā)明的積層制造加工機(jī),還包括驅(qū)動(dòng)該熔融單元分別沿一條z軸方向位移的一個(gè)第二驅(qū)動(dòng)單元。
本發(fā)明的積層制造加工機(jī),還包括一個(gè)機(jī)體,及一個(gè)第三驅(qū)動(dòng)單元,且該載臺(tái)具有樞設(shè)在該機(jī)體的一個(gè)擺動(dòng)部,及設(shè)置在該擺動(dòng)部上的一個(gè)承載部,該第三驅(qū)動(dòng)單元驅(qū)動(dòng)該擺動(dòng)部以該x軸為中心旋動(dòng)。
本發(fā)明的積層制造加工機(jī),還包括驅(qū)動(dòng)該載臺(tái)的承載部以該z軸為中心旋動(dòng)的一個(gè)第四驅(qū)動(dòng)單元。
本發(fā)明的有益效果在于:在所述沉積層堆疊過(guò)程中,結(jié)合同步振動(dòng)的方式,使該積層體具有低應(yīng)力、低變形量、細(xì)小顯微結(jié)構(gòu)等優(yōu)點(diǎn),進(jìn)而提升層與層間的密實(shí)度,及縮減制程時(shí)間。
本發(fā)明的另一個(gè)功效在于:使用移轉(zhuǎn)式電漿電弧設(shè)備的熔融單元在成本上更低,且積層體的密實(shí)度與外觀(guān)同樣能夠達(dá)到制程需求。
附圖說(shuō)明
本發(fā)明的其他的特征及功效,將于參照?qǐng)D式的實(shí)施方式中清楚地呈現(xiàn),其中:
圖1是中國(guó)臺(tái)灣證書(shū)號(hào)第m498668號(hào)專(zhuān)利的一個(gè)示意圖;
圖2是一個(gè)示意圖,說(shuō)明本發(fā)明積層制造方法及其加工機(jī)的一個(gè)第一實(shí)施例;
圖3是一個(gè)示意圖,說(shuō)明本發(fā)明積層制造方法及其加工機(jī)的一個(gè)第二實(shí)施例;
圖4是一個(gè)示意圖,說(shuō)明本發(fā)明積層制造加工機(jī)的一個(gè)第三實(shí)施例;
圖5是一個(gè)示意圖,說(shuō)明試片a中的積層體剝離工件;
圖6是一個(gè)示意圖,說(shuō)明試片b的積層體的堆疊狀態(tài);及
圖7是一個(gè)示意圖,說(shuō)明試片c的積層體的堆疊狀態(tài)。
具體實(shí)施方式
在本發(fā)明被詳細(xì)描述之前,應(yīng)當(dāng)注意在以下的說(shuō)明內(nèi)容中,類(lèi)似的元件是以相同的編號(hào)來(lái)表示。
參閱圖2,本發(fā)明積層制造加工機(jī)的一個(gè)實(shí)施例,包含一個(gè)機(jī)體2、一個(gè)載臺(tái)3、一個(gè)積層制造裝置4、一個(gè)振動(dòng)裝置5,及一個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置6。
該載臺(tái)3具有樞設(shè)在該機(jī)體2的一個(gè)擺動(dòng)部31,及設(shè)置在該擺動(dòng)部31上的一個(gè)承載部32。
該積層制造裝置4包括用于輸送粉末至該載臺(tái)3的承載部32上方的一物料供給單元41,及用于熔融所述粉末成為一層沉積層71的一熔融單元42。該熔融單元42在本實(shí)施例為一種移轉(zhuǎn)式電漿電弧設(shè)備,并具有用于輸送惰性氣體的一個(gè)工作氣路組421、用于匯集惰性氣體與粉末且相對(duì)該載臺(tái)3的承載部32釋出粉末的一腔體422,及與該載臺(tái)3的承載部32產(chǎn)生電弧效應(yīng)的一熔融槍423。所述移轉(zhuǎn)式電漿電弧效應(yīng)用于熔融由該腔體422釋出的粉末。
該振動(dòng)裝置5包括與該載臺(tái)3的擺動(dòng)部31接觸的一個(gè)振動(dòng)單元51。該振動(dòng)單元51在本實(shí)施例是以一偏心凸輪(圖未示)轉(zhuǎn)動(dòng)造成振動(dòng)而產(chǎn)生振波,其頻率與轉(zhuǎn)速成正比,可通過(guò)調(diào)整轉(zhuǎn)速,造成不同頻率的振動(dòng),較佳的,所述振波是一種由輸入的低于90hz且非共振頻的低頻波所激發(fā)出具有最大振幅的高頻波,其振動(dòng)頻率范圍介于500hz~900hz。
該驅(qū)動(dòng)裝置6包括驅(qū)動(dòng)該熔融單元42分別沿一條x軸方向、一條y軸方向位移的一個(gè)第一驅(qū)動(dòng)單元61、驅(qū)動(dòng)該熔融單元42分別沿一條z軸方向位移的一個(gè)第二驅(qū)動(dòng)單元62、驅(qū)動(dòng)該載臺(tái)3的擺動(dòng)部31以該x軸為中心旋動(dòng)的一個(gè)第三驅(qū)動(dòng)單元63,及驅(qū)動(dòng)該載臺(tái)3的承載部32以該z軸為中心旋動(dòng)的一個(gè)第四驅(qū)動(dòng)單元64。
加工時(shí),只需控制該第一驅(qū)動(dòng)單元61、該第二驅(qū)動(dòng)單元62、該第三驅(qū)動(dòng)單元63與該第四驅(qū)動(dòng)單元64,就可以使該熔融單元42依循該x軸方向、該y軸方向、該z軸方向位移,及使該載臺(tái)3的擺動(dòng)部31以該x軸為中心旋動(dòng),使該載臺(tái)3的承載部32以該z軸為中心旋動(dòng),借此,在該承載部32上進(jìn)行掃描填充,而堆疊數(shù)層沉積層71至形成一個(gè)積層體7,或在該承載部32上設(shè)置一個(gè)工件(圖未示),而在該工件上形成與該工件結(jié)合的一個(gè)積層體7。
重要的是,在所述沉積層71堆疊過(guò)程中,該振動(dòng)單元51會(huì)同步產(chǎn)生振動(dòng),而產(chǎn)生高頻的振動(dòng),使振波通過(guò)該載臺(tái)3傳遞至所述沉積層71,借此,使熔融且逐漸冷卻的沉積層71在高頻振動(dòng)的狀態(tài)下,具有低應(yīng)力、低變形量、細(xì)小顯微結(jié)構(gòu)等優(yōu)點(diǎn),進(jìn)而提升層與層間的密實(shí)度。
參閱圖3,是本發(fā)明一個(gè)第二實(shí)施例,其與該第一實(shí)施例大致相同,不同處在于:
該積層制造裝置4包括取代如圖1的熔融單元42的另一個(gè)熔融單元43,而以雷射光熔融由該物料供給單元41相對(duì)該工件釋出且堆疊在該載臺(tái)3上的粉末。
借此,同樣能夠在所述沉積層71堆疊過(guò)程中,以該振動(dòng)單元51同步產(chǎn)生振波,并通過(guò)該載臺(tái)3傳遞至所述沉積層71,借此,使熔融且逐漸冷卻的沉積層71在高頻振動(dòng)的狀態(tài)下,具有低應(yīng)力、低變形量、細(xì)小顯微結(jié)構(gòu)等優(yōu)點(diǎn),進(jìn)而提升層與層間的密實(shí)度。
由于本領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者根據(jù)以上說(shuō)明可以推知擴(kuò)充細(xì)節(jié),因此不多加說(shuō)明。
以下分別以一般3d列印裝置、如圖2的本發(fā)明的第一實(shí)施例、如圖3的本發(fā)明的第二實(shí)施例,所制造的試片a、試片b、試片c,比對(duì)積層效果。
制程條件如下:
參圖5可以清楚的看出,試片a中的積層體7剝離工件,參圖6,試片b的積層體7則堆疊的相當(dāng)密實(shí),且與該工件穩(wěn)固的結(jié)合,參圖7,而試片c的積層體7則同樣堆疊的相當(dāng)密實(shí),且同樣與該工件穩(wěn)固的結(jié)合,且外觀(guān)也相當(dāng)整齊。
另外,參閱下表,以本發(fā)明圖3所公開(kāi)的第二實(shí)施例所制造的試片c1、試片c2、試片c3、試片c4,探討導(dǎo)入振波后的影響,可以發(fā)現(xiàn):
試片c1在沒(méi)有導(dǎo)入振波的情形下,其積層體7的應(yīng)力值高達(dá)209mpa,試片c2及試片c3在導(dǎo)入低頻波后,其積層體7的應(yīng)力值分別下降至129mpa及115mpa,試片c4在導(dǎo)入由所述非共振頻的低頻波所激發(fā)出具有最大振幅的高頻波后,其積層體7的應(yīng)力值大幅下降至94mpa。顯見(jiàn),試片c4相較于沒(méi)有導(dǎo)入振波的試片c1,能夠進(jìn)一步消除殘留應(yīng)力。
參閱圖3,是本發(fā)明一個(gè)第三實(shí)施例,其與該第一實(shí)施例大致相同,不同處在于:該第三實(shí)施例省略了如圖2的振動(dòng)裝置5。
同樣,只需控制該第一驅(qū)動(dòng)單元61、該第二驅(qū)動(dòng)單元62、該第三驅(qū)動(dòng)單元63與該第四驅(qū)動(dòng)單元64,就可以在該承載部32上進(jìn)行掃描填充,而堆疊數(shù)層沉積層71至形成該積層體7,或在該承載部32上設(shè)置一個(gè)工件(圖未示),而在該工件上形成與該工件結(jié)合的積層體7。值得說(shuō)明的是,該熔融單元42的移轉(zhuǎn)式電漿電弧效應(yīng)是在大于30伏特的電壓下產(chǎn)生且不能產(chǎn)生鎖孔現(xiàn)象,因此,在熔融由該腔體422釋出的粉末時(shí),可以使熱量集中在噴入的粉末上,而非已有的沉積層71或工件(圖未示)上,借此,熔融的金屬液可以快速凝固成沉積層71而不致下垂。
經(jīng)由以上的說(shuō)明,可將前述實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)歸納如下:
1、本發(fā)明能夠在所述沉積層71堆疊過(guò)程中,結(jié)合同步振動(dòng)的方式,使該積層體7具有低應(yīng)力、低變形量、細(xì)小顯微結(jié)構(gòu)等優(yōu)點(diǎn),進(jìn)而提升層與層間的密實(shí)度,且由于是同步施以振動(dòng),因此,能夠縮減制程時(shí)間。
2、本發(fā)明不僅僅針對(duì)使用雷射光的熔融單元43可以提升積層體7的密實(shí)度,且同樣適用使用移轉(zhuǎn)式電漿電弧設(shè)備的熔融單元42,而使用移轉(zhuǎn)式電漿電弧設(shè)備的熔融單元42在成本上更低,對(duì)于精密度要求比較低的成品來(lái)說(shuō),該積層體7的密實(shí)度與外觀(guān)同樣能夠達(dá)到制程需求。
以上所述者,僅為本發(fā)明的實(shí)施例而已,當(dāng)不能以此限定本發(fā)明實(shí)施的范圍,即凡依本發(fā)明權(quán)利要求書(shū)及說(shuō)明書(shū)內(nèi)容所作的簡(jiǎn)單的等效變化與修飾,皆仍屬本發(fā)明的范圍。