技術特征：

技術總結
本發明提供一種適用于拋光或平面化半導體、光學和磁襯底中的至少一個的拋光墊。所述拋光墊包含拋光層，所述拋光層具有聚合物基質、厚度以及表示所述拋光層的用于拋光或平面化的工作區的拋光軌跡。徑向排放凹槽延伸穿過所述拋光軌跡，以促進在所述拋光墊旋轉期間穿過所述拋光軌跡且在半導體、光學和磁襯底中的所述至少一個下面且接著超出所述拋光軌跡朝向所述拋光墊的周邊的拋光碎屑移除。

技術研發人員：L·M·庫克;Y·童;J·索;J·J·亨德倫;P·康奈爾
受保護的技術使用者：羅門哈斯電子材料CMP控股股份有限公司
技術研發日：2017.03.23
技術公布日：2017.10.03