1.立式石墨烯卷對卷連續(xù)生長設(shè)備，包括真空上料室(1)、高溫工藝腔室(7)、真空取料室(8)、驅(qū)動(dòng)裝置；所述真空上料室(1)內(nèi)設(shè)置有石墨烯生長基底放料輥(2)，所述真空取料室(8)內(nèi)設(shè)置有石墨烯基底收料輥(9)以及收料導(dǎo)向輥(10)；所述真空上料室(1)和真空取料室(8)均設(shè)置有真空泵；所述石墨烯生長基底放料輥(2)以及石墨烯基底收料輥(9)均通過驅(qū)動(dòng)裝置，驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)動(dòng)；所述高溫工藝腔室(7)上設(shè)置有快速加熱裝置(6)；
其特征在于：所述高溫工藝腔室(7)設(shè)置在真空上料室(1)與真空取料室(8)之間；所述真空上料室(1)位于高溫工藝腔室(7)的下端，所述真空取料室(8)設(shè)置在高溫工藝腔室(7)的上端；所述高溫工藝腔室(7)的兩端均設(shè)置有快速冷卻裝置(5)；
所述真空上料室(1)內(nèi)設(shè)置有用于檢測石墨烯薄膜(16)張力的張力檢測裝置(3)，所述真空取料室(8)內(nèi)設(shè)置有用于檢測石墨烯薄膜(16)線速度的速度檢測裝置(11)。
2.如權(quán)利要求1所述的立式石墨烯卷對卷連續(xù)生長設(shè)備，其特征在于：所述驅(qū)動(dòng)裝置包括第一驅(qū)動(dòng)裝置(12)以及第二驅(qū)動(dòng)裝置(15)；所述第一驅(qū)動(dòng)裝置(12)與石墨烯生長基底放料輥(2)傳動(dòng)連接；所述第二驅(qū)動(dòng)裝置(15)與石墨烯基底收料輥(9)傳動(dòng)連接。
3.如權(quán)利要求2所述的立式石墨烯卷對卷連續(xù)生長設(shè)備，其特征在于：所述石墨烯生長基底放料輥(2)具有的轉(zhuǎn)軸穿過真空上料室(1)，且通過離合器(13)與第一驅(qū)動(dòng)裝置(12)傳動(dòng)連接；所述石墨烯基底收料輥(9)具有的轉(zhuǎn)軸穿過真空取料室(8)，且通過離合器(13)與第二驅(qū)動(dòng)裝置(15)傳動(dòng)連接。
4.如權(quán)利要求3所述的立式石墨烯卷對卷連續(xù)生長設(shè)備，其特征在于：所述石墨烯生長基底放料輥(2)的轉(zhuǎn)軸與真空上料室(1)之間設(shè)置有真空動(dòng)密封裝置(14)；所述石墨烯基底收料輥(9)的轉(zhuǎn)軸與真空取料室(8)之間設(shè)置有真空動(dòng)密封裝置(14)。
5.如權(quán)利要求2、3或4所述的立式石墨烯卷對卷連續(xù)生長設(shè)備，其特征在于：所述第一驅(qū)動(dòng)裝置(12)以及第二驅(qū)動(dòng)裝置(15)均采用伺服電機(jī)加減速器。
6.如權(quán)利要求1所述的立式石墨烯卷對卷連續(xù)生長設(shè)備，其特征在于：所述真空上料室(1)內(nèi)設(shè)置有放料導(dǎo)向棍(4)；石墨烯生長基底放料輥(2)上的石墨烯薄膜(16)依次繞過張力檢測裝置(3)、放料導(dǎo)向棍(4)進(jìn)入高溫工藝腔室(7)。
7.如權(quán)利要求6所述的立式石墨烯卷對卷連續(xù)生長設(shè)備，其特征在于：還包括處理器，所述處理器分別與張力檢測裝置(8)以及第一驅(qū)動(dòng)裝置電連接，且所述處理器、張力檢測裝置(8)以及第一驅(qū)動(dòng)裝置(12)形成反饋閉環(huán)。
8.如權(quán)利要求2、3或4所述的立式石墨烯卷對卷連續(xù)生長設(shè)備，其特征在于：所述處理器分別與速度檢測裝置(11)以及第二驅(qū)動(dòng)裝置(15)電連接，且所述處理器、速度檢測裝置(11)以及第一驅(qū)動(dòng)裝置(15)形成反饋閉環(huán)。
9.如權(quán)利要求1所述的立式石墨烯卷對卷連續(xù)生長設(shè)備，其特征在于：所述真空取料室(8)內(nèi)的收料導(dǎo)向輥(10)上設(shè)置有自然垂下與石墨烯生長基底放料輥(2)上基底卷材連接的引導(dǎo)段。
10.如權(quán)利要求1所述的立式石墨烯卷對卷連續(xù)生長設(shè)備，其特征在于：所述快速冷卻裝置(5)與高溫工藝腔室(7)可拆卸連接。