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一種原子層沉積反應(yīng)裝置及通孔材料表面薄膜沉積工藝的制作方法

文檔序號:11583039閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及本發(fā)明提供一種原子層沉積反應(yīng)腔體設(shè)計裝置以及針對超高深寬比通孔材料表面均勻鍍膜工藝,其中,原子層沉積反應(yīng)腔體設(shè)計裝置包括:進氣系統(tǒng)、排氣系統(tǒng)、上反應(yīng)腔、下反應(yīng)腔、基板;其中,基板位于上反應(yīng)腔內(nèi),進氣系統(tǒng)用于提供所需反應(yīng)前驅(qū)體和凈化氣體,反應(yīng)前驅(qū)體和凈化氣體進入所述上反應(yīng)腔,排氣系統(tǒng)用于清除多余反應(yīng)前驅(qū)體和凈化氣體,經(jīng)所述下反應(yīng)腔排除。本發(fā)明可以解決超高深寬比通孔材料內(nèi)部表面無法均勻沉積鍍膜問題。

技術(shù)研發(fā)人員:程傳偉;張海峰
受保護的技術(shù)使用者:同濟大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日:2017.04.19
技術(shù)公布日:2017.08.08
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