本發明涉及半導體晶片加工，特別涉及一種半導體基板加工設備。

背景技術：

1、在半導體器件的制造過程中，通常用到多種沉積技術在半導體基板上沉積多層材料，例如，通過化學氣相沉積(cvd)方法在半導體基板上沉積材料層；化學氣相淀積是近幾十年發展起來的制備無機材料的新技術，基本原理是將含有構成薄膜元素的氣態反應劑（或液態反應劑的蒸氣）引入反應室，在反應室內高溫加熱后發生化學反應（或者利用電離技術），從而生成所需的固態薄膜并沉積在半導體晶片表面，比如將硅烷（sih4）和氨氣（nh3）作為前驅體氣體，在高溫（600-900℃）下反應生成氮化硅薄膜，鍍覆在半導體晶片表面。

2、現有半導體晶片的鍍覆工藝存在諸多的技術問題，第一設備的進料口密封效果不佳，容易引入空氣，對反應過程造成嚴重干擾；第二反應管道內的氣體分布和受熱不均勻，導致反應速率低，沉積物也容易在下降的過程中貼附管壁，導致沉積的薄膜均勻度不一，降低鍍覆質量；第三反應管內產生的廢氣由于內外壓差，及時向外排出的難度大，造成管內堆積，干擾反應的正常進行，且在向外排氣的過程中容易引入空氣，破壞反應環境。

3、綜上所述，考慮到現有設施滿足不了工作使用需求，為此，我們提出一種半導體基板加工設備。

技術實現思路

1、本發明的主要目的在于提供一種半導體基板加工設備，可以有效解決背景技術中的問題。

2、為實現上述目的，本發明采取的技術方案為：

3、一種半導體基板加工設備，包括設備主體，所述設備主體的內部靠下位置開設有限位導向槽，所述限位導向槽內活動設置有工裝座，所述工裝座的內部均勻分布有若干組托盤，每組所述托盤內均放置有半導體晶圓，所述工裝座的后端中間位置處水平焊接有液壓伸縮桿，所述液壓伸縮桿從液壓缸的內部向外延伸，所述液壓缸安裝在尾座上，所述尾座鉚接在設備主體的后端面中間位置處。

4、作為本發明所述一種半導體基板加工設備的一種優選方案，其中：所述設備主體的前端面和限位導向槽連通的位置開設有進出口，所述進出口的兩側對稱開設有凹槽，每組凹槽內均安裝有壓氣結構，所述壓氣結構的數量為2組。

5、作為本發明所述一種半導體基板加工設備的一種優選方案，其中：所述工裝座的前端設置有密封板，所述密封板的兩端對稱焊接有曲形壓頭。

6、作為本發明所述一種半導體基板加工設備的一種優選方案，其中：所述設備主體的內部并位于托盤的上方對應設置有真空沉積管，所述真空沉積管和托盤的數量均優選為4-8組，所述真空沉積管的上端通過密封軸承和混合筒的下端面連接，所述真空沉積管的中部設置有加熱段，所述加熱段的外側安裝有加熱器，所述加熱器的外側面和設備主體的內壁固定。

7、作為本發明所述一種半導體基板加工設備的一種優選方案，其中：所述設備主體的上端面中間位置處固定有混合筒，所述混合筒的內部開設有混合腔，所述混合腔的底部開設有和每組真空沉積管上端對應的氣流通道，所述混合筒的兩側分別設置有第一進氣管和第二進氣管，所述第一進氣管和第二進氣管均與混合腔的內部連通。

8、作為本發明所述一種半導體基板加工設備的一種優選方案，其中：所述壓氣結構包括氣筒、安裝套、儲氣腔、限位口、活動桿、圓弧滑頭、氣塞座、復位彈簧和排氣孔，所述氣筒通過安裝套水平固定在設備主體的內層中，所述氣筒的內部開設有儲氣腔，所述氣筒的一端面中間位置處開設有限位口，所述儲氣腔的內部穿過限位口活動設置有活動桿，所述活動桿伸出限位口的一端設置有圓弧滑頭，所述圓弧滑頭和對應的曲形壓頭相作用，所述活動桿遠離圓弧滑頭的一端固定有氣塞座，所述氣塞座和儲氣腔的腔壁充分貼合，所述氣塞座和限位口之間固定有套接在活動桿外的復位彈簧，所述氣筒遠離限位口的一端中間位置處開設有和儲氣腔相連通的排氣孔。

9、作為本發明所述一種半導體基板加工設備的一種優選方案，其中：所述排氣孔上連接有導氣管，所述進出口的內壁一周安裝有連接條，所述連接條外膠接有密封氣囊，所述進出口的內壁上開設有用于收納密封氣囊的夾槽，所述密封氣囊充氣膨脹后伸出夾槽外作用在密封板的外表面處，兩組所述導氣管均向外延伸和連接條固定，兩者連接處和密封氣囊的內部連通。

10、作為本發明所述一種半導體基板加工設備的一種優選方案，其中：所述混合筒的上端設置有限位座，所述限位座的上端連通設置有驅動殼體，所述驅動殼體的內部中間位置處轉動設置有曲柄，所述曲柄的中部花鍵連接有轉軸，所述轉軸和勻速電機通過聯軸器連接，所述勻速電機貫穿驅動殼體設置，所述曲柄的端部和連桿的上端部相鉸接，所述連桿的下端連接有圓形排氣座，所述圓形排氣座的上端面中間位置開設有供連桿擺動的桿槽，所述圓形排氣座貼壁設置在混合腔內，所述圓形排氣座的下端面均勻分布有若干組戳柱。

11、作為本發明所述一種半導體基板加工設備的一種優選方案，其中：所述真空沉積管的上端部管內安裝有曲形滾面板，曲形滾面板的中間位置開設有堵塞氣口，所述堵塞氣口上活動設置有堵塞球，所述戳柱在向下運動的過程中穿過氣流通道伸入到真空沉積管內，作用在相對應的堵塞球上。

12、作為本發明所述一種半導體基板加工設備的一種優選方案，其中：每組所述真空沉積管上并位于加熱器的下方套接有同步鏈輪，若干組所述同步鏈輪統一由外鏈條連接傳動，其中一組所述真空沉積管上還套接有大齒輪，所述大齒輪和一側嚙合設置有小齒輪，所述小齒輪套接在伺服電機的輸出軸上，所述伺服電機固定設置在設備主體的內部。

13、作為本發明所述一種半導體基板加工設備的一種優選方案，其中：所述混合筒的下端面中間位置處固定有管座，所述管座的下端安裝有環形集氣管，所述環形集氣管的外管面一周均勻分布有若干組密封集氣罩，每組所述密封集氣罩的端面中間位置開設有運動軌道，所述密封集氣罩的內部安裝有和環形集氣管內部相連通的帶孔隔板，所述帶孔隔板的中部向外延伸水平安裝有滑桿，每組所述真空沉積管的外側靠上位置安裝有和分別和密封集氣罩相作用的旋轉式排氣結構，所述旋轉式排氣結構在運動軌道內運動，所述密封集氣罩和旋轉式排氣結構的數量均優選為4-8組。

14、作為本發明所述一種半導體基板加工設備的一種優選方案，其中：所述旋轉式排氣結構包括支架、曲形密封口、凸面密封器、彈簧卡槽、連通內槽和滑桿外槽，所述支架固定在真空沉積管的外側面，所述支架的中部貫穿開設有曲形密封口，所述曲形密封口上安裝有凸面密封器，所述支架上并位于曲形密封口的兩側對稱開設有彈簧卡槽，所述支架上并位于曲形密封口上下端開設有連通內槽，所述連通內槽和真空沉積管的內部相連通，所述支架的外端面開設有供滑桿運動的滑桿外槽。

15、作為本發明所述一種半導體基板加工設備的一種優選方案，其中：所述凸面密封器包括封口板、連接片、連接彈簧和圓弧凸面，所述封口板封堵在曲形密封口處形成密封，所述封口板的兩側設置有連接片，所述連接片上固定有伸入彈簧卡槽的連接彈簧，所述彈簧卡槽和連接彈簧的數量均優選為4組，所述封口板的中部外表面處設置有圓弧凸面，所述圓弧凸面和滑桿相作用。

16、作為本發明所述一種半導體基板加工設備的一種優選方案，其中：所述環形集氣管的局部向設備主體外延伸連接有抽吸管，所述抽吸管的中部安裝有抽氣泵，所述混合筒的外側面設置有螺旋盤管，所述抽吸管的上端和螺旋盤管相連通，所述螺旋盤管外側一周設置有保溫層。

17、作為本發明所述一種半導體基板加工設備的一種優選方案，其中：所述螺旋盤管的上端連接有第二廢氣管。

18、作為本發明所述一種半導體基板加工設備的一種優選方案，其中：所述設備主體的上端面向外延伸連接有第一廢氣管。

19、作為本發明所述一種半導體基板加工設備的一種優選方案，其中：所述設備主體的上端面安裝有作用于設備主體內部的真空泵。

20、作為本發明所述一種半導體基板加工設備的一種優選方案，其中：所述第一進氣管的下端連接有第一儲氣罐，所述第二進氣管的下端連接有第二儲氣罐，所述第一儲氣罐和第二儲氣罐分別位于設備主體的左右兩端。

21、作為本發明所述一種半導體基板加工設備的一種優選方案，其中：所述加熱器的內部開設有分別供真空沉積管穿過的轉槽。

22、作為本發明所述一種半導體基板加工設備的一種優選方案，其中：所述圓形排氣座的外側面一周設置有密封圈。

23、作為本發明所述一種半導體基板加工設備的一種優選方案，其中：所述設備主體的下端對稱焊接有支腿，所述支腿的數量優選為2-4組。

24、作為本發明所述一種半導體基板加工設備的一種優選方案，其中：所述連桿在驅動殼體內運動。

25、本發明通過改進在此提供一種半導體基板加工設備，與現有技術相比，具有如下顯著改進及優點：

26、在回位的過程中曲形壓頭分別和圓弧滑頭相接觸，對活動桿產生擠壓作用力，使活動桿帶動氣塞座直線運動，擠壓儲氣腔內的氣體，氣體通過排氣孔進入到導氣管內，對密封氣囊進行充氣，使其慢慢膨脹，密封氣囊和密封板的一周緊密貼合，從而加強密封，并達到自動密封的作用。

27、當圓形排氣座運動到接近混合腔底部的位置時，若干組戳柱穿過氣流通道伸入到相對應真空沉積管內，擠開堵塞氣口位置處的堵塞球，從而使混合腔內的混合氣體均勻從若干組堵塞氣口同步注入到真空沉積管內，達到均勻布氣的作用，隨后連桿帶動圓形排氣座向上回位，堵塞球在戳柱離開的條件下，重新滾動到堵塞氣口的上端，實現自動封堵，避免氣體回流。

28、啟動伺服電機，經過一系列傳動帶動其中一組真空沉積管做勻速旋轉運動，并且通過同步鏈輪和同步鏈輪的連接作用，使每一組真空沉積管同步旋轉，一方面使真空沉積管的受熱更為均勻，提高反應的速率，另一方面固體顆粒在下沉的過程中受到管壁的運動作用，無法附著，均勻分散，提高沉積的均勻度。

29、啟動抽氣泵，依次作用于抽吸管、環形集氣管，使密封集氣罩位置產生吸力，將真空沉積管內的部分高溫廢氣通過曲形密封口及時吸入到密封集氣罩內，一方面解決管內廢氣堆積無法及時排出的問題，另一方面高溫廢氣被注入到螺旋盤管內，沿著螺旋盤管緩慢流動，將自身的熱量傳導至混合筒上，對混合腔內的兩種反應氣體進行預熱，并提高兩者的混合效率，節能環保。