專利名稱：一種多晶硅尾氣干法回收中熱能回收工藝及系統的制作方法
技術領域：
本發明涉及ー種多晶硅生產領域，具體涉及改良西門子法生產多晶硅的尾氣回收領域。
背景技術：
在改良西門子法生產多晶硅的尾氣回收系統，氫化尾氣及還原尾氣回收系統中高壓解析區的解析塔塔釜排出的高溫貧液氯硅烷通過換熱器水冷后，再用泵進行輸送。合成尾氣回收系統中高壓解析區塔釜再沸器使用蒸汽進行加熱，具體流程如下
氫化尾氣或還原尾氣回收系統高壓區在解析塔塔釜，富液氯硅烷通過解析塔塔釜再沸器被蒸汽加熱至120 150°C進行解析，被解析后的120 150°C貧液氯硅烷通過再沸器冷卻器進行換熱后，降溫至30 40°C再通過泵進行輸送至下一設備。在解析塔塔頂，-40 氯化氫液體被采出，送至汽化器進行電加熱汽化。合成尾氣回收系統高壓區在合成解析塔塔釜，富液氯硅烷通過合成解析塔釜再沸器被蒸汽加熱至110 125°c進行解析，被解析后的110 125°C貧液氯硅烷通過合成再沸器冷卻器進行換熱后，降溫至40°C再通過泵進行輸送至下一設備。在上述過程中氫化或還原貧液氯硅烷攜帯大量熱量需要冷媒進行逐漸冷卻消耗冷量，而合成富液氯硅烷需要熱源進行加熱消耗熱量。但在目前エ藝中合成尾氣回收系統合成解析塔再沸器采用蒸汽熱源進行加熱解析，從這里我們也可以發現氫化尾氣或還原尾氣回收系統中解析后的120 150°C貧液氯硅烷所攜帯的熱量未進行有效利用，氫化尾氣、還原尾氣回收系統及合成尾氣回收系統熱能綜合利用不合理。

發明內容
本發明所要解決的技術問題是針對生產多晶硅的改良西門子法中尾氣干法回收系統熱能利用不合理性，提供一種多晶硅尾氣干法回收中熱能回收系統，降低合成尾氣回收系統的能耗。本發明的目的通過以下技術方案來具體實現
一種多晶硅尾氣干法回收中熱能回收エ藝，包括步驟
al、120 150°C的氫化或還原貧液氯硅烷進入合成解析塔再沸器，對合成解析塔塔釜進行加熱；
a2、通過旁路閥調節120 150°C的氫化或還原貧液氯硅烷進入合成解析塔再沸器的流量，控制合成解析塔的釜溫；
a3、經過合成解析塔再沸器換熱后的氫化或還原貧液氯硅烷進入冷卻器中進行水冷，將氫化或還原貧液氯硅烷降溫至30 40°C。—種多晶硅尾氣干法回收中熱能回收系統，包括合成解析塔再沸器和冷卻器，所述合成解析塔再沸器的熱流體入口與120 150°C的氫化或還原貧液氯硅烷入口連通，所述合成解析塔再沸器的熱流體出口與所述冷卻器連通。
在所述合成解析塔再沸器的熱流體入口和熱流體出口之間的管道上安裝有旁路閥。本發明實現合成尾氣熱能回收系統中合成解析塔塔釜采用120 150°C氫化或還原貧液氯硅烷作為熱源進行塔釜加熱，減少了合成尾氣熱能回收系統蒸汽的消耗，有效的利用了氫化或還原尾氣回收系統中解析后的120 150°C貧液氯硅烷所攜帯的熱量。


下面根據附圖和實施例對本發明作進ー步詳細說明。圖I是本發明實施例所述多晶硅尾氣干法回收中熱能回收系統的結構圖。
具體實施方式

實施例一
如圖I所示，本發明實施例所述的多晶硅尾氣干法回收中熱能回收系統，包括合成解析塔再沸器I和冷卻器2，所述合成解析塔再沸器I的熱流體入口與120 150°C的氫化或還原貧液氯硅烷入口連通，所述合成解析塔再沸器I的熱流體出口與所述冷卻器2連通。在所述合成解析塔再沸器I的熱流體入口和熱流體出口之間的管道上安裝有旁路閥3。本發明實現多晶硅尾氣干法回收中熱能回收系統中合成解析塔塔釜采用120 150°C氫化或還原貧液氯硅烷作為熱源進行塔釜加熱，減少了合成尾氣熱能回收系統蒸汽的消耗，有效的利用了氫化或還原尾氣回收系統中解析后的120 150°C貧液氯硅烷所攜帶的熱量。本發明實施例所述多晶硅尾氣干法回收中熱能回收エ藝，包括步驟 alU20°C的氫化或還原貧液氯硅烷進入合成解析塔再沸器，對合成解析塔塔釜進行加執.
a2、通過旁路閥調節120°C的氫化或還原貧液氯硅烷進入合成解析塔再沸器的流量，控制合成解析塔的釜溫；
a3、經過合成解析塔再沸器換熱后的氫化或還原貧液氯硅烷進入冷卻器中進行水冷，將氫化或還原貧液氯硅烷降溫至30°C。實施例ニ
與實施例一的不同之處在于，本發明實施例所述多晶硅尾氣干法回收中熱能回收エ藝，包括步驟
al、135°C的氫化或還原貧液氯硅烷進入合成解析塔再沸器，對合成解析塔塔釜進行加執.
a2、通過旁路閥調節135°C的氫化或還原貧液氯硅烷進入合成解析塔再沸器的流量，控制合成解析塔的釜溫；
a3、經過合成解析塔再沸器換熱后的氫化或還原貧液氯硅烷進入冷卻器中進行水冷，將氫化或還原貧液氯硅烷降溫至35°C。實施例三
與實施例一的不同之處在于，本發明實施例所述多晶硅尾氣干法回收中熱能回收エ藝，包括步驟
al、150°C的氫化或還原貧液氯硅烷進入合成解析塔再沸器，對合成解析塔塔釜進行加執.
a2、通過旁路閥調節150°C的氫化或還原貧液氯硅烷進入合成解析塔再沸器的流量，控制合成解析塔的釜溫；
a3、經過合成解析塔再沸器換熱后的氫化或還原貧液氯硅烷進入冷卻器中進行水冷，將氫化或還原貧液氯硅烷降溫至40°C。
權利要求
1.一種多晶硅尾氣干法回收中熱能回收工藝，包括步驟 al、120 150°C氫化或還原貧液氯硅烷進入合成解析塔再沸器，對合成解析塔塔釜進行加熱； a2、通過旁路閥調節120 150°C氫化或還原貧液氯硅烷進入合成解析塔再沸器的流量，控制合成解析塔的釜溫； a3、經過合成解析塔再沸器換熱后的氫化或還原貧液氯硅烷進入冷卻器中進行水冷，將氫化或還原貧液氯硅烷降溫至30 40°C。
2.一種多晶硅尾氣干法回收中熱能回收系統，其特征在于，包括合成解析塔再沸器和冷卻器，所述合成解析塔再沸器的熱流體入口與120 150°C氫化或還原貧液氯硅烷入口連通，所述合成解析塔再沸器的熱流體出口與所述冷卻器連通。
3.如權利要求2所述的多晶硅尾氣干法回收中熱能回收系統，其特征在于，在所述合成解析塔再沸器的熱流體入口和熱流體出口之間的管道上安裝有旁路閥。
全文摘要
本發明公開了一種多晶硅尾氣干法回收系統中熱能回收工藝，包括步驟a1、120～150℃的氫化或還原貧液氯硅烷進入合成解析塔再沸器，對合成解析塔塔釜進行加熱；a2、通過旁路閥調節120～150℃的氫化或還原貧液氯硅烷進入合成解析塔再沸器的流量，控制合成解析塔的釜溫；a3、經過合成解析塔再沸器換熱后的氫化或還原貧液氯硅烷進入冷卻器中進行水冷，將氫化或還原貧液氯硅烷降溫至30～40℃。本發明實現多晶硅尾氣干法回收系統合成解析塔塔釜采用120～150℃氫化或還原貧液氯硅烷作為熱源進行塔釜加熱，減少了合成尾氣熱能回收系統蒸汽的消耗，有效的利用了多晶硅尾氣干法回收系統中解析后的120～150℃氫化或還原貧液氯硅烷所攜帶的熱量。本發明同時公開了一種多晶硅尾氣干法回收中熱能回收系統。
文檔編號C01B33/03GK102838118SQ20121034863
公開日2012年12月26日 申請日期2012年9月19日 優先權日2012年9月19日
發明者張偉, 陳喜清, 陳朝霞, 葉冬梅, 張吉武 申請人:特變電工新疆硅業有限公司