本發(fā)明涉及一種玻璃加工工藝，具體涉及一種鍍膜玻璃的生產工藝。

背景技術：

現(xiàn)有最常用的玻璃鍍膜方法通常采用拉提法，即將清洗好的玻璃浸入盛滿鍍膜液的容器中，利用機械牽引力將浸泡后的玻璃勻速拉提出來，流平之后在玻璃表面形成一層膜層，固化后形成鍍膜玻璃。拉提法玻璃鍍膜生產不規(guī)范，玻璃覆膜的光澤度和平滑度不夠，玻璃表面會起泡、起皺和脫落等問題，效率也低、產品質量不牢靠。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是克服以上背景技術中提出的不足，提供一種能顯著的提高了玻璃覆膜的光澤度和平滑度，改善玻璃覆膜由于生產不規(guī)范引起的易起泡、起皺和脫落問題，工藝流程簡單，提高了生產效率，降低了生產成本的鍍膜玻璃的生產工藝。

本發(fā)明的目的是通過以下技術方案實現(xiàn)的：一種鍍膜玻璃的生產方法，它包括以下步驟：

1)前期準備工作：用HA－04、P－90或B－13在內的有機溶劑對光學零件表面進行濕潤、滲透，有機溶劑的pH一般為8.5～12濃度為15％，在40～60℃超聲波清洗；漂洗:通過純水對光學零件表面的沖洗及超聲作用，使洗滌后殘留在光學零件表面的洗滌劑溶解、稀釋和去除；脫水:經(jīng)漂洗后的光學零件表面含有大量水分，進入有機溶劑的脫水劑中進行脫水，和水能充分混溶；甩干：甩干機可以將清洗后的產品進行快速甩干，采用PLC電路和變頻器程序控制，通過空氣過濾裝置將凈化的空氣送入設備內部以提高干燥的效率，防止二次污染；

2)在玻璃基片表面沉積一層或多層功能膜系層；層功能膜系層為可鋼化低輻射膜系層，低輻射膜系層的最外層為電介質層，電介質層最外層為SnO、SiO、AlZnO，SiO，電介質層最外層的厚度較佳為10～40nm；該鍍膜膜系結構包括：第一氧化鋁層、形成在該第一氧化鋁層上的第一鈦酸鑭層、形成在該第一鈦酸鑭層上的鎳鉻膜層、形成在該鎳鉻膜層上的第二鈦酸鑭層、形成在該第二鈦酸鑭層上的鎳鉻膜層、形成在該鎳鉻膜層上的第三鈦酸鑭層、形成在該第三鈦酸鑭層上的第二氧化鋁層、形成在該第二氧化鋁層上的第四鈦酸鑭層及形成在該第四鈦酸鑭層上的氟化鎂層；該第一氧化鋁層的膜厚為20～50nm；該第一鈦酸鑭層的膜厚為10～30nm；該鎳鉻膜層的膜厚為100～140nm；該第二鈦酸鑭層的膜厚為10～30nm；該第三氧化鋁層的膜厚為20～50nm；該第三鈦酸鑭層的膜厚為40～70nm；該第四氧化鋁層的膜厚為20～50nm；該第四鈦酸鑭層的膜厚為20～50nm；該氟化鎂層的膜厚為100～140nm。

作為優(yōu)選，在一層或多層功能膜系層表面沉積一層鋯混合摻雜膜層，鋯混合摻雜膜層的材料為SiN x和ZrSiOx N y的混合物，該混合物中SiN x所占重量比為58％～63％，鋯混合摻雜膜層的最佳厚度為15～20nm。

作為優(yōu)選，膜系層的沉積方式為磁控濺射沉積，磁控濺射沉積是在真空級數(shù)為0.1Pa級的工作氣氛下，N/O比例不超過8的條件下進行的。

作為優(yōu)選，氬2 2氣流量為500sccm、氧氣流量為100sccm、氮氣流量為600sccm。

本發(fā)明的有益效果如下：

本發(fā)明所述方法得到的金屬薄膜均勻并且附著力好，增強了產品表面電鍍層的耐磨性；其次，本發(fā)明將鍍好金屬薄膜的金屬件進行陽極氧化處理，使得鍍膜氧化后的色彩豐富，耐腐蝕性能好，提高了金屬件的整體強度，且該工藝對環(huán)境無污染。

具體實施方式

下面對本發(fā)明作進一步的詳細說明。

實施例1

用HA－04、P－90或B－13在內的有機溶劑對光學零件表面進行濕潤、滲透，有機溶劑的pH一般為8.5～12濃度為15％，在40～60℃超聲波清洗；漂洗:通過純水對光學零件表面的沖洗及超聲作用，使洗滌后殘留在光學零件表面的洗滌劑溶解、稀釋和去除；脫水:經(jīng)漂洗后的光學零件表面含有大量水分，進入有機溶劑的脫水劑中進行脫水，和水能充分混溶；甩干：甩干機可以將清洗后的產品進行快速甩干，采用PLC電路和變頻器程序控制，通過空氣過濾裝置將凈化的空氣送入設備內部以提高干燥的效率，防止二次污染；

在玻璃基片表面沉積一層或多層功能膜系層；層功能膜系層為可鋼化低輻射膜系層，低輻射膜系層的最外層為電介質層，電介質層最外層為SnO、SiO、AlZnO，SiO，電介質層最外層的厚度較佳為10～40nm；該鍍膜膜系結構包括：第一氧化鋁層、形成在該第一氧化鋁層上的第一鈦酸鑭層、形成在該第一鈦酸鑭層上的鎳鉻膜層、形成在該鎳鉻膜層上的第二鈦酸鑭層、形成在該第二鈦酸鑭層上的鎳鉻膜層、形成在該鎳鉻膜層上的第三鈦酸鑭層、形成在該第三鈦酸鑭層上的第二氧化鋁層、形成在該第二氧化鋁層上的第四鈦酸鑭層及形成在該第四鈦酸鑭層上的氟化鎂層；該第一氧化鋁層的膜厚為20～50nm；該第一鈦酸鑭層的膜厚為10～30nm；該鎳鉻膜層的膜厚為100～140nm；該第二鈦酸鑭層的膜厚為10～30nm；該第三氧化鋁層的膜厚為20～50nm；該第三鈦酸鑭層的膜厚為40～70nm；該第四氧化鋁層的膜厚為20～50nm；該第四鈦酸鑭層的膜厚為20～50nm；該氟化鎂層的膜厚為100～140nm。

在一層或多層功能膜系層表面沉積一層鋯混合摻雜膜層，鋯混合摻雜膜層的材料為SiN x和ZrSiOx N y的混合物，該混合物中SiN x所占重量比為58％～63％，鋯混合摻雜膜層的最佳厚度為15～20nm。

膜系層的沉積方式為磁控濺射沉積，磁控濺射沉積是在真空級數(shù)為0.1Pa級的工作氣氛下，N/O比例不超過8的條件下進行的。氬2 2氣流量為500sccm、氧氣流量為100sccm、氮氣流量為600sccm。

所述真空鍍膜方法，按以下步驟進行：

1)抽真空：啟動抽真空系統(tǒng)，控制真空室的真空度達到3×10^-3Pa-5×10^-3Pa；

2)金屬件預熱：開啟加熱器將真空室內的金屬件加熱至70℃以上，使得金屬件表面的金屬原子結構發(fā)生改變，使得金屬原子處于活躍狀態(tài)；

3)向真空室內通入惰性氣體，氣壓控制在0.5-2Pa之間；

4)采用如下兩種方式中的任意一種釋放金屬離子：

a、在真空室內設置金屬靶材，在金屬靶材上施加大于200V的負電壓，使得金屬靶材釋放出金屬離子；

b、在真空室內設置金屬膜料，采用電子槍對著金屬膜料射擊，使得金屬膜料釋放出金屬離子；電子槍的輸出功率為4-30KW；

5)金屬離子被釋放出的同時放出能量，發(fā)生輝光放電，產生等離子體；等離子體內的金屬離子在電場的作用下向金屬件加速，與金屬件表面沖撞后，金屬件上的金屬離子被濺出來，使得等離子體內的金屬離子替換掉金屬件上被濺出的金屬離子、并沉積于金屬件表面上形成一層金屬薄膜。

在步驟2)中，所述金屬件為鋁材料，所述金屬靶材為鋁材料；鍍膜工藝參數(shù)如下：真空度為3×10^-3Pa-5×10^-3Pa，金屬件預熱溫度為70-150℃，施加于金屬靶材上的負電壓為200-1000V，沉積時間為50-120分鐘，金屬薄膜的厚度為50μm-80μm。

應當理解的是，對本領域普通技術人員來說，可以根據(jù)上述說明加以改進或變換，而所有這些改進和變換都應屬于本發(fā)明所附權利要求的保護范圍。上述實施例只為說明本發(fā)明的技術構思及特點，其目的在于讓熟悉此領域技術的人士能夠了解本發(fā)明的內容并加以實施，并不能以此限制本發(fā)明的保護范圍，凡根據(jù)本發(fā)明精神實質所作的等效變化或修飾，效果相似，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍內。