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一種電阻漿料中玻璃相的制備方法與流程

文檔序號:11123149閱讀:1310來源:國知局

本發明涉及電阻漿料制備技術領域,特別是一種電阻漿料中玻璃相的制備方法。



背景技術:

厚膜電阻是依靠玻璃基體中粒子間的接觸形成電阻,其成本較低,頻響速度快,在非精密電器應用中得到廣泛使用。厚膜電阻中的觸點構成完整電阻,但工作中的熱應變會中斷接觸。由于大部分情況下并聯,厚膜電阻不會開路,但阻值會隨著時間和溫度持續增加。

在實際電器由于結構中成串的電荷運動,粒狀結構還會使厚膜電阻產生很高的噪聲,影響到實際的電學應用性能。



技術實現要素:

本發明的目的是為了提供一種電阻漿料中玻璃相的制備方法。

為實現上述目的,本發明公開了一種電阻漿料中玻璃相的制備方法,按重量份數取二氧化硅30-40、三氧化二鉍20-30、氧化鋅15-20、二氧化鋯10-15、氧化硼10-15,其具體制備步驟為:

(1)將二氧化硅、三氧化二鉍、氧化鋅、二氧化鋯、氧化硼置入三維擺動混合機中混合3-5次,每次30-40分鐘;

(2)將步驟(1)中混合料裝入坩堝,置入電熔爐中熔煉,熔煉溫度設定為1300-1500℃,持續熔煉3-4小時后立刻取出置入水中進行水淬;

(3)將步驟(2)中水淬后的混合料用反擊式破碎機進行初步破碎,初步破碎后再置入粉碎機中進行二次粉碎,粉碎后置入氣吹浮選機中除去雜質,再置入球磨機中加入混合料等質量的水進行球磨,球磨12-14小時;

(4)將球磨后的混合料細粉置入烘干機中在100-120℃下烘干,烘干后再將溫度提升至180-200℃進行退火,退火60-80分鐘后自然冷卻得到玻璃粉,將玻璃粉加入電阻漿料中混合得到玻璃相。

本發明的優點和積極效果是:

本發明方法設置了破碎、粉碎、球磨三步粉碎工藝,使玻璃粉粒度更細更均勻;還設置了浮選工藝,去除多余雜質;并最后附加了退火工藝,使其成相時更加致密,經過多步工藝使玻璃粉顆粒造成的噪聲干擾大大降低。

具體實施方式

具體實施例一:

一種電阻漿料中玻璃相的制備方法,按重量份數取二氧化硅30、三氧化二鉍20、氧化鋅15、二氧化鋯10、氧化硼10,其具體制備步驟為:

(1)將二氧化硅、三氧化二鉍、氧化鋅、二氧化鋯、氧化硼置入三維擺動混合機中混合3次,每次30分鐘;

(2)將步驟(1)中混合料裝入坩堝,置入電熔爐中熔煉,熔煉溫度設定為1300℃,持續熔煉3小時后立刻取出置入水中進行水淬;

(3)將步驟(2)中水淬后的混合料用反擊式破碎機進行初步破碎,初步破碎后再置入粉碎機中進行二次粉碎,粉碎后置入氣吹浮選機中除去雜質,再置入球磨機中加入混合料等質量的水進行球磨,球磨12小時;

(4)將球磨后的混合料細粉置入烘干機中在100℃下烘干,烘干后再將溫度提升至180℃進行退火,退火60分鐘后自然冷卻得到玻璃粉,將玻璃粉加入電阻漿料中混合得到玻璃相。

具體實施例二:

一種電阻漿料中玻璃相的制備方法,按重量份數取二氧化硅40、三氧化二鉍30、氧化鋅20、二氧化鋯15、氧化硼15,其具體制備步驟為:

(1)將二氧化硅、三氧化二鉍、氧化鋅、二氧化鋯、氧化硼置入三維擺動混合機中混合5次,每次40分鐘;

(2)將步驟(1)中混合料裝入坩堝,置入電熔爐中熔煉,熔煉溫度設定為1500℃,持續熔煉4小時后立刻取出置入水中進行水淬;

(3)將步驟(2)中水淬后的混合料用反擊式破碎機進行初步破碎,初步破碎后再置入粉碎機中進行二次粉碎,粉碎后置入氣吹浮選機中除去雜質,再置入球磨機中加入混合料等質量的水進行球磨,球磨14小時;

(4)將球磨后的混合料細粉置入烘干機中在120℃下烘干,烘干后再將溫度提升至200℃進行退火,退火80分鐘后自然冷卻得到玻璃粉,將玻璃粉加入電阻漿料中混合得到玻璃相。

具體實施例三:

一種電阻漿料中玻璃相的制備方法,按重量份數取二氧化硅35、三氧化二鉍25、氧化鋅18、二氧化鋯13、氧化硼13,其具體制備步驟為:

(1)將二氧化硅、三氧化二鉍、氧化鋅、二氧化鋯、氧化硼置入三維擺動混合機中混合4次,每次35分鐘;

(2)將步驟(1)中混合料裝入坩堝,置入電熔爐中熔煉,熔煉溫度設定為1400℃,持續熔煉3.5小時后立刻取出置入水中進行水淬;

(3)將步驟(2)中水淬后的混合料用反擊式破碎機進行初步破碎,初步破碎后再置入粉碎機中進行二次粉碎,粉碎后置入氣吹浮選機中除去雜質,再置入球磨機中加入混合料等質量的水進行球磨,球磨13小時;

(4)將球磨后的混合料細粉置入烘干機中在110℃下烘干,烘干后再將溫度提升至190℃進行退火,退火70分鐘后自然冷卻得到玻璃粉,將玻璃粉加入電阻漿料中混合得到玻璃相。

以上所述,僅為本發明較佳的具體實施方式,但本發明的保護范圍并不局限于此,任何熟悉本技術領域的技術人員在本發明揭露的技術范圍內,根據本發明的技術方案及其發明構思加以等同替換或改變,都應涵蓋在本發明的保護范圍之內。

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