技術特征：

1.一種碳化硅單晶生長熱場結構中的石墨板涂層的制備方法，其中，所述石墨板位于顆粒狀原料的上方，用于過濾碳化硅蒸汽中的碳顆粒,其特征在于，所述涂層的制備方法包括如下步驟：

1)制備TaCl₅正丁醇溶液；

2)將多孔石墨板浸入上述溶液內，使多孔石墨板空隙表面完全被飽和溶液浸潤；

3)將浸潤后的多孔石墨板烘干；

4)將步驟3)制備好的多孔石墨板放入真空爐內，進行升溫煅燒，從而使浸潤到多孔石墨表面的TaCl₅與多孔石墨發生反應，生成TaC層；

5)重復步驟1)-4)的過程，多孔石墨表面形成致密的TaC涂層；

6)將步驟5)制備好的多孔石墨板放入真空爐內，煅燒5-10小時，從而使原有的Ta在石墨體系內全部轉化為TaC晶粒，并且和原有的TaC晶粒在高溫下逐步長大，并進一步致密化。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟4)中，升溫到1000℃煅燒2小時。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，重復步驟1)-4)的過程3-5次。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟6)中，采用石墨坩堝及保溫材料，在500-10000Pa的壓力、2000℃溫度下煅燒5-10小時。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，TaCl₅正丁醇溶液濃度達到飽和濃度70%-95%。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括步驟7)：將具有致密TaC涂層的多孔石墨板覆蓋在碳化硅顆粒狀原料表面，將原料與籽晶隔離后進行晶體生長。