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一種離子插層型二維材料的制備方法與流程

文檔序號:11092328閱讀:來源:國知局

技術特征:

1.一種離子插層型的二維材料的制備方法,其特征在于,以低熔點的鹽作為熔鹽,以金屬鹽作為前驅物,將前驅物加入熔鹽中反應,將反應獲得的產(chǎn)物冷卻后清洗得到離子插層型的二維材料粉末;

所述離子插層型的二維材料的結構是以[MOx]多面體或[M(OH)x]多面體為單元排列組合而成板層結構,且陽離子、陰離子或水分子插層在層間;其中,M是指金屬陽離子,x是與金屬元素結合的O2-或是OH-的數(shù)量。

2.如權利要求1所述的制備方法,其特征在于,具體包括如下步驟:

(1)將熔鹽加熱至熔融態(tài);

(2)將所述前驅物加入熔融態(tài)鹽中反應;

(3)將步驟(2)獲得的反應產(chǎn)物冷卻至室溫,并用去離子水清洗抽濾;

(4)將清洗后的樣品進行干燥處理,得到離子插層型二維材料粉末。

3.如權利要求2所述的制備方法,其特征在于,所述步驟(1)中,加熱溫度設置在鹽的熔點與分解溫度或沸點之間。

4.如權利要求2或3所述的制備方法,其特征在于,所述熔鹽的種類包括硝酸鹽、氯化鹽、硫酸鹽或磷酸鹽。

5.如權利要求2或3所述的制備方法,其特征在于,所述步驟(2)中,金屬鹽種類包括硝酸鹽,氯化鹽,硫酸鹽,磷酸鹽,鈦酸鹽,鎢酸鹽,釩酸鹽,鈮酸鹽,磷酸氫鹽,醋酸鹽,鉬酸鹽。

6.如權利要求1或2所述的制備方法,其特征在于,所述步驟(2)中,金屬鹽的金屬元素種類包括Al,Ca,Ti,V,Cr,Mn,Co,Ni,Cu,Zn,Nb,Mo,Ru,Rh,In,Sn,Cs,W。

7.如權利要求2或5所述的制備方法,其特征在于,所述步驟(2)中,反應時間在10秒~2小時。

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