1.一種正方氧化鋯基復合陶瓷超薄蓋板，其特征在于，復合陶瓷超薄蓋板的陶瓷粉體為納米粉體和微米粉體形成的跨尺度無規則的混合體，所述納米粉體占所述陶瓷粉體體積的40～70%；所述納米粉體的粒徑為0.05～0.5 μm；所述微米粉體的中位徑為1～5 μm，所述納米粉體為正方氧化鋯。
2.根據權利要求1所述的正方氧化鋯基復合陶瓷超薄蓋板，其特征在于，所述微米粉體為氧化鋯、氧化鋁、氮化鋁陶瓷粉體中的一種或多種。
3.根據權利要求1所述的正方氧化鋯基復合陶瓷超薄蓋板，其特征在于，所述正方氧化鋯基復合陶瓷超薄蓋板厚度小于150μm。
4.一種根據權利要求1-3任一項所述的正方氧化鋯基復合陶瓷超薄蓋板的制備工藝，其特征在于，包括以下工藝步驟：
（1）按比例稱取納米正方氧化鋯粉體和微米粉體，加入適量的溶劑、分散劑充分混合均勻后，球磨12～24h；
（2）將粘接劑、增塑劑再加入步驟（1）所得混合料中，繼續球磨2～6h；然后加入除泡劑，在真空攪拌罐中進行除泡20～50min，得到2000-10000 mPa.s的陶瓷流延漿料；
（3）將步驟（2）所得的陶瓷漿料在流延機上流延成型，制備出超薄陶瓷生帶；
(4) 將干燥后的超薄陶瓷生帶裁切成陶瓷坯片，并裝入燒結缽盒，在1300～1500℃下燒結2～4h，即可得到正方氧化鋯基復合陶瓷超薄蓋板。
5.根據權利要求4所述的正方氧化鋯基復合陶瓷超薄蓋板的制備工藝，其特征在于，所述陶瓷粉體質量占陶瓷漿料總質量的63%以上。