技術總結
本發明涉及單晶硅平收尾方法及制備方法，平收尾方法包括：關閉自動溫度控制系統，停止坩堝上升；手動升溫10～20℃，晶體提拉速度降低至0.1～0.4mm/min，保持晶體繼續生長20～30min，晶體與固液界面接觸的一端由凹面生長為平面；關閉晶體提拉速度的自動控制系統，手動降低提拉速度至小于0.1mm/min，保持晶體繼續生長20～30min，晶體與固液界面接觸的一端由平面生長為凸面；將坩堝一次性下降20～50mm，使晶體脫離坩堝內熔硅液面，降低晶體轉速和坩堝轉速；晶體降溫，繼續提拉晶體獲得產品。本發明可減少熔硅的耗用量，縮短單晶硅的制備周期，提高單晶硅合格品的長度和重量以及成品的合格率。

技術研發人員：劉聰賢;劉輝;王彥玉;朱眉清
受保護的技術使用者：卡姆丹克太陽能（江蘇）有限公司
文檔號碼：201611197875
技術研發日：2016.12.22
技術公布日：2017.05.10