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一種減輕頂部保溫材料受腐蝕的熱場結構的制作方法

文檔序號:11013060閱讀:605來源:國知局
一種減輕頂部保溫材料受腐蝕的熱場結構的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種減輕頂部保溫材料受腐蝕的熱場結構,包括坩堝、護板、發熱體、頂保溫層、側保溫層和底保溫層;發熱體位于坩堝外周、包圍住坩堝的側面和底面;頂保溫層位于坩堝上方,護板位于頂保溫層表面;側保溫層和底保溫層分別位于發熱體外圍和底部。本實用新的有益效果是:避免SiC蒸汽在保溫材料內部沉積和腐蝕,從而保證在晶體生長全過程中,頂部保溫材料維持恒定的保溫效果,從而保證晶體生長的穩定性。
【專利說明】
一種減輕頂部保溫材料受腐蝕的熱場結構
技術領域
[0001]本實用新型涉及一種碳化硅制備裝置領域的熱場結構,具體的涉及一種減輕頂部保溫材料受腐蝕的熱場結構。
【背景技術】
[0002]在SiC晶體制備領域中,最為成熟的生長方法是物理氣相傳輸法(PVT)。晶體生長使用的坩禍使用石墨材料,由于石墨材料具一定孔隙率,高溫下SiC蒸汽可以穿透石墨坩禍并在坩禍外部的保溫氈內沉積,特別是SiC蒸汽內的Si組分會與石墨保溫氈發生化合生成SiC,將石墨氈轉化成細碎的SiC粉末。保溫氈糟腐蝕破壞后,整體保溫性能將,并且腐蝕會集中在特定位置造成熱場溫度梯度偏離設計要求,造成晶體生長的不穩定。
[0003]為此,如何提供一種減輕保溫部件腐蝕的結構,是本實用新型研究的目的。
[0004]
【發明內容】
:
[0005]為克服現有技術不足,本實用新型提供一種減輕頂部保溫材料受腐蝕的熱場結構,對長晶過程泄露出的SiC蒸汽進行遮擋和導流,保證在晶體生長全過程中,頂部保溫材料維持恒定的保溫效果,從而保證晶體生長的穩定性。
[0006]為解決現有技術問題,本實用新型所采用的技術方案是:
[0007]—種減輕頂部保溫材料受腐蝕的熱場結構,包括坩禍、護板、發熱體、頂保溫層、側保溫層和底保溫層;所述的發熱體位于坩禍外周、包圍住坩禍的側面和底面;所述的頂保溫層位于坩禍上方,所述的護板位于頂保溫層下方,并覆蓋頂保溫層下表面;所述的側保溫層和底保溫層分別位于發熱體外圍和底部。
[0008]進一步的,所述的護板與坩禍頂部間距大于10mm。
[0009]進一步的,頂部保溫層使用石墨軟氈或石墨硬氈材料。
[0010]進一步的,所述的位于頂保溫層下方的護板層數根據需要,可選擇一層或多層。
[0011]本實用新的有益效果是:避免SiC蒸汽在保溫材料內部沉積和腐蝕,從而保證在晶體生長全過程中,頂部保溫材料維持恒定的保溫效果,從而保證晶體生長的穩定性。
【附圖說明】

[0012]圖1為本實用新型的結構示意圖。
[0013]其中:坩禍I,護板2、發熱體3、頂保溫層4、側保溫層5、底保溫層6、感應圈7、碳化硅原料8、碳化硅晶體9。
【具體實施方式】
[0014]為了使本領域技術人員能夠更加理解本實用新型技術方案,下面結合附圖1對本實用新型做進一步分析。
[0015]如圖1所示,一種減輕頂部保溫材料受腐蝕的熱場結構,包括坩禍I,護板2,發熱體3,頂保溫層4,側保溫層5,底保溫層6,其中發熱體3位于坩禍I外周、包圍住坩禍I的側面和底面,頂保溫層4位于坩禍I上方,護板2位于頂保溫層4下方,并覆蓋頂保溫層下表面,側保溫層5、底保溫層6分別位于發熱體3外圍和底部。晶體生長過程中,由于頂保溫層4及護板2溫度低于坩禍I溫度,SiC蒸汽降優先沉積在護板2表面,頂保溫層能夠在晶體生長過程保持基本恒定的保溫狀態。
[0016]護板2與坩禍I頂部間距大于10mm,護板2可以遮擋頂保溫層4下表面、中孔表面。位于頂保溫層4下方的護板2層數可大于I層。當坩禍I選用的石墨材料孔隙率增大或生長溫度較高時,穿透坩禍I泄漏的SiC蒸汽量增大,可通過增加護板2的層數提高其保護能力。
[0017]本實用新型所述結構在SiC晶體生長頂部保溫下表面及測溫孔位置使用本專利設計的石墨零件進行包裹,對長晶過程泄露出的SiC蒸汽進行遮擋和導流,避免SiC蒸汽在保溫材料內部沉積和腐蝕,從而保證在晶體生長全過程中,頂部保溫材料維持恒定的保溫效果,從而保證生長工藝的穩定性。
[0018]以上對本申請所提供的技術方案進行了詳細介紹,本文中應用了實施例對本申請的原理及實施方式進行了闡述,以上實施例的說明只是用于幫助理解本申請的方法及其核心思想;同時,對于本領域的一般技術人員,依據本申請的思想,在【具體實施方式】及應用范圍上均會有改變之處,綜上所述,本說明書內容不應理解為對本申請的限制。
【主權項】
1.一種減輕頂部保溫材料受腐蝕的熱場結構,其特征在于:包括坩禍、護板、發熱體、頂保溫層、側保溫層和底保溫層;所述的發熱體位于坩禍外周、包圍住坩禍的側面和底面;所述的頂保溫層位于坩禍上方,所述的護板位于頂保溫層下方,并覆蓋頂保溫層下表面;所述的側保溫層和底保溫層分別位于發熱體外圍和底部。2.根據權利要求1所述的一種減輕頂部保溫材料受腐蝕的熱場結構,其特征在于:所述的護板與坩禍頂部間距大于10mm。3.根據權利要求1所述的一種減輕頂部保溫材料受腐蝕的熱場結構,其特征在于:頂部保溫層使用石墨軟氈或石墨硬氈材料。4.根據權利要求1所述的一種減輕頂部保溫材料受腐蝕的熱場結構,其特征在于:所述的位于頂保溫層下方的護板層數根據需要,可選擇一層或多層。
【文檔編號】C30B29/36GK205711037SQ201620576078
【公開日】2016年11月23日
【申請日】2016年6月14日
【發明人】鄭清超, 高宇, 楊坤
【申請人】河北同光晶體有限公司
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