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一種單晶爐取棒裝置的制作方法

文檔序號(hào):11181954閱讀:1222來(lái)源:國(guó)知局
一種單晶爐取棒裝置的制造方法

本實(shí)用新型涉及一種單晶爐取棒裝置。



背景技術(shù):

目前隨著國(guó)家對(duì)新能源的重視,太陽(yáng)能板越來(lái)越深入人們生活當(dāng)中,而太陽(yáng)能板主要是單晶硅片和多晶硅片制成,目前單晶硅片以其轉(zhuǎn)換效率高而受到廣泛的使用,單晶硅片主要是由單晶棒制成,而單晶棒主要通過(guò)單晶爐將原生硅熔化—→縮頸生長(zhǎng)—→放肩生長(zhǎng)—→等徑生長(zhǎng)—→尾部生長(zhǎng),從而形成晶棒,再將晶棒從單晶爐副室中降下取出。

由于晶棒前端由縮頸生長(zhǎng)而成,以及晶棒徑向塑性較差,且單晶爐副室在移動(dòng)和晶棒下降時(shí)會(huì)導(dǎo)致晶棒發(fā)生徑向晃動(dòng),這時(shí)若晶棒觸碰到單晶爐副室內(nèi)壁上,就會(huì)導(dǎo)致晶棒前端引晶部位(晶棒生長(zhǎng)為引晶、等徑、收尾)斷裂,造成晶棒掉落,因此就需要操作人員持長(zhǎng)棍抵住晶棒外壁與副室內(nèi)壁之間的間隙,防止在副室移動(dòng)過(guò)程中晶棒產(chǎn)生徑向劇烈晃動(dòng),但目前的方法費(fèi)時(shí)費(fèi)力,且容易發(fā)生操作失誤,晶棒觸碰到單晶爐副室內(nèi)壁上,造成晶棒引晶部位斷裂,晶棒發(fā)生掉落,導(dǎo)致操作人員傷亡,危險(xiǎn)性較大。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本實(shí)用新型的目的是為了克服現(xiàn)有方法的不足,提供了一種單晶爐取棒裝置。

本實(shí)用新型是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):

一種單晶爐取棒裝置,包括副室和晶棒,該單晶爐取棒裝置還包括卡環(huán)、合頁(yè)鉸鏈、耐火纖維棉層、活動(dòng)卡扣,所述卡環(huán)由上部卡環(huán)和下部卡環(huán)組成,且上部卡環(huán)和下部卡環(huán)均為對(duì)稱兩部分,所述上部卡環(huán)后端和下部卡環(huán)后端通過(guò)合頁(yè)鉸鏈連接,卡環(huán)前端設(shè)置有活動(dòng)卡扣,所述對(duì)稱兩部分下部卡環(huán)內(nèi)壁中部開(kāi)設(shè)有凹槽,所述耐火纖維棉層嵌在凹槽中。

作為本實(shí)用新型的優(yōu)選技術(shù)方案,所述上部卡環(huán)和下部卡環(huán)是由PI聚酰亞胺制成。

作為本實(shí)用新型的優(yōu)選技術(shù)方案,所述上部卡環(huán)和下部卡環(huán)通過(guò)螺栓連接在一起。

作為本實(shí)用新型的優(yōu)選技術(shù)方案,所述上部卡環(huán)的內(nèi)壁與副室的外壁相等。

作為本實(shí)用新型的優(yōu)選技術(shù)方案,所述下部卡環(huán)的內(nèi)壁與晶棒外壁間隙為5cm~10cm。

作為本實(shí)用新型的優(yōu)選技術(shù)方案,所述耐火纖維棉層的內(nèi)壁與晶棒外壁間隙為1cm~2cm。

與現(xiàn)有的方法相比,本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)新穎、設(shè)計(jì)合理,能夠通過(guò)卡環(huán)穩(wěn)定晶棒,防止在副室移動(dòng)或晶棒下降過(guò)程中產(chǎn)生徑向晃動(dòng),晶棒觸碰到副室內(nèi)壁上,造成晶棒引晶部位斷裂,晶棒發(fā)生掉落,也降低了操作人員手持長(zhǎng)棍去扶持晶棒所帶來(lái)的危險(xiǎn)性和費(fèi)時(shí)費(fèi)力,從而提高了安全性和生產(chǎn)效率。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖;

圖2為本實(shí)用新型工作狀態(tài)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本實(shí)用新型工作狀態(tài)的俯視圖。

圖中:1-副室;2-晶棒;3-卡環(huán);31-上部卡環(huán);32-下部卡環(huán);4-合頁(yè)鉸鏈;5-凹槽;6-耐火纖維棉層;7-活動(dòng)卡扣。

具體實(shí)施方式

為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實(shí)施例,對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型,并不用于限定本實(shí)用新型。

請(qǐng)參閱圖1、圖2和圖3,圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖、圖2為本實(shí)用新型工作狀態(tài)的結(jié)構(gòu)示意圖、圖3為本實(shí)用新型工作狀態(tài)的俯視圖。

所述一種單晶爐取棒裝置,包括副室1和晶棒2,該單晶爐取棒裝置還包括卡環(huán)3、合頁(yè)鉸鏈4、耐火纖維棉層6、活動(dòng)卡扣7,所述卡環(huán)3由上部卡環(huán)31和下部卡環(huán)32組成,且上部卡環(huán)31和下部卡環(huán)32均為對(duì)稱兩部分,上部卡環(huán)31和下部卡環(huán)32通過(guò)螺栓連接在一起,方便在上部卡環(huán)31和下部卡環(huán)32其中一個(gè)損壞時(shí),操作人員進(jìn)行拆卸更換,上部卡環(huán)31和下部卡環(huán)32是由PI聚酰亞胺制成,減輕了卡環(huán)3的重量,使操作人員在使用時(shí)更省力,且晶棒2在取出時(shí)表面溫度有400℃,因此卡環(huán)3的材質(zhì)需要由抗高溫材質(zhì)制成,PI聚酰亞胺可以長(zhǎng)期使用的溫度為-200℃~426℃,屬于抗高溫塑膠材質(zhì),因此在使用時(shí)不容易產(chǎn)生塑性變形,降低了使用成本,且PI聚酰亞胺重量較輕,減輕了卡環(huán)3的重量,使操作人員在使用時(shí)更加省力,上部卡環(huán)31和下部卡環(huán)32也可以用鐵、不銹鋼等其他鐵質(zhì)材質(zhì)制成,但目前使用鐵材質(zhì)制成,重量會(huì)有所增加,且晶棒2會(huì)將熱量傳導(dǎo)到卡環(huán)3上,導(dǎo)致卡環(huán)3溫度過(guò)高,不方便操作人員在使用后拆卸,增加了安全隱患。

所述上部卡環(huán)31后端和下部卡環(huán)32后端通過(guò)合頁(yè)鉸鏈4連接,卡環(huán)3前端設(shè)置有活動(dòng)卡扣7,上部卡環(huán)31的內(nèi)壁與副室1的外壁相等,在使用過(guò)程中,操作人員將卡環(huán)3的活動(dòng)卡扣7解開(kāi),并將上部卡環(huán)31套在副室1上,且下部卡環(huán)32上壁與副室1的下壁相貼合即可,并鎖緊卡扣,在晶棒2下降到取棒車(chē)上并剪去引晶部位后,解開(kāi)活動(dòng)卡扣7,即可取下卡環(huán)3,方便操作人員安裝和拆卸。

所述下部卡環(huán)32的內(nèi)壁與晶棒2外壁間隙可以為5cm、8cm、10cm,由于晶棒1的徑向塑性較差,需要將下部卡環(huán)32的內(nèi)壁增大,防止晶棒2觸碰到下部卡環(huán)32的內(nèi)壁上,同樣會(huì)造成晶棒2引晶部位斷裂,晶棒發(fā)生掉落。

所述對(duì)稱兩部分下部卡環(huán)32內(nèi)壁中部開(kāi)設(shè)有凹槽5,耐火纖維棉層6嵌在凹槽5中,通過(guò)設(shè)置有環(huán)形耐火纖維棉層6,當(dāng)副室1移動(dòng)和晶棒2下降時(shí)產(chǎn)生徑向晃動(dòng)時(shí),晶棒2觸碰到耐火纖維棉層6內(nèi)壁上,因耐火纖維棉層6屬于軟性材質(zhì),不會(huì)造成晶棒2掉落,且由于晶棒2的溫度較高,耐火纖維棉層6會(huì)由于長(zhǎng)期使用出現(xiàn)老化,因此設(shè)置有凹槽5,可以方便更換耐火纖維棉層6,從而起到降低使用成本。

所述耐火纖維棉層6內(nèi)壁與晶棒2直徑間隙可以為1cm、1.5cm、2cm,晶棒2在等徑過(guò)程中會(huì)因機(jī)器的參數(shù)的原因,造成晶棒2等徑直徑有0.5cm~1.5cm的差值,耐火纖維棉層6與晶棒2間設(shè)置有間隙,解決了晶棒2因直徑差值,耐火纖維棉層6直徑過(guò)小,在晶棒2下降時(shí)卡在卡環(huán)3上,造成晶棒2無(wú)法下降或掉落。

以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已,并不用以限制本實(shí)用新型,凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。

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