技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型提供了一種多晶硅鑄錠爐，該鑄錠爐內(nèi)設(shè)置有坩堝、護(hù)板、蓋板、底板，坩堝放置在底板上，護(hù)板設(shè)置在坩堝外側(cè)，蓋板設(shè)置在坩堝上方，在所述護(hù)板四周的上方位置還設(shè)置有保溫材料。由于保溫材料僅設(shè)置在護(hù)板上方的位置，靠近坩堝底部的區(qū)域溫度相對(duì)較高，有利于增強(qiáng)硅液對(duì)流，減少雜質(zhì)的富集。在長(zhǎng)晶階段，不僅能夠有效抑制坩堝側(cè)壁形核，向坩堝中心雜亂生長(zhǎng)，同時(shí)還能避免與豎直方向生長(zhǎng)的晶粒沖突，形成大量晶體缺陷，由此得到的長(zhǎng)晶界面更加平整的高質(zhì)量硅錠。

技術(shù)研發(fā)人員：陳紅榮;胡動(dòng)力;徐云飛;黃亮亮
受保護(hù)的技術(shù)使用者：江西賽維LDK太陽(yáng)能高科技有限公司
文檔號(hào)碼：201620889097
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.17
技術(shù)公布日：2017.05.24