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一種防止CBO晶體生長過程掉入熔體的方法與流程

文檔序號:11147593閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種防止CBO晶體生長過程掉入熔體的方法其特征在于:采用鉑金片包裹籽晶,籽晶末端剩余1.8mm露出外面,晶體下種過程中,籽晶末端2mm浸入熔體,利用熔體封住鉑片和籽晶交界處。

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