技術總結
本發明屬于電子陶瓷封裝材料技術領域，提供一種高密度封裝用高熱膨脹系數陶瓷材料及其制備方法，用以克服現有芯片封裝材料熱失配的問題；本發明陶瓷材料的組分包括：SiO2：55～70wt％，BaO：20～30wt％，B2O3：5～10wt％，Al2O3：2～5wt％，Y2O3：0.1～1wt％，及CrO2與ZrO2混合物：1～3wt％。本發明陶瓷材料熱膨脹系數為12～15ppm/℃，與PCB板熱膨脹系數(12～18ppm/℃)相匹配；抗彎強度高達170～240MPa，楊氏模量為50～70GPa，力學性能優異，能夠完全克服熱失配等問題；同時，材料介電常數小、損耗低，性能穩定，能夠滿足高密度封裝的需求；另外其制備工藝簡單成熟、節能高效，符合工業化生產的要求，便于批量生產以及推廣應用。

技術研發人員：李波;李威
受保護的技術使用者：電子科技大學
文檔號碼：201710181323
技術研發日：2017.03.24
技術公布日：2017.06.30