本發明屬于半導體傳感器制備領域，具體涉及一種用于半導體傳感器的陶瓷基底及其制備方法。
背景技術：
陶瓷基底因為質地輕盈，傳熱能力強，被廣泛應用于半導體制備領域。但是實際應用過程中，現有陶瓷基底穩定性差，導致電子元件壽命降低，提高了電子產品的使用成本，不易于產業穩定性發展。
申請號201210297813.2的中國專利公開了一種穩定頻率的薄型片式陶瓷基底，該基底包括由至少四層平面型陶瓷基底結合而成的整體基底，所述整體基底厚度為1.2mm，在所述整體基底的上表面設置有條狀凸起。該基底厚度達到1.2mm，厚度更小，滿足客戶需求，在整體基底上設置條狀凸起，能夠調控粘結劑對芯片的拉伸應力，穩定芯片的彎曲形變，使產品頻率更加穩定，而且整體基底的厚度減小是通過調整第二層和第三層厚度來實現的，減少調整外圍層導致封裝過程中工藝的無法實現以及頻率不穩定等風險。但是該基底受外界環境影響很大，溫度過高，分布在粘結劑四周的膠容易分層，影響傳感器的工作效率。
申請號200880101009.4的中國專利公開了纖維基陶瓷基底及其制造方法。該方法提供鋁硅酸鹽纖維，具有約15重量%至約72重量%范圍內的氧化鋁含量；將所述纖維與包含無機粘合劑和有機粘合劑的添加劑以及流體混合，以提供塑性混合物；將所述塑性混合物形成坯體基底；加熱所述坯體基底，以移除所述流體及所述有機粘合劑；以及燒結所述坯體基底，使所述鋁硅酸鹽纖維及所述無機粘合劑形成與穩定的非晶玻璃粘合的莫來石結構。
技術實現要素：
針對現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種用于半導體傳感器的陶瓷基底及其制備方法，該陶瓷基底傳熱性，電阻值大，不易擊穿，適合作為室外電子產品的基底。
為解決現有技術問題，本發明采取的技術方案為：
一種用于半導體傳感器的陶瓷基底，包括以下按重量份數計的組分：三氧化二鋁59-80份，二氧化硅12-33份，氧化鎂33-99份，氧化鉻1-9份，氧化鋅1-22份，聚乙酰胺基酚23-49份，對苯二醇10-24份，n，n-對氨基磺酸鈉1-8份，氧化鈷1-8份，氧化鈉33-49份，納米碳2-42份，納米鎳22-43份，丁腈橡膠33-55份，無水乙醇80-94份，丙酮14-29份。
作為改進的是，上述用于半導體傳感器的陶瓷基底，包括以下按重量份數計的組分：三氧化二鋁72份，二氧化硅30份，氧化鎂58份，氧化鉻4份，氧化鋅12份，聚乙酰胺基酚32份，對苯二醇18份，n，n-對氨基磺酸鈉4份，氧化鈷6份，氧化鈉42份，納米碳31份，納米鎳34份，丁腈橡膠42份，無水乙醇88份，丙酮21份。
作為改進的是，所述納米碳的目數為200-400目。
上述用于半導體傳感器的陶瓷基底的制備方法，包括以下步驟：步驟1，稱取各組分；步驟2，將三氧化二鋁、二氧化硅、氧化鎂、氧化鉻、氧化鋅、氧化鈷、氧化鈉、納米碳、納米鎳浸泡在無水乙醇和對苯二醇的混合液中，抽真空后粉碎至200-400目得第一混合粉；步驟3，將聚乙酰胺基酚、n，n-對氨基磺酸鈉和丙酮投入反應釜中，惰性氣體下加熱融化得第二混合物；步驟4，將第一混合粉加入第二混合物中，首次加入量為2-5cm3/min，每隔2-5min增加加入量至完全添加，再加入融化得丁腈橡膠，調節粘度值1800-2200pa·s得半成品；步驟5，將半成品燒結得陶瓷基底。
作為改進的是，步驟2中真空度為0.1-0.25mpa。
作為改進的是，步驟3中加熱融化溫度為680-810℃。
作為改進的是，步驟4中每次增加的加入量為0.2-0.5cm3/min。
作為改進的是，步驟5中燒結溫度為800-830℃。
有益效果
本發明陶瓷基底傳熱速度快，輕便，粘黏性好，且不易碎。用于制備半導體傳感器，有效地避免因過熱而短路，且在極性環境下，不易被擊穿。
具體實施方式
實施例1
一種用于半導體傳感器的陶瓷基底，包括以下按重量份數計的組分：三氧化二鋁59-80份，二氧化硅12-33份，氧化鎂33-99份，氧化鉻1-9份，氧化鋅1-22份，聚乙酰胺基酚23-49份，對苯二醇10-24份，n，n-對氨基磺酸鈉1-8份，氧化鈷1-8份，氧化鈉33-49份，納米碳2-42份，納米鎳22-43份，丁腈橡膠33-55份，無水乙醇80-94份，丙酮14-29份。
所述納米碳的目數為200目。
上述用于半導體傳感器的陶瓷基底的制備方法，包括以下步驟：步驟1，稱取各組分；步驟2，將三氧化二鋁、二氧化硅、氧化鎂、氧化鉻、氧化鋅、氧化鈷、氧化鈉、納米碳、納米鎳浸泡在無水乙醇和對苯二醇的混合液中，抽真空后粉碎至200目得第一混合粉；步驟3，將聚乙酰胺基酚、n，n-對氨基磺酸鈉和丙酮投入反應釜中，惰性氣體下加熱融化得第二混合物；步驟4，將第一混合粉加入第二混合物中，首次加入量為2cm3/min，每隔2min增加加入量至完全添加，再加入融化得丁腈橡膠，調節粘度值1800pa·s得半成品；步驟5，將半成品燒結得陶瓷基底。
其中，步驟2中真空度為0.1mpa。
步驟3中加熱融化溫度為680℃。
步驟4中每次增加的加入量為0.2cm3/min。
步驟5中燒結溫度為800℃。
實施例2
一種用于半導體傳感器的陶瓷基底，包括以下按重量份數計的組分：三氧化二鋁72份，二氧化硅30份，氧化鎂58份，氧化鉻4份，氧化鋅12份，聚乙酰胺基酚32份，對苯二醇18份，n，n-對氨基磺酸鈉4份，氧化鈷6份，氧化鈉42份，納米碳31份，納米鎳34份，丁腈橡膠42份，無水乙醇88份，丙酮21份。
所述納米碳的目數為300目。
上述用于半導體傳感器的陶瓷基底的制備方法，包括以下步驟：步驟1，稱取各組分；步驟2，將三氧化二鋁、二氧化硅、氧化鎂、氧化鉻、氧化鋅、氧化鈷、氧化鈉、納米碳、納米鎳浸泡在無水乙醇和對苯二醇的混合液中，抽真空后粉碎至300目得第一混合粉；步驟3，將聚乙酰胺基酚、n，n-對氨基磺酸鈉和丙酮投入反應釜中，惰性氣體下加熱融化得第二混合物；步驟4，將第一混合粉加入第二混合物中，首次加入量為3cm3/min，每隔4min增加加入量至完全添加，再加入融化得丁腈橡膠，調節粘度值2100pa·s得半成品；步驟5，將半成品燒結得陶瓷基底。
其中，步驟2中真空度為0.2mpa。
步驟3中加熱融化溫度為720℃。
步驟4中每次增加的加入量為0.3cm3/min。
步驟5中燒結溫度為820℃。
實施例3
一種用于半導體傳感器的陶瓷基底，包括以下按重量份數計的組分：三氧化二鋁80份，二氧化硅33份，氧化鎂99份，氧化鉻9份，氧化鋅22份，聚乙酰胺基酚49份，對苯二醇24份，n，n-對氨基磺酸鈉8份，氧化鈷8份，氧化鈉49份，納米碳42份，納米鎳43份，丁腈橡膠55份，無水乙醇94份，丙酮29份。
所述納米碳的目數為400目。
上述用于半導體傳感器的陶瓷基底的制備方法，包括以下步驟：步驟1，稱取各組分；步驟2，將三氧化二鋁、二氧化硅、氧化鎂、氧化鉻、氧化鋅、氧化鈷、氧化鈉、納米碳、納米鎳浸泡在無水乙醇和對苯二醇的混合液中，抽真空后粉碎至400目得第一混合粉；步驟3，將聚乙酰胺基酚、n，n-對氨基磺酸鈉和丙酮投入反應釜中，惰性氣體下加熱融化得第二混合物；步驟4，將第一混合粉加入第二混合物中，首次加入量為5cm3/min，每隔5min增加加入量至完全添加，再加入融化得丁腈橡膠，調節粘度值2200pa·s得半成品；步驟5，將半成品燒結得陶瓷基底。
步驟2中真空度為0.25mpa。
步驟3中加熱融化溫度為810℃。
步驟4中每次增加的加入量為0.5cm3/min。
步驟5中燒結溫度為830℃。
實施例4
一種用于半導體傳感器的陶瓷基底，包括以下按重量份數計的組分：三氧化二鋁72份，二氧化硅30份，氧化鎂58份，氧化鉻4份，氧化鋅12份，聚乙酰胺基酚32份，對苯二醇18份，n，n-對氨基磺酸鈉4份，氧化鈷6份，氧化鈉42份，納米碳31份，納米鎳34份，丁腈橡膠42份，無水乙醇88份，丙酮21份。
所述納米碳的目數為300目。
上述用于半導體傳感器的陶瓷基底的制備方法，包括以下步驟：步驟1，稱取各組分；步驟2，將三氧化二鋁、二氧化硅、氧化鎂、氧化鉻、氧化鋅、氧化鈷、氧化鈉、納米碳、納米鎳浸泡在無水乙醇和對苯二醇的混合液中，抽真空后粉碎至300目得第一混合粉；步驟3，將聚乙酰胺基酚、n，n-對氨基磺酸鈉和丙酮投入反應釜中，惰性氣體下加熱融化得第二混合物；步驟4，將第一混合粉加入第二混合物中，再加入融化得丁腈橡膠，調節粘度值2100pa·s得半成品；步驟5，將半成品燒結得陶瓷基底。
其中，步驟2中真空度為0.2mpa。
步驟3中加熱融化溫度為720℃。
步驟5中燒結溫度為820℃。
性能試驗
將本發明實施例1-4和對比例（申請號200880101009.4的實施例1）的基底進行對比，所得數據如下表所示。
從上述數據可以看出，本發明陶瓷基底導熱系數高，平穩性強，厚度薄，且抗壓能力強，不易碎，對比實施例2和實施例4可知，分批加量混合組分，提高了原料之間的融合能力，提高了陶瓷基底的抗壓能力，使得制備的半導體傳感器更耐運輸。與對比例相比，本發明陶瓷基底厚度降低，為此陶瓷基底在電子產品中的應用提供了更寬的領域，且平穩性提高了2-3個點。因此更具有市前景。